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- [发明专利]一种半导体激光器-CN202310838501.6在审
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李水清;王星河;张江勇;陈婉君;蔡鑫;请求不公布姓名
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安徽格恩半导体有限公司
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2023-07-10
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2023-10-20
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H01S5/068
- 本发明提供了一种半导体激光器，包括由下至上依次相连的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，在下限制层和下波导层之间依次设置有多层的闸流体抑制层，以在半导体激光器中形成多层具备不同碳、氢和氧含量浓度且碳、氢和氧含量浓度具备变化趋势的半导体激光结构。该半导体激光器通过在下限制层和下波导层之间依次设置有多层的闸流体抑制层，以在半导体激光器中形成多层具备不同碳、氢和氧含量浓度且碳、氢和氧含量浓度具备变化趋势的半导体激光结构，能有效抑制深能级缺陷中心，消除PN相互交错产生的结间电容并消除激光器在注入电流上升过程中在阈值处产生不连续或突变现象，解决结电压上跳，串联电阻下沉和电导上跳问题。
- 一种半导体激光器
- [实用新型]一种道路排水结构-CN202320827467.8有效
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李水清
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广东禹和建设工程有限公司
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2023-04-14
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2023-10-10
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E03F5/04
- 本实用新型公开了一种道路排水结构，涉及市政排水设备技术领域；而本实用新型包括排水井和井盖，井盖的上表面开设有环状分布的空腔，井盖和排水井之间设有固定机构，井盖的表面设有过滤机构；固定机构包括有四个移动块，移动块的一侧固定安装有限位凸块，排水井的内壁开设有环状分布的限位凹槽，限位凸块和限位凹槽的内壁水平插接，空腔的内壁开设有滑槽，滑槽的内壁滑动连接有滑块；通过将井盖放置在托环及密封圈的上表面，并驱动滑块水平滑动，滑块通过移动块使限位凸块水平移动，使限位凸块与限位凹槽的内壁水平插接，从而方便的实现了井盖的固定，进而有效的提高了井盖的稳定性，同时，避免井盖与排水井之间产生缝隙而带来安全隐患。
- 一种道路排水结构
- [实用新型]一种便于组装的通风糕点存储架-CN202320754190.0有效
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张绍主;李水清;刘杰成
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广州市美诚食品科技有限公司
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2023-04-06
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2023-09-29
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B65D25/24
- 本实用新型公开了一种便于组装的通风糕点存储架，涉及存储架技术领域，包括固定底座，固定底座的上端后侧设置有固定背板，固定底座的顶部前侧左右两端均安装有固定支架，两个固定支架的内侧均开设有第一限位滑槽，固定背板的前侧且位于两个固定支架的内侧设置有多组放置板。该便于组装的通风糕点存储架，第二限位滑槽的内部卡合连接有第二限位滑块，第二限位滑块的上端设置有分隔板，可调节分隔板的位置，便于适用于不同尺寸的糕点放置，提高分类存放的便捷性，拿取更加方便，分隔板的内部开设有若干个条形通孔，放置板的上端且位于两个第二限位滑槽的之间开设有若干个圆形通孔，便于放置板上的糕点进行全方位的通风，提高该存储架的工作效率。
- 一种便于组装通风糕点存储
- [实用新型]一种半导体紫外激光器-CN202320973870.1有效
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李水清;请求不公布姓名;王星河;蔡鑫;陈婉君;张江勇
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安徽格恩半导体有限公司
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2023-04-26
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2023-09-29
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H01S5/34
- 本实用新型提供了一种半导体紫外激光器，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、上限制层，所述有源层为阱层和垒层组成的量子阱；调控载流子起伏的折射率色散，提升激光限制因子，提升模式增益，同时，降低未离化Mg受主的内部光学损耗，降低光波导的吸收损耗；所述第一上限制层的Mg呈倒V型分布，第二上限制层的Mg呈U型分布，第三上限制层的Mg呈线性分布，第四上限制层的Mg呈L形分布，从而在上限制层形成多重二维电子气，降低Mg受主离化能，提升Mg离化效率和空穴的输运效率，从而提升空穴注入有源层的效率和有源层中电子空穴的对称性和匹配性，提升激光器的峰值增益和斜率效率。
- 一种半导体紫外激光器
- [发明专利]一种防止残留的馅料输送机-CN202310283318.4有效
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李水清;何连花;张绍主
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广州市锦诚食品有限公司
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2023-03-22
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2023-09-22
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B65G69/08
- 本发明提供了一种防止残留的馅料输送机，用于辅助馅料的下料以及对残留在料斗内壁的馅料进行刮除。防止残留的馅料输送机包括有底架和传送带等；两个底架之间设置有三个呈左右等距分布的传送带。本发明通过从料斗底部对馅料进行向下耙动的方式，使得馅料之间被第一连接板耙动的更为松散，避免了馅料在下料时，由于馅料的堆积和部分馅料存在黏性，从而使得下料不顺畅，而影响后续出料管的连续出料，严重的话将导致断料现象发生，同时也避免了现有技术中，对于下料时的不顺畅通常需要通过人工辅助按压，这样容易使得馅料被按压的紧实，而导致部分馅料粘结在一起，从而影响食用时的口感。
- 一种防止残留输送
- [发明专利]一种半导体激光元件-CN202310631210.X在审
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李水清;王星河;陈婉君;张会康;黄军;胡志勇;蔡鑫;刘紫涵
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安徽格恩半导体有限公司
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2023-05-31
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2023-09-19
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H01S5/34
- 本发明提供了一种半导体激光元件，包括从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层；所述上波导层与电子阻挡层之间设置有拓扑狄拉克电子点层，以及所述电子阻挡层与上限制层之间设置有拓扑狄拉克电子点层。所述有源层为阱层和垒层组成的周期结构，周期数为3≥m≥1；阱层为InGaN、InN、AlInN、GaN的任意一种或任意组合，厚度为10～80埃米；垒层为GaN、AlGaN、AlInGaN、AlN、AlInN的任意一种或任意组合，厚度为10～120埃米。本发明提供的一种半导体激光元件，通过设置的拓扑狄拉克电子点层的笼目晶格结构可产生电子与电子间的非局域效应，抑制电荷密度波和量子限制斯塔克Stark效应。
- 一种半导体激光元件
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