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[发明专利]一种设有离子共轭层的半导体激光元件-CN202310252835.5在审
发明人： 李水清;请求不公布姓名;王星河;季徐芳;陈三喜;张江勇;蒙磊;刘紫涵;蔡鑫 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种设有离子共轭层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波层之间和有源层与下波导层之间设有离子共轭层,离子共轭层可提升摩尔吸收系数和补偿极化场，诱发局部极化进而调控载流子和费米能级，提升激光元件小兔子简并度，减少自由载流子的吸收损耗，促进受激辐射超过自发辐射，改善激光元件中谐振腔非平衡载流子的粒子反转，降低激射阈值，实现室温连续振荡，提升激光元件的斜率效率，并降低有源层的价带带阶，提升空穴注入效率和注入均匀性，提升激光元件的峰值增益和增益均匀性。
一种设有离子共轭半导体激光元件

[发明专利]热水器及热水器的控制方法-CN202310699800.6在审
发明人： 李水清;王华;姚振虎 -专利权人：艾欧史密斯（中国）热水器有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： F24H1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种热水器及热水器的控制方法，该热水器包括：用于储水的第一内胆；用于对所述第一内胆中的水进行加热的第一加热元件；用于容纳相变材料的第二内胆；用于对所述第二内胆中的相变材料进行加热的第二加热元件；设置在所述第二内胆中用于和所述相变材料进行换热的热交换器，所述热交换器具有用于进水的进口和用于出水的出口；所述第一内胆的进水口与供水管路相连通，所述第一内胆的出水口用于输出热水；和/或，所述热交换器的进口与供水管路相连通，所述热交换器的出口用于输出热水。本方案能够提高热水器持续供应的满足用户用水温度需求的热水量。
热水器控制方法

[发明专利]一种热水器及其控制方法-CN202310699330.3在审
发明人： 李水清;王华;姚振虎 -专利权人：艾欧史密斯（中国）热水器有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： F24H1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种热水器及其控制方法，其中热水器包括：用于储水的第一内胆；用于对第一内胆中的水进行加热的第一加热元件；用于容纳相变材料的第二内胆；用于对第二内胆中的相变材料进行加热的第二加热元件；设置在第二内胆中用于和相变材料进行换热的热交换器；热交换器的进口与供水管路相连通，第一内胆的出水口用于连通温控阀；热水器还包括能与热交换器的出口、第一内胆的进水口、温控阀连通的水路切换装置。本方案通过水路切换装置可以使得热水器在多种水路连接状态之间进行切换，从而在热水器开始放水的不同时期切换至不同的水路连接方式，可以提高热水器持续供应的满足用户用水温度需求的热水量。
一种热水器及其控制方法

[实用新型]一种半导体紫光紫外激光器-CN202320891809.2有效
发明人：阚宏柱;李水清;请求不公布姓名;王星河;蔡鑫;陈婉君;张江勇 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本实用新型提出一种半导体紫光紫外激光器，该半导体紫光紫外激光器具有折射率系数梯度、禁带宽度梯度、介电常数梯度和电子有效质量梯度。通过设计折射率系数梯度和介电常数梯度，抑制上波导层和下波导层的光吸收损耗，降低内部光学损耗，改善有源层的折射率随高浓度载流子起伏引起的折射率色散，降低激射纵模的多模和模间变化，提升限制因子和模式增益以及相干性，改善远场FFP图像质量。通过设计禁带宽度梯度和电子有效质量梯度，降低空穴注入势垒，提升电子阻挡势垒，降低电子泄漏和去局域化，提升空穴注入效率，提升有源层的电子空穴注入均匀性，提升激光增益均匀性，改善增益谱变宽问题，提升峰值增益和斜率效率，降低阈值电流。
一种半导体紫光紫外激光器

[实用新型]一种半导体蓝光激光器-CN202320891286.1有效
发明人： 李水清;阚宏柱;请求不公布姓名;王星河;蔡鑫;陈婉君;张江勇 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种半导体蓝光激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，所述下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层之间具有电子有效质量梯度、压电极化系数梯度和自发极化系数梯度。本实用新型能够抑制压电极化效应，减轻量子限制Stark效应，提升电激射增益和增益均匀性，同时，抑制有源层的In组分涨落，降低激光器增益谱变宽，提升峰值增益，以及通过控制压电极化和自发极化梯度，提升InGaN的In并入及InN和GaN的互溶隙，抑制InN相分离和热退化，提升量子阱的晶体质量和界面质量，降低激光光谱的非均匀展宽，降低非辐射复合，消除光学灾变，提升激光器的斜率效率和使用寿命。
一种半导体激光器

