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[发明专利]用于以高选择性去除二氧化硅的干式清洁设备和方法-CN201880077945.X有效
发明人：金仁俊;李佶洸 -专利权人：艾斯宜株式会社
申请日： 2018-10-05 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于以高选择性去除二氧化硅的干式清洁设备和方法，并且在反应过程中，根据预定的时间周期来提供RF电源、含氟气体和含氢气体中的至少一个的开和关，因此将至少一部分二氧化硅转变成六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)，同时防止氮化硅变成六氟硅酸铵，并且在反应过程之后进行的退火过程中，通过退火去除六氟硅酸铵，从而选择性地去除二氧化硅。根据本发明，仅可以高选择性蚀刻二氧化硅的同时，在清洁在其上形成有二氧化硅和氮化硅的基板的过程中抑制氮化硅的不必要的蚀刻。
用于选择性去除二氧化硅清洁设备方法

[发明专利]原位干洗方法和装置-CN201880060920.9有效
发明人：金仁俊;李佶洸;朴在阳;林斗镐 -专利权人：艾斯宜株式会社
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于去除形成在硅基板上的氧化物或氮化物的干洗方法，该干洗方法包括：反应产物生产步骤，其中通过将与所述氧化硅或所述氮化硅反应的反应气体供应到以布置在腔室内的状态被加热的所述硅基板，将所述氧化硅或氮化硅中的至少一部分转化为六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)；以及反应产物去除步骤，其中通过将经加热的传热气体供应到形成有六氟硅酸铵的硅基板，去除所述六氟硅酸铵。根据本发明，可以在一个腔室中执行生成和去除六氟硅酸铵的工艺以去除形成在基板上的氧化硅或氮化硅，因此可以提高生产率和硬件稳定性。
原位干洗方法装置

[发明专利]基板处理方法和装置-CN201880060924.7有效
发明人：金仁俊;李佶洸;朴在阳;林斗镐 -专利权人：艾斯宜株式会社
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于去除形成在硅基板上的氧化硅或氮化硅的基板处理方法，包括以下步骤：通过将与氧化硅或氮化硅反应的反应气体供应到以布置在腔室内的状态被加热的硅基板，将氧化硅或氮化硅中的至少一部分转化为六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)；通过将未经等离子体处理的惰性气体供应到已生成六氟硅酸铵的硅基板来去除六氟硅酸铵；以及通过将经加热而转变为激发态的含氢气体喷射到去除了(NH4)2SiF6的硅基板上来去除残留在硅基板的表面上的含氟(F)的残留物。根据本发明，可以使用被加热至预定温度的含氢气体去除在干洗期间残留在表面上的氟，从而可以显著提高氟的去除效率和生产率。
处理方法装置

[发明专利]使用等离子体和蒸汽的干式清洁设备-CN202080034382.3有效
发明人： 李佶洸;林斗镐;吴相龙;朴在阳 -专利权人：艾斯宜株式会社
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：根据本发明的一种使用等离子体和蒸汽的干式清洁设备包括：腔室，所述腔室具有在其上表面部分上形成的上供应端口，具有在其下表面部分上形成的排放端口，具有在其侧表面部分上形成的侧供应端口，并且提供清洁空间；卡盘，所述卡盘联接到所述腔室的所述下表面部分，并且包括非晶硅、多晶硅、氧化硅或氮化硅的单晶硅基板布置在所述卡盘上；RF电极，所述RF电极联接到所述腔室的所述上表面部分，并且被施加RF功率；上喷头，所述上喷头联接到所述RF电极，以便与所述腔室的所述上表面部分上形成的所述上供应端口连通，并且具有在其上形成的多个上喷射孔；下喷头，所述下喷头联接到所述腔室的所述侧表面部分，具有多个第一下喷射孔，具有在其上形成的允许与所述侧供应端口连通的多个第二下喷射孔，并且电接地；反应气体供应单元，所述反应气体供应单元用于通过所述腔室的所述上表面部分上形成的所述上供应端口供应反应气体；以及蒸汽供应单元，所述蒸汽供应单元用于通过所述腔室的所述侧表面部分上形成的所述侧供应端口供应热蒸汽。
使用等离子体蒸汽清洁设备

