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[发明专利]一种高集成度SRAM-CN202011246004.X有效
发明人：廖永波;冯轲;李平;李垚森;聂瑞宏;唐瑞枫;林凡 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本专利提出一种高集成度纳米墙结构SRAM及实现方法，相比传统在FINFET和GAA中的MOSFET而言，本专利中的MOSFET的栅极不必全包围沟道区，因此，集成密度大大提高；通过NMOS管占用1面侧墙，PMOS管占用3面侧墙来实现P管的宽长比为N管的宽长比的3倍，极大的减小了芯片面积；在同一面纳米墙上可以制做大量MOSFET，MOSFET间由绝缘体隔离，形成类似门海结构；由上述MOSFET构成六管单元SRAM，可大大提高集成度。
一种集成度 sram

[发明专利]一种新型互补MOS集成电路基本单元-CN201911306288.4有效
发明人：李平;廖永波;胡兆晞;唐瑞枫;曾祥和;林凡;邹佳瑞;李垚森;聂瑞宏;彭辰曦;冯轲 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种新型互补MOS集成电路基本单元，涉及微电子技术和半导体技术。本发明的新型互补MOS集成电路基本单元采用一种新型的TMOS结构，该结构为纵向结构，在纵向上分别设置有源极半导体区域、沟道半导体区域以及漏极半导体区域；在水平方向上四周环绕着栅极区域，栅极与沟道半导体区之间设置有栅介质层，底部漏极可通过刻槽的方式从外侧引出。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种新型CMOS基本单元，实现大规模集成电路集成度的显著提高；以及由于加入了轻掺杂漂移区，能够有效提升器件的耐压，降低沟道长度减小对器件和电路耐压的影响。
一种新型互补 mos 集成电路基本单元

[发明专利]一种FinFET集成电路基本单元-CN202111015860.9有效
发明人：廖永波;聂瑞宏;李平;冯柯;彭辰曦;刘玉婷;李垚森;杨智尧;刘金铭;刘仰猛 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种FinFET集成电路基本单元，涉及微电子技术和集成电路领域。该基本单元为多层结构，最下层为低掺杂阱区，该低掺杂阱区包括底层和在底层上脊状凸起；该脊状凸起两侧设置有隔离层，该隔离层上表面与低掺杂阱区脊状凸起的上表面齐平；顺着低掺杂阱区脊状凸起的上表面依次设置两侧面和上表面都齐平的：漏极半导体区、轻掺杂漏区、沟道半导体区、轻掺杂源区、源极半导体区；所述沟道半导体区的两侧面和上表面上设置有栅电极，并且该栅电极与沟道半导体区之间设置有一层栅介质层作为隔离。本发明包裹沟道区和N‑掺杂区的栅氧化层的介电常数不相同，在N‑区中可采用相对介电常数较大的材料，这样可以提升多子在N‑区表面的积累效应，减小其导通电阻，增大导通电流。
一种 finfet 集成电路基本单元

[发明专利]一种新型DRAM集成电路的结构-CN201911306287.X有效
发明人：廖永波;李平;林凡;李垚森;曾祥和;胡兆晞;唐瑞枫;邹佳瑞;聂瑞宏;彭辰曦;冯轲 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：一种新型DRAM集成电路的结构，涉及集成电路技术和半导体技术。本发明是基于一种新型的纵向柱状TMOS器件结构,最下层为N+掺杂衬底和N‑外延层作为漏极，中间是P外延层作为栅极沟道，最上方是N+锗硅外延层作为源极。柱状结构的外圈被氧化层包围，其中三面覆盖多晶硅层作为栅极，剩下一面覆盖金属层与MOS管的漏极形成电容。多晶硅上有一个引线孔，接字线。锗硅层上是另一个引线孔，接位线。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种DRAM结构，提供一种新型DRAM集成电路的结构，实现器件的小面积、高电流密度、低导通电阻，从而提高集成电路的集成度、存取速度，以及实现器件和集成电路安全工作电压的提高，而器件和集成电路的功耗仍比传统的器件和集成电路的功耗低。
一种新型 dram 集成电路结构

