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[发明专利]一种用于分子筛分的超薄氧化石墨烯薄膜的制备方法-CN201710102224.7有效
发明人：曾高峰;戚本郁;何晓帆;张延风;李桂花;孙予罕 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： C25D13/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于分子筛分的超薄氧化石墨烯薄膜的制备方法，所述氧化石墨烯薄膜通过电泳法制备获得。具体通过带电荷的氧化石墨烯前驱体在水溶液中定向移动，从而在导电膜载体表面聚集成膜，电泳结束后，将电泳形成的膜进行固化。相比于传统方法制备氧化石墨烯薄膜，电泳法能够高效快速地制备超薄氧化石墨烯薄膜，并且制备的氧化石墨烯薄膜的机械强度高，膜层厚度可以控制在20‑400nm。同时，电泳法制备氧化石墨烯薄膜的过程中，可以利用电泳过程中的电化学反应改变氧化石墨烯薄膜前驱体的理化特性，从而对氧化石墨烯薄膜中的过滤筛分孔道进行控制，以达到控制筛分体系的目的，利用该氧化石墨烯薄膜可以实现气体分离、液体分离及离子分离。
一种用于分子筛分超薄氧化石墨薄膜制备方法

[实用新型]回收焦炉荒煤气余热用于脱苯和蒸氨的设备-CN201820170082.8有效
发明人：汤志刚;王光华;王登富;姜爱国;陈善龙;李桂花;孙兆俊;王斌 -专利权人：济南冶金化工设备有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： F27D17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了回收焦炉荒煤气余热用于脱苯和蒸氨的设备，包括上升管换热器、蒸氨再沸器、负压蒸氨塔、脱苯再沸器、负压脱苯塔、热介质槽、热贫油槽，上升管换热器的热介质出口与蒸氨再沸器连接、热介质出口与脱苯再沸器连接，脱苯再沸器与热介质出口连接，管道与负压脱苯塔连接，脱苯再沸器与热贫油槽连接，脱苯再沸器与热介质槽连接，蒸氨再沸器与热贫油槽、热介质槽连接，蒸氨再沸器与负压蒸氨塔连接，负压蒸氨塔与蒸氨再沸器连接；负压脱苯塔与热贫油槽连接，热贫油槽与热贫油循环泵连接，热贫油循环泵与脱苯再沸器、上升管换热器连接，另一路管道与热介质泵出口连接，热介质泵与热介质槽连接。
脱苯热贫油再沸器蒸氨再沸器热介质槽负压脱苯塔负压蒸氨塔热介质出口换热器上升管焦炉荒煤气槽连接热介质循环泵蒸氨余热本实用新型回收泵出口

[发明专利]一种叉指状测试结构-CN201710772516.1有效
发明人：蔚倩倩;李桂花;仝金雨;李辉 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种叉指状测试结构，包括：在第一方向上相对设置的多个金属结构；其中，所述金属结构包括：第一金属线结构；与所述第一金属线结构垂直设置连接的多条第二金属线结构；设置于相邻两条所述第二金属线结构之间的第三金属线结构；所述第三金属线结构为预设数量的短金属线之间按照预设距离进行依次排布，且排布方向垂直于所述第一金属线结构；所述第三金属线结构与所述第一金属线结构以及所述第二金属线结构之间均不连接；在所述第一方向上的所述第一金属线结构之间相互连接；在所述第一方向上的所述第三金属线结构中的相邻的短金属线之间相互连接。该叉指状测试结构可以精确定位失效点的位置。
一种叉指状测试结构

[发明专利]紫花针茅果实的清理方法-CN201610451727.0有效
发明人：杜燕;李桂花;张凤琼;张志峰;李德铢 -专利权人：中国科学院昆明植物研究所
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： B07B1/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种紫花针茅果实的清理方法。其步骤包括干燥紫花针茅果序；将紫花针茅果序分束放入不锈钢筛网中，戴上橡胶手套揉搓，使果实与大的果枝和芒分离，并落入下面的橡胶垫上；将果实和小的果枝残渣放到种子分离机中，选用合适风力将饱满果实与虫蛀果实、空瘪果实和大部分残渣分离；用筛网进一步筛除残渣；人工捡除剩余残渣；用纸袋包装清理完毕的果实。本发明针对现有紫花针茅果实难于清理，费时费力的问题，提出了一种快速清理紫花针茅果实的新方法，本方法能有效提高紫花针茅果实的清理效率和清理质量，减小其在冷库中占用的贮藏空间，并方便今后果实的取用。
紫花果实清理方法