[实用新型]一种半导体紫光紫外发光二极管-CN202320891903.8有效
发明人： 李水清;阚宏柱;请求不公布姓名;王星河;张江勇;蔡鑫;陈婉君 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种半导体紫光紫外发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、超晶格层、量子阱层和p型半导体，n型半导体、超晶格层、量子阱层和p型半导体之间具有电子有效质量梯度、热膨胀系数梯度和弹性系数梯度。热膨胀系数梯度和弹性系数梯度能够抑制量子限制Stark效应，降低空穴注入带阶，提升空穴注入效率，提升量子阱中电子空穴复合效率和紫光紫外发光二极管的外量子效率。电子有效质量梯度和热膨胀系数梯度组合能够进一步提升电子空穴的量子局域效应，抑制电子空穴被缺陷俘获几率，并降低量子阱中的电子空穴浓度差异和不匹配问题，从而降低紫光紫外发光二极管的老化漏电并进一步提升紫光紫外发光二极管的外量子效率。
一种半导体紫光紫外发光二极管

[实用新型]一种半导体绿光激光器-CN202320891623.7有效
发明人：阚宏柱;李水清;请求不公布姓名;王星河;陈婉君;蔡鑫;张江勇 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种半导体绿光激光器，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层之间具有热膨胀系数梯度、介电常数梯度和弹性系数C33梯度。热膨胀系数梯度和弹性系数梯度可提升激光器温度分布均匀性，降低热膨胀系数差异，提升热应力分布均匀性，降低热应力失配，抑制温度淬灭、激光器断裂、热透镜效应和应力双折射效应，改善激光光束去极化和失真，提升激光器光束质量因子和改善聚焦光斑分辨率。介电常数梯度和弹性系数梯度可改善热失配，降低阈值电流，提升输出光功率和斜率效率，改善光场耗散问题，抑制光场模式泄漏到衬底，提升远场FFP图像质量。
一种半导体激光器

[发明专利]一种半导体发光二极管-CN202310316701.5在审
发明人： 李水清;阚宏柱;请求不公布姓名;王星河;张江勇;陈婉君;蔡鑫;刘紫涵;黄军 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体发光二极管，包括由下至上依次相连的衬底、n型半导体、超晶格、浅量子阱、量子阱、电子阻挡层和p型半导体，所述n型半导体、超晶格、浅量子阱、量子阱、电子阻挡层和p型半导体中均掺杂有Mg和Si，其中，Mg掺杂与Si掺杂交叉点位于所述量子阱的第1～3个周期与所述浅量子阱最后1～3个周期的界面处，以使浅量子阱和量子阱形成老化漏电控制结构。本发明提供的一种半导体发光二极管，其有效减少Mg和Si掺杂元素的交叉，提升量子阱的量子局限效应，使得浅量子阱和量子阱可以形成老化漏电控制结构，令注入量子阱的电子和空穴被最大限度量子局域化，抑制电子和空穴被缺陷俘获，降低发光二极管在老化过程中漏电的产生几率。
一种半导体发光二极管

[发明专利]一种具有高电容插入层的半导体激光元件-CN202310378754.X在审
发明人： 李水清;请求不公布姓名;王星河;陈婉君;黄军;蔡鑫;张江勇;胡志勇 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光电器件的技术领域，具体涉及一种具有高电容插入层的半导体激光元件，结构上从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上波导层与电子阻挡层之间和/或下波导层与下限制层之间具有至少一层高电容插入层；所述高电容插入层Nb2CTx、Ti3C2Tx、Mo2Ti2C3Tx、In2Se3、AgInP2S6、MgIn2S4、CdIn2S4一种或任意组合构成；高电容插入层具有超高电容200‑1000Fg‑1(10Vs‑1)和超高功率密度7‑50mW/cm，形成强大的电容可使激光器的HBM人体模式ESD从1KV通过率95％以上提升至2KV通过率95％以上，并增强空穴的迁移率和空穴注入效率，提升激光器的量子效率。
一种具有电容插入半导体激光元件

[发明专利]一种半导体发光元件-CN202310640630.4在审
发明人： 李水清;王星河;陈婉君;蔡鑫;刘紫涵;张会康;黄军;请求不公布姓名 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提出了一种半导体发光元件，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、量子阱层和p型半导体，所述量子阱层与p型半导体之间设置有空穴注入层，所述空穴注入层具有电子有效质量、介电常数、禁带宽度、Al/O元素比例、In/O元素比例和Mg/O元素比例分布特性，从而提升空穴注入层中Mg的溶解度和离化效率，提升空穴注入层中空穴浓度，同时，降低空穴与量子阱的价带带阶，提升空穴注入量子阱层的注入效率，从而使半导体发光元件的内量子效率从70～80％提升至80～98％。
一种半导体发光元件