[发明专利]一种新型数字门集成电路的结构-CN202111304647.X在审
发明人：廖永波;李平;唐瑞枫;林凡;李垚森;曾祥和;胡兆晞;邹佳瑞;聂瑞宏;彭辰曦;冯轲 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种新型数字门集成电路的结构，涉及微电子技术和半导体技术。本发明由并列设置的至少两个纵向MOS管构成，所述纵向MOS管包括顺次重叠的漏区、漂移区、沟道区、源区，栅介质区环绕沟道区，在各个纵向MOS管中，包括至少一个MOS管串联组，所述MOS管串联组在电路关系上由一个PMOS管和一个NMOS管串联构成；在空间结构关系上，同一个MOS管串联组中的PMOS管和NMOS管共用同一个栅电极区；所述PMOS管的漏区和源区为p+半导体，漂移区为p‑半导体，沟道区为n+半导体；所述NMOS管的漏区和源区为n+半导体，漂移区为n‑半导体，沟道区为p+半导体。本发明实现了器件的小面积、大电流、低导通电阻。
一种新型数字集成电路结构

[发明专利]一种源区自对准垂直沟道MOS集成电路单元及其实现方法-CN202110249557.9在审
发明人：李平;胡兆晞;廖永波;聂瑞宏;彭辰曦;李垚森;冯轲 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术和集成电路领域，尤其涉及一种自对准MOSFET结构及其制造方法。基于此前提出的纵向基本单元结构，为了进一步提高集成度，本发明专利提出了一种新型的纵向器件结构的制造工艺和实现方法。由于更多地利用纵向上的空间，也通过源区自对准的特殊工艺，免去了器件表面开孔的面积占用，每个器件在平面维度上几乎只占用了源栅漏电极的有效区域，而不需要多余的面积占用，集成度大大提高。
一种对准垂直沟道 mos 集成电路单元及其实现方法

[发明专利]一种新型源极肖特基接触IGBT结构-CN202110249754.0在审
发明人：李平;林凡;廖永波;冯轲;李垚森;聂瑞宏;彭辰曦 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：一种新型源极肖特基接触IGBT结构，包括：集电极金属区，与所述集电极金属区上表面接触的P+型集电区，与所述P+型集电区上表面接触的N+型缓冲层，与所述N+型缓冲层上表面接触的N‑型漂移区，与所述N‑型漂移区上表面接触的P型沟道区，与所述P型沟道区上表面接触的肖特基接触金属源区，将所述P型沟道区和部分肖特基接触金属源区包围的环形结构栅电极，在栅电极与相邻功能层之间设置的一层栅介质层。本发明取缔了传统IGBT所寄生的晶闸管结构，解决了困扰着IGBT的闩锁效应，并且可以降低生产成本，减小器件面积，提高电流驱动能力，并降低导通电阻。
一种新型源极肖特基接触 igbt 结构

[发明专利]一种新型DRAM结构及实现方法-CN202110252584.1在审
发明人：李平;唐瑞枫;廖永波;彭辰曦;李垚森;聂瑞宏;冯轲 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种新型DRAM结构及实现方法，包括纵向环栅结构晶体管和沟槽电容器。其中纵向结构晶体管的栅极可以自定义实现单面、双面、三面或四面导电，具有极大的灵活性。同时，DRAM结构连接的电容采用沟槽电容器，其与纵向结构晶体管通过另一深沟槽进行隔离，沟槽既用于形成晶体管，同时也形成电容，该工艺方法完全兼容现有CMOS工艺，结构整体可以根据需要做在不同的P阱或N阱中，对应形成NMOSFET或PMOSFEET。计算结构和存储结构直接相连，可实现存算一体。
一种新型 dram 结构实现方法

[发明专利]一种带MOS开关的辐射离子探测器器件结构-CN202011236857.5在审
发明人：廖永波;聂瑞宏;李平;彭辰曦;李垚森;冯轲;杨智尧;刘金铭;刘仰猛;刘玉婷;徐璐;曾祥和;胡兆晞;唐瑞枫;林凡;邹佳瑞 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：一种新型的辐照离子探测器器件结构，涉及微电子技术和半导体技术。本发明是一种基于体硅增强型NMOS，并通过STI浅槽隔离在P衬底的有源区沟道之间增加一个辐照敏感区，该区域主要是由SiO2组成，当MOS位于工作状态且辐照总剂量较大时，在SiO2辐照敏感区感生出电子，从而形成漏源之间的漏电通道，以此来实现检测辐照的目的。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种带MOS开关的辐射离子探测器器件结构，通过计算器件的漏极电流Id，从而测量外界辐照总剂量的大小及外界的辐照影响。
一种 mos 开关辐射离子探测器器件结构