[发明专利]一种在碳化硅表面生长石墨烯的方法及其应用-CN201710021554.3在审
发明人：葛瑞鹏;陈为;马翠杰;白晓芳;张佳舟;王白银;宋艳芳;李桂花;孙予罕;魏伟 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： C01B32/956 文献下载
摘要：本发明提供一种在碳化硅表面生长石墨烯的方法，包括以下步骤：1）将SiC粉末在还原气氛下，在600‑1200℃下进行预处理；2）再将步骤1）中经预处理后的SiC在惰性气氛下，在1100‑1800℃进行保温后，获得所需表面生长石墨烯的SiC。本发明进一步提供了上述方法制得的一种石墨烯与碳化硅复合物催化剂及其应用。本发明提供的一种在碳化硅表面生长石墨烯的方法及其应用，能够制备出高质量石墨烯/碳化硅复合物，作为催化剂，其性能得到了极大的提高，可以用于二氧化碳的光分解、光电催化还原二氧化碳、电催化还原二氧化碳、电解水中。
石墨烯碳化硅表面预处理碳化硅复合物二氧化碳催化剂生长应用光电催化还原还原二氧化碳表面生长还原气氛电催化光分解水中电解制备保温

[发明专利]一种修补载体表面缺陷的无机膜的制备方法-CN201610071348.9有效
发明人：曾高峰;戚本郁;何晓帆;李桂花;张延风;孙予罕 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2016-02-01 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种修补载体表面缺陷的方法及一种修补载体表面缺陷的无机膜的制备方法，包括以下步骤：1）将氧化石墨烯分散在水溶液中获得氧化石墨烯水溶液；2）向氧化石墨烯水溶液中加入一定浓度的表面活性剂获得修补液；3）利用浸涂提拉法将修补液制备在载体表面的缺陷上形成涂层；4)对涂层进行热还原固化；5)所述载体选自陶瓷膜管或多孔不锈钢管中的一种或多种。本发明利用浸涂提拉法将石墨烯膜制备在粗糙的载体表面的缺陷上并对涂层进行热还原固化。从而达到对载体表面缺陷进行修饰的目的。方便之后采用物理和化学方法在修补后的载体上制备无机膜。
载体表面制备修补无机膜氧化石墨烯水溶液热还原提拉法修补液浸涂固化多孔不锈钢管表面活性剂氧化石墨烯石墨烯膜陶瓷膜管修饰粗糙

[发明专利]东方铁线莲果实的清理方法-CN201610565732.4有效
发明人：杜燕;李桂花;周明芬;杨忠兰;张凤琼;李德铢 -专利权人：中国科学院昆明植物研究所
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： A01F25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种东方铁线莲果实的清理方法，其步骤包括：干燥东方铁线莲果序；戴上橡胶手套在橡胶垫上轻轻揉搓果序，使果实与果序轴、花柱分离；将果实、花柱、果序轴混合物放到种子分离机中，选用合适风力使饱满果实与空瘪果实、虫蛀果实、大部分花柱和果序轴分离；用筛网进一步筛除花柱和果序轴残渣；人工捡除剩余花柱和果序轴残渣；用纸袋包装清理完毕的果实。该方法简单易行，能节省大量清理时间；清理后的果实饱满率高，松散可分，非常方便后期果实的取用，并能有效减小其在冷库中的贮藏空间。该清理方法同时还适用于铁线莲属其它种果实的清理。
果实果序花柱铁线莲种子分离机铁线莲属橡胶手套纸袋包装贮藏空间揉搓混合物橡胶垫虫蛀减小冷库取用筛网松散风力

[发明专利]一种定位双位线桥接的方法-CN201510131880.0有效
发明人： 李桂花;仝金雨;刘君芳;郭伟;李品欢 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种定位双位线桥接的方法，通过增加一载体硅片，将双位线中的一根位线与载体硅片连接，然后对双位线进行逐段切割，根据位线的图像的明亮暗淡程度判断双位线桥接的位置，通过采用本发明的技术方案，快速高效实现了双位线桥接的定位，有效克服了传统双位线桥失效位置定位的耗时问题和容易损坏微弱的桥的问题。
双位线桥硅片位线半导体制造技术程度判断高效实现失效位置逐段耗时切割明亮图像

[发明专利]一种芯片截面抛光装置及抛光方法-CN201510616469.2有效
发明人：肖科;仝金雨;李桂花;谢渊;郭伟 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： B24B37/30 文献下载
摘要：本发明涉及半导体设备制作技术领域，尤其涉及一种芯片截面抛光装置及抛光方法，通过构建一包括装置本体、芯片载体的芯片截面抛光装置，其中装置本体中设置有两个水平仪并芯片载体设置为带有通孔的正方体结构，将附着有芯片的芯片载体固定于装置本体的卡槽中，翻转对芯片所有相邻的面抛光，抛光操作完成后，取下芯片载体，将转动是手柄插入通孔，控制转动手柄的位置，对芯片的各个角度进行观测，本技术方案，可以快速灵活实现对芯片相邻截面的抛光操作，省去了传统技术方案中需要反复固定/取下芯片的操作，同时，带有通孔的正方体载体可以作为扫描电镜的载体直接使用，同时可以实现对样品3D的观测效果。
芯片载体芯片抛光装置芯片截面装置本体抛光抛光操作取下通孔观测半导体设备正方体结构手柄插入通孔扫描电镜转动手柄翻转水平仪正方体附着构建转动灵活制作

