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[发明专利]一种三维环栅半导体场效应晶体管的制备方法-CN201611113521.3有效
发明人：顾长志;郝婷婷;李无瑕;李俊杰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L29/775 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维环栅半导体场效应晶体管的制备方法，属于三维微纳器件技术领域。该方法包括如下步骤：提供一基底，在基底处形成电绝缘层，在电绝缘层形成功能结构层；在电绝缘层处形成一有源区，在有源区处获得自支撑功能结构层；在除自支撑功能结构层以外的其他区域处形成隔离层，并在自支撑功能结构层和隔离层处形成电介质层；在形成有自支撑功能结构层表面处施加金属材料形成三维环栅金属电极；在自支撑功能结构层和/或三维环栅金属电极处刻蚀出电极接触孔；在有源区和/或电绝缘层处形成电极接触块，并在电极接触块与电极接触孔之间形成引线，以将电极接触块和电极接触孔连通。本发明方法耗时少且成品率高，灵活性高，可设计性高。
一种三维半导体场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种三维等离激元光学聚焦结构的制备方法-CN201410269694.9有效
发明人： 李无瑕;李家方;牟佳佳;顾长志;李志远 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种三维等离激元纳米聚焦结构的制备方法，包括下列步骤：1)在透光的衬底上涂敷光刻胶；2)对光刻胶，利用激光直写设备，使激光直写体像素沿着一螺旋上升轨迹进行扫描曝光，所述螺旋上升轨迹的螺圈逐渐缩小，并且所述螺旋上升轨迹中上下相邻的螺圈的激光直写体像素互相交叠；3)对光刻胶进行显影、定影；4)制备金属层。本发明能够以易于实现的工艺，可重复地制作三维等离激元光学聚焦结构，所制备的光学结构能够使聚焦光斑达到亚波长甚至纳米尺度，且具有更好的可调制性。
一种三维离激元光学聚焦结构制备方法

[发明专利]一种制备三维环栅结构半导体场效应晶体管器件的方法-CN201510708503.9有效
发明人：顾长志;郝婷婷;李无瑕;李俊杰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备三维环栅结构半导体场效应晶体管器件的方法，通过以自支撑三维微纳米功能结构为载体，利用微纳加工技术以制备三维环栅结构半导体场效应晶体管器件，具体步骤如下：在所述自支撑三维微纳米功能结构表面制备第一电介质层；在前述样品上制备三维环栅金属电极；在前述样品上制备第二电介质层以达到源漏极金属引线与栅极的电隔离；在前述样品上刻蚀制备电极接触孔；电极接触块的制备及其与所述电极接触块孔的连接。本发明的方法所制备的晶体管器件具有有效的栅控特性，能各向同性调控源极与漏极之间的场效应，抑制边角效应，在微纳米级别提供较长且宽的沟道，更小的漏端寄生电容，减少漏端的电场扩散，有利于提高晶体管器件的性能。
一种制备三维结构半导体场效应晶体管器件方法

[发明专利]一种光纤探针及其制备方法-CN201510102095.2有效
发明人：李家方;李无瑕;牟佳佳;顾长志;李志远 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： G01Q60/22 文献下载
摘要：本发明提供一种光纤探针，包括具有光滑平整的光纤端面的光纤，制作在光纤端面上的连接平台，以及制作在连接平台上的锥形结构；连接平台中心具有与光纤芯适配的通光孔，连接平台的侧壁上设置有导流孔，所述锥形结构内部中空，且其底部开口与所述连接平台的通光孔适配，所述锥形结构的表面具有波纹。本发明还提供了相应的光纤探针的制备方法，包括：1)在光纤端面均匀地布置光刻胶；2)用三维激光直写设备对光刻胶进行曝光，得到所述连接平台和所述锥形结构的形状的曝光区；3)对光刻胶进行显影和定影，将内部未曝光区域的光刻胶通过导流孔排出。本发明同时具有高空间分辨率和高通光效率；不需要在探针附近配备外部光场激发系统，集成度高。
一种光纤探针及其制备方法

[发明专利]一种微流体通道导通性的判定方法-CN201610082008.6有效
发明人： 李无瑕;李俊杰;金凌;顾长志 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： G01M13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微流体通道导通性的判定方法，属于微纳米领域。通过在微流体通道内部填装跟踪试剂并冷却固化，然后采用聚焦离子束刻蚀技术在微流体通道不同位置获得横截面，最后通过扫描电子显微镜高分辨观测微流体通道横截面，来判定微流体通道导通性能，其样品制作工艺难度较低，检测用时较少，检测过程操作简便，同时，通过多个横截面的截取与扫描电镜的高分辨成像，其灵活性与准确度较高，是一种较为合适的判定微流体通道导通性的方法。
微流体通道判定导通性聚焦离子束刻蚀扫描电子显微镜高分辨成像准确度导通性能工艺难度过程操作冷却固化扫描电镜位置获得样品制作高分辨微纳米检测截取填装用时观测跟踪