[发明专利]一种半导体发光元件-CN202310703498.7在审
发明人： 李水清;请求不公布姓名;王星河;蔡鑫;张江勇;刘紫涵;陈婉君 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光元件，该半导体发光元件包括从下到上依次层叠设置的衬底、n型半导体、浅量子阱、电子尖峰层、量子阱、电子阻挡层和p型半导体，其特征在于，浅量子阱的禁带宽度大于量子阱的禁带宽度；电子尖峰层的Si掺杂浓度大于量子阱的Si掺杂浓度；电子尖峰层的Si掺杂浓度呈倒V型曲线或倒U型曲线分布。采用本发明实施例，通过对浅量子阱与量子阱之间的禁带宽度、电子尖峰层的Si掺杂浓度及其分布趋势的设计，使浅量子阱、电子尖峰层和量子阱形成量子自旋轨道光耦合结构，从而降低量子阱的极化效应和Stark效应，提升空穴注入效率、增强量子阱中电子空穴辐合效率、提升量子阱的光提取效率和半导体发光元件的发光效率。
一种半导体发光元件

[发明专利]一种半导体发光二极管-CN202310662766.5在审
发明人： 李水清;请求不公布姓名;王星河;张江勇;蔡鑫;陈婉君;刘紫涵;胡志勇;黄军;蒙磊 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光二极管，该二极管包括从下到上一次层叠设置的衬底、n型半导体、浅量子阱、量子阱、电子阻挡层和p型半导体；量子阱由阱层和垒层组成周期结构，量子阱具有若干个周期；量子阱的Si掺杂浓度从浅量子阱向电子阻挡层方向的第一预设周期内逐渐下降；量子阱的Mg掺杂浓度从电子阻挡层向浅量子阱方向的第二预设周期内逐渐下降；量子阱中具有Si掺杂和Mg掺杂的交叉区域。采用本发明实施例，通过浅量子阱、量子阱和电子阻挡层形成狄拉克量子隧穿结构，使得电子和空穴在该狄拉克量子隧穿结构中无法通过扩散和漂移在量子阱中跃迁，进而使得电子和空穴仅通过狄拉克量子隧穿进行跃迁和辐射。
一种半导体发光二极管

[发明专利]一种半导体紫光紫外发光二极管-CN202310782298.5在审
发明人：张江勇;王星河;李水清;蔡鑫;胡志勇;张会康;请求不公布姓名 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体紫光紫外发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体、超晶格层、量子阱层、电子阻挡层和p型半导体，所述超晶格层与量子阱层之间设置有电子匹配层，所述量子阱层与电子阻挡层之间设置有空穴匹配层，所述超晶格层、电子匹配层、量子阱层和空穴匹配层组成电子空穴匹配控制层，所述电子空穴匹配控制层具有Si掺杂浓度变化趋势和Mg掺杂浓度变化趋势，所述超晶格层具有Al组分梯度和厚度梯度。本发明通过控制注入量子阱层的电子浓度和增强注入量子阱层的空穴浓度，以提升量子阱层中电子和空穴浓度的匹配程度，增强量子阱层电子空穴波函数的交叠几率，从而提升半导体紫光紫外发光二极管的量子效率和发光效率。
一种半导体紫光紫外发光二极管

[发明专利]一种具有二维声子与三维电荷传输层的半导体激光元件-CN202310534293.0在审
发明人： 李水清;王星河;张会康;黄军;胡志勇;蒙磊;季徐芳;陈三喜;张江勇 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种具有二维声子与三维电荷传输层的半导体激光元件。该半导体激光元件中的有源层与上波导层之间、有源层与下波导层之间具有二维声子与三维电荷传输层，该层为SnSe、AgSbT2、SnTe、ZrNiSn、Bi2Te3、NbFeSb一种以上组成的二维莫尔超晶格结构；该层能促进电子杂化，引入声子振动的局域应变调制，提升原子有序性，降低声子散射，同时增强相变诱导电子轨道重叠和二维声子与三维电荷传输，降低激光器的价带带阶，增强载流子局域化、空穴输运和激光元件的受激辐射，降低激光元件的激发阈值，增强双极性电导，提升室温内下连续振荡，增强限制因子和峰值增益，降低激光器的电压，提升激光元件的光功率和斜率效率。
一种具有二维三维电荷传输半导体激光元件

[发明专利]一种内置压电极化调控层的半导体激光元件-CN202310604539.7在审
发明人： 李水清;王星河;刘紫涵;蔡鑫;张江勇;马斯特;白怀铭;陆恩;周进泽;牧立一;徐浩翔 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种内置压电极化调控层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波导层之间和有源层与下波导层之间设有压电极化调控层；所述压电极化调控层为HfO2、NiCo2O4、CoFe2O4、FeF2、ZrO2的任意一种或任意组合；压电极化调控层在电流注入的电场作用下产生压电极化，调和有源层的自发极化和压电极化，降低量子限制Stark效应，降低激光元件的价带带接，提升空穴的注入效率和输运，提升激光元件的受激辐射和电激射增益，同时，缓解热失配导致的压电极化上升，降低激光元件的激发阈值，增强限制因子，提升激光元件的激射功率和斜率效率。
一种内置压电极化调控半导体激光元件