[发明专利]一种辐射粒子探测器器件结构-CN202011242677.8在审
发明人：廖永波;彭辰曦;李平;聂瑞宏;李垚森;冯轲;杨智尧;刘金铭;刘仰猛;刘玉婷;徐璐;曾祥和;胡兆晞;唐瑞枫;林凡;邹佳瑞 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：一种辐射粒子探测器器件结构，涉及微电子技术和半导体技术。本发明的辐射粒子探测器器件结构在p型硅衬底表面设置有掺杂区，导电沟道和STI区，其中绝缘的STI区将导电沟道隔离开。本发明解决的技术问题是：提供一种辐射粒子探测器器件结构，在未受到辐照时，器件不导通，没有电流流过。在受到一定剂量的辐照后，STI区内产生大量正电荷，在STI与硅衬底交界面附近感应出一圈反型层，作为导电沟道，器件导通。本发明中的器件工作在p阱中，与其他器件隔离，且兼容CMOS工艺，可集成度高，可用于在太空空间中探测辐照。
一种辐射粒子探测器器件结构

[发明专利]一种垂直沟道SRAM集成电路结构-CN202010580478.1在审
发明人：廖永波;李平;李垚森;曾祥和;胡兆晞;唐瑞枫;邹佳瑞;林凡;聂瑞宏;彭辰曦;冯珂 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种垂直沟道SRAM集成电路结构，涉及微电子技术和半导体技术。本发明的SRAM由6个新型MOS管构成，每个MOS管是纵向结构，设置有锗硅材料源极、沟道、轻掺杂漏极以及环形栅。本发明所要解决的关键技术问题是：利用一种新型MOS管设计SRAM基本单元。新型MOS管共栅极，用锗硅做源极，可以省去金属通孔和互联线的面积。轻掺杂漏极可以提高耐压，不再依赖特征尺寸。四面环形栅极增大对沟道的控制能力，减小阻抗。纵向结构通过外延生长，避免了多次光刻，节省了工艺流程和成本。
一种垂直沟道 sram 集成电路结构

[发明专利]一种小比导通电阻的MOSFET理想开关结构-CN201911306118.6在审
发明人：廖永波;李平;曾祥和;胡兆晞;唐瑞枫;林凡;李垚森;邹佳瑞;聂瑞宏;彭辰曦;冯轲 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：新型小比导通电阻的MOSFET理想开关结构，涉及半导体器件以及相关的工艺实现方法。本发明的新型小比导通电阻的MOSFET理想开关采用纵向、四面栅极的器件结构。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种新型小比导通电阻的MOSFET理想开关结构及其工艺实现方法，通过采用N型MOSFET、N‑漂移区和四面沟道的结构，以及半导体材料的选择，增大了导通电流密度，降低了导通电阻，突破了摩尔定律，消除了寄生BJT，大幅减小了器件面积；同时，优化了工艺实现流程，使器件实现的工艺简化，且不再受光刻精度的限制。
一种通电 mosfet 理想开关结构

[发明专利]一种新型数字门集成电路的结构-CN201911306273.8在审
发明人：廖永波;李平;唐瑞枫;林凡;李垚森;曾祥和;胡兆晞;邹佳瑞;聂瑞宏;彭辰曦;冯轲 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种新型数字门集成电路的结构，涉及半导体器件及集成电路技术领域。本发明的一种新型数字门集成电路的结构为纵向N型或P型TMOS，在纵向上分别设置有源极区域、半导体沟道区域以及漏极区域；在水平方向上四周环绕着栅极区域，栅极与沟道半导体区之间设置有栅介质层，底部漏极区域可通过引线孔从外侧引出。可用此基本单元构成与门、与非门、或非门。本发明所要解决的关键技术问题是：提供一种新型数字门集成电路的结构，该结构的栅极环绕器件体区，当栅极加上合适的偏置时，会形成四面沟道，加大了栅控能力，提高了导通时的电流密度。且新结构的沟道区不由光刻工艺完成，沟道长度不再受到光刻精度的限制。同时，通过采用窄禁带材料做源区并在漏区前端加入N‑漂移区结构，实现器件的小面积、大电流、低导通电阻，从而提高集成电路的集成度。
一种新型数字集成电路结构

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