[发明专利]一种GOI失效点无损定位方法及GOI失效分析方法-CN201610058397.9有效
发明人： 李桂花;仝金雨;刘君芳;郭伟;李品欢 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明涉及一种GOI失效点无损定位方法及GOI失效分析方法，包括步骤1，去除待分析样品的金属互连层，获取具有裸露salicide层的预处理待分析样品；步骤2，基于PVC法，采用电子束照射所述预处理待分析样品的salicide层，并观察其是否发亮；是，则所述待分析样品存在GOI失效点，执行步骤3；否，则所述待分析样品不存在GOI失效点，结束操作；步骤3，将电子束照射时发亮的salicide层切割成多个相对分离的区域；步骤4，再次基于PVC法，采用电子束照射所述区域，并找出所述区域中发亮的salicide层；步骤5，循环执行步骤3和步骤4，直至电子束照射时发亮的salicide层的大小不能进行切割时，结束操作。本发明实现GOI失效点的高精度定位，且整个定位过程不会导致GOI失效点的进一步破坏。
失效点分析样品电子束照射发亮预处理失效分析无损切割高精度定位金属互连层定位过程循环执行去除裸露观察

[实用新型]一种建筑施工用安全防护栏-CN201721260316.X有效
发明人： 李桂花;王艳芳 -专利权人： 李桂花
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： E04G21/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种建筑施工用安全防护栏，包括防护栏框架，防护栏框架内设有防护网，防护栏框架下端面左右两侧设有支脚，支脚下端面设有方形固定板，方形固定板下端面前后两侧均通过铰链连接有支撑板，方形固定板上固定有限位块，防护栏框架的左侧边上设有若干固定板一，防护栏框架的右侧边上设有与固定板一一一相对的固定板二，固定板一的下端面与相对应的固定板二的上端面相齐平，固定板一和固定板二上均设置有相适配的连接孔，连接孔内配合有螺栓，螺栓下端连接有螺母；本实用新型运输时占用空间小，运输方便，同时可根据需要将防护栏相互拼接，且拼接好的两个防护栏之间的角度可调节，可更好的满足实际需求。
固定板防护栏框架方形固定板下端面安全防护栏本实用新型螺栓建筑施工防护栏连接孔拼接螺母角度可调节铰链连接面相齐平实际需求运输方便占用空间左右两侧防护网支撑板上端适配位块下端支脚运输配合

[发明专利]一种高效复合型杀菌剂-CN201711310929.4在审
发明人：李瑞标;谢小兰;李桂花 -专利权人：佛山高富中石油燃料沥青有限责任公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： A01N59/20 文献下载
摘要：本发明所述一种高效复合型杀菌剂，其成分为：溴化十二烷基苄基铵25‑35％、异噻唑啉酮2‑7％、硫酸铜0.1‑0.2％和水60‑70％。杀菌效果显著，经实践发现还有去垢、增溶、粘泥剥离和清洗作用，在用量为50mg/L更加显著。
一种高效复合型杀菌剂

[发明专利]一种精确定位电迁移测试中空洞位置的方法-CN201711184304.8在审
发明人：蔚倩倩;李桂花;仝金雨;李品欢;刘慧丽 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种精确定位微电子器件电迁移测试中空洞位置的方法，将聚焦离子束机台切割以及纳米探针接地的作用应用到微电子器件电迁移测试中空洞位置的无损定位中，大大提高电迁移空洞定位的精确度，进而提高了电迁移失效分析的成功率及效率。
一种精确定位迁移测试空洞位置方法

[发明专利]一种环保型循环水缓蚀阻垢剂-CN201711310912.9在审
发明人：李瑞标;谢小兰;李桂花 -专利权人：佛山高富中石油燃料沥青有限责任公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： C02F5/14 文献下载
摘要：本发明所述一种环保型循环水缓蚀阻垢剂，包括如下组分按照质量比，HEDP 5‑15％、PBTC 5‑15％、AA/AMPS 15‑25％、DTPMP 5‑15％、锌2‑10％和水30‑50％。本发明具有以下优点(1)缓蚀性能较强，试管和挂片表面清洁，无点蚀和锈蚀，腐蚀速度在正常水质条件下达到很好级别，在苛刻水质条件下达到好级别。(2)具有优异的阻垢性能，在浓缩倍数为4.5‑5.5的条件下，其粘附速率在正常水质和苛刻水质条件下均达到很好级别。(3)具有较强的抗水质污染能力，在苛刻水质条件下仍可以控制腐蚀和结垢。
一种环保循环水缓蚀阻垢剂

[发明专利]字线漏电点的定位方法-CN201510003935.X有效
发明人：谢渊;李桂花;仝金雨;李品欢;肖科 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2015-01-05 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种字线漏电点的定位方法，通过聚焦离子束对样品中字线进行间隔的接地，之后多次截断具有漏电点区域的字线直至明暗电压对比发生变化，则明暗电压对比发生变化时所对应的最后一个截断的区域即为漏电点所在；该技术方案可以将漏电点处的范围控制在2um之内，同时在使用聚焦离子束机台对样品进行制备时，因样品尺寸较小可以增加样品的放大倍率，能够较好的观察到样品的异常信息。
漏电定位方法