[发明专利]具有光子导向性的单光子源的制备方法-CN201310529255.2有效
发明人： 李无瑕;姜倩晴;顾长志 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2013-10-31 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供一种具有光子导向性的单光子源的制备方法，包括：在金刚石块材中定位色心的位置；使用多组环形离子束图案组，在金刚石块材表面刻蚀出以色心为球心的半球形表面，在每组环形离子束图案组中，各环形离子束图案的环心错开，各环形离子束图案的内圈半径相等，各环形离子束图案的外圈半径相等，且各环形离子束图案的环心均匀分布在一个圆周上，各组环形离子束图案的内圈半径逐步缩小直至趋近于0，各组环形离子束图案的外圈半径逐步增大，使金刚石块材中形成围绕半球体的侧壁为抛物面，并且色心位于所述抛物面的焦点。本发明能够显著提高金刚石单光子源的单光子收集利用效率，并且使金刚石单光子源具有光子导向性。
离子束单光子源图案金刚石块导向性光子色心金刚石抛物面图案组环心内圈制备相等球心半球形表面表面刻蚀逐步缩小逐步增大半球体单光子错开侧壁焦点

[发明专利]自支撑三维器件及其制备方法-CN201510002824.7有效
发明人：刘哲;李俊杰;崔阿娟;李无瑕;顾长志 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2015-01-05 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种自支撑三维器件及其制备方法。包括S1提供一具有基本平坦的上表面的自支撑绝缘介质薄膜；S2在绝缘介质薄膜的上表面上形成导电层和至少一个具有预定图案的器件单元，以形成一复合层结构；S3对复合层结构进行切割，以得到至少一个与复合层结构成局部连接的悬空部；每一悬空部具有对应的一个器件单元；S4采用离子束辐照悬空部使得导电层发生变形，从而带动悬空部绕其与复合层结构的局部连接部向远离绝缘介质薄膜的方向弯曲；S5去除至少一部分导电层，得到绝缘的自支撑三维器件。该方法可在绝缘介质薄膜上制备三维结构且相互绝缘的微纳器件，具有可控性好、成本低且可大面积制备的优点。
支撑三维器件及其制备方法

[发明专利]一种可旋转夹具-CN201611219173.8在审
发明人： 李无瑕;金凌;杨盛焱;郝婷婷;李俊杰;顾长志 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种可旋转夹具，涉及一种夹具。本发明的可旋转夹具，用于固定应用在制备三维功能纳米结构中的支撑衬底，包括支柱、旋转支撑结构和固定底座。支柱用于支撑所述夹具。旋转支撑结构包括第一部件和第二部件，第一部件的一端与支柱活动连接，第一部件与第二部件在连接处连接并能相对旋转。固定底座固定连接于第二部件的一侧，用于夹持支撑衬底。固定底座随着旋转支撑结构的旋转而旋转到不同的角度，以使支撑衬底处于不同角度。本发明的夹具的结构简单，旋转支撑机构不仅能够沿着支柱翻转，且固定底座还能沿着旋转支撑机构旋转，使固定底座基本可以达到任意角度，使设置在固定底座上的支撑结构也可以达到任意角度，满足应用要求。
一种旋转夹具

[发明专利]一种微颗粒上制备测试电极的方法-CN201610008779.0有效
发明人：顾长志;李无瑕;金爱子;李俊杰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种微颗粒上制备测试电极的方法，涉及新型材料与器件的加工制备领域。本发明通过聚焦离子束/电子束双束系统在微颗粒的表面制备测试电极，具体步骤包括选取支撑衬底在所述支撑衬底上分散排布所述微颗粒；将分散排布后的微颗粒固定在所述支撑衬底上；在固定的微颗粒的表面加工电极条并将所述电极条延伸到所述支撑衬底上，在所述支撑衬底上沉积加工电极接触块，以实现所述测试电极的制备。本发明的微颗粒上制备测试电极的方法，通过聚焦离子束/电子束双束系统在微颗粒的表面制备测试电极，工艺步骤简单、难度低、耗时少、且具有较高的灵活性。本发明的方法，适用于一些非常规微尺寸器件。
一种颗粒制备测试电极方法

[发明专利]一种微纳米管状结构的加工方法-CN201610173915.1在审
发明人： 李无瑕;金凌;刘哲;李俊杰;顾长志;金爱子 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种微纳米管状结构的加工方法，属于三维微纳米结构与器件技术领域，其步骤包括：在基底上制备过渡层；在所述过渡层上制备纳米薄膜；将所述纳米薄膜与所述基底分离，得到分离后的纳米薄膜；将所述分离后的纳米薄膜转移到支架衬底上；将所述纳米薄膜进行平面内微纳米结构的加工，得到微纳米图形结构；将所述微纳米图形结构进行离子束辐照变形，得到微纳米管状结构的成品。本发明提供的一种微纳米管状结构的加工方法，能够高可控性、高精度、大面积、高效地制备微纳米管状结构的材料。
一种纳米管状结构加工方法

[发明专利]一种绝缘衬底上生长石墨烯的方法-CN201610008637.4在审
发明人：顾长志;徐世聪;李无瑕;李俊杰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种绝缘衬底上生长石墨烯的方法，涉及微纳米材料制备领域。本发明通过在绝缘衬底上依靠微颗粒生长出石墨烯，具体步骤包括：选取绝缘衬底并对其进行清洗；在清洗后的绝缘衬底上分散摆放微颗粒；把摆放微颗粒的绝缘衬底放置在热灯丝化学气相沉积系统中，生长制备出石墨烯；去除生长制备出石墨烯的绝缘衬底上的微颗粒，以获得生长在绝缘衬底上的石墨烯。本发明的绝缘衬底上生长石墨烯的方法，通过在绝缘衬底上依靠微颗粒可以生长出高质量的、图形化的石墨烯。本发明的生长石墨烯的方法，工艺难度较低、耗时较少、无需掩模板和光刻即可直接在绝缘衬底上生长出高质量的、图形化的石墨烯，为石墨烯器件的应用提供了有效的方法与途径。
一种绝缘衬底生长石墨方法

[发明专利]一种具有液体全超憎功能的三维结构的制备方法-CN201510881854.X在审
发明人： 李无瑕;郝婷婷;李俊杰;顾长志 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有液体全超憎功能的三维结构的制备方法，涉及三维微纳米加工技术。所述方法的具体步骤如下：选取用于支撑所述三维结构的衬底；在所述衬底上敷涂光刻胶；使用激光直写设备对所述光刻胶的预先设计区域进行曝光，形成曝光区；对所述曝光区的光刻胶进行显影、定影，获得所述三维结构。本发明的三维结构的制备方法，相对于现有技术中的加工方法，减少了多次进行刻蚀的工艺，工艺难度比较低，耗时较少，并且制成的三维结构具有较高的灵活性。本发明的三维结构的制备方法可重复性高，可以有助于提高成品率。
一种具有液体全超憎功能三维结构制备方法

[发明专利]一种用位图叠加制备二次微曲面结构的方法-CN201410840455.4有效
发明人：顾长志;姜倩晴;唐成春;李无瑕;金爱子;李俊杰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明是一种用位图叠加制备二次微曲面结构的方法，包括步骤如下：步骤S1：对待加工样品的表面做预处理；步骤S2：将待加工样品粘到聚焦电子/离子束双束系统的样品托上；步骤S3：将粘好待加工样品的样品托固定到聚焦电子/离子束双束系统的样品架上，对样品腔室抽真空；在聚焦电子/离子束双束系统的电子束下将待加工样品表面需要加工二次微曲面结构的位置调整到聚焦电子束与离子束共轴的位置；步骤S4：在合适的聚焦离子束系统成像放大倍数下，选择离子束加速电压与刻蚀束流大小，在待加工样品上需要进行二次微曲面结构加工的位置，按照设定刻蚀图形文件刻蚀加工二次微曲面结构。
一种位图叠加制备二次曲面结构方法

[发明专利]用于色心单光子收集的透镜的制备方法-CN201310528972.3有效
发明人：顾长志;姜倩晴;李无瑕;潘新宇;刘东奇;刘刚钦;常彦春 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2013-10-31 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于色心单光子收集的透镜的制备方法，包括下列步骤：1）在金刚石块材中定位一个色心的位置；2）使用多组环形粒子束图案组，在所述金刚石块材表面刻蚀出以所述色心为球心的扇状球形表面，其中每组环形粒子束图案组中各环形粒子束图案的环心错开且各环形粒子束图案的内圈半径相等，且各环形粒子束图案的环心均匀分布在一个圆周上，各组环形粒子束图案组的环形粒子束图案的内径逐步缩小直至趋近于0。本发明能够显著提高金刚石单光子源的单光子收集利用效率。本发明的制作工艺简单。本发明能够在聚焦离子束加工设备的精度有限的情况下，使金刚石半球透镜的外形更加平滑，使其单光子收集利用效率更加接近于理论值。
用于色心光子收集透镜制备方法

[发明专利]利用激光直写制备三维中空微纳米功能结构的方法-CN201210541023.4有效
发明人：顾长志;牟佳佳;李家方;李无瑕;姜倩晴 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明是一种利用激光直写制备三维中空微纳米功能结构的方法，通过表面功能化，获得三维微纳米功能结构的方法，其步骤包括：镂空衬底的选取与处理；镂空衬底在载物支撑基底上的放置；镂空衬底的载物支撑基底上光刻胶的滴定；激光直写光刻胶聚合物三维中空微纳米结构的制备；光刻胶聚合物三维中空微纳米结构的表面功能化；三维中空微纳米功能结构的修饰与处理，从而得到成品。本发明是一种基于双光子聚合作用在镂空衬底上制备各种高度、边长以及截面几何形状的光刻胶聚合物中空三维微纳米结构，然后通过功能化材料的生长与修饰处理，实现光刻胶聚合物中空三维微纳米结构的功能化，具任意复杂图形的批量、可重复、可设计、可控制备的特点。
利用激光制备三维中空纳米功能结构方法

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