[发明专利]使用等离子体和蒸汽的干式清洁方法-CN202080034449.3有效
发明人： 李佶洸;林斗镐;吴相龙;朴在阳 -专利权人：艾斯宜株式会社
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：一种根据本发明的使用等离子体和蒸汽的干式清洁方法包括：反应步骤，在反应腔室中通过使用等离子体处理的反应气体将在单晶硅基板上形成的非晶硅、多晶硅、氧化硅或氮化硅转化为包含六氟硅酸铵的反应物；转移步骤，将其上形成有所述反应物的所述硅基板转移到与所述反应腔室分开地设置的反应物去除腔室；以及反应物去除步骤，用通过在所述反应物去除腔室的上表面部分中形成的蒸汽供应端口供应的高温蒸汽喷射所述反应物，以使所述反应物蒸发，并且将所蒸发的反应物与所述高温蒸汽一起通过在所述反应物去除腔室的下表面部分中形成的排放端口排放。
使用等离子体蒸汽清洁方法

[发明专利]用于干洗半导体基板的等离子体装置-CN201880081187.9有效
发明人：金仁俊;李佶洸;林斗镐;朴在阳;金珍泳 -专利权人：艾斯宜株式会社
申请日： 2018-11-09 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于干洗半导体基板的等离子体装置，其能够精确地控制构成等离子体的反应性活性物质(自由基)的密度和分散性。本发明包括：卡盘，该卡盘设置在腔室下端部，并且在该卡盘上布置上面形成有硅、氧化硅和氮化硅中的一种或多种的基板；CCP型RF电极单元，其包括布置在等离子体产生区域上方的上RF电极和布置在等离子体产生区域下方的下RF电极；和RF电源单元，其向RF电极单元供应具有第一RF频率的第一RF功率和具有低于第一RF频率的第二RF频率的第二RF功率，其中通过具有第一RF频率的第一RF功率产生并维持等离子体，以用于将氧化硅和氮化硅中的至少一种改变为六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)，并且通过具有第二RF频率的第二RF功率供应来控制构成等离子体的反应性活性物质(自由基)的密度。
用于干洗半导体等离子体装置

[发明专利]用于高选择性去除氧化硅的干清洁方法-CN201980055227.7在审
发明人： 李佶洸;林斗镐;朴在阳;吴相龙 -专利权人：无尽电子有限公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于高选择性去除氧化硅的干清洁方法。本发明包括：将与氧化硅和氮化硅反应的含氟气体和含氢气体供应到放置在腔室内并在其上形成有氧化硅和氮化硅的基板的反应操作，从而将氧化硅和氮化硅的至少一部分转化为含有六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)的反应层；以及通过退火来去除形成在氧化硅上的所述反应层，并保留形成在氮化硅上的所述反应层的退火操作，其中，重复进行反应操作和退火操作，直到完全去除所述氧化硅。根据本发明，在清洁其上形成有氧化硅和氮化硅的基板的过程中，可以仅高选择性地蚀刻氧化硅，同时抑制不必要的氮化硅蚀刻。
用于选择性去除氧化清洁方法

[发明专利]用于选择性去除多晶硅的干洗装置和方法-CN201880074637.1在审
发明人：金仁俊;李佶洸 -专利权人：无尽电子有限公司
申请日： 2018-10-05 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于选择性去除多晶硅的干洗装置和方法。本发明包括：将等离子体态的含氟气体和非等离子体态的含氢气体供应至基板，该基板上形成有氧化硅、氮化硅和多晶硅，由此将氧化硅和氮化硅的表面改变为六氟硅酸铵，从而形成保护层；停止供应含氢气体并连续供应等离子体态的含氟气体，由此通过氟自由基选择性去除多晶硅；最后为保护层去除步骤，通过退火去除由六氟硅酸铵制成的保护层。根据本发明，通过将形成在基板上的氮化硅和氧化硅的表面改变为六氟硅酸铵((NH4)2SiF6)固体层并将该六氟硅酸铵固体层用作保护层，可以选择性蚀刻多晶硅。
用于选择性去除多晶干洗装置方法

[发明专利]清洗衬底表面的方法-CN200580015945.X无效
发明人： 李佶洸;金正浩 -专利权人： PSK有限公司
申请日： 2005-05-10 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种使用等离子体的表面清洗装置和方法，以从硅衬底表面去除自然氧化层、化学氧化层和损伤部分以及从金属表面去除污染物。H和N的混合气体被用作第一工艺气体。通过在等离子体生成器与衬底之间的接地栅格或隔板中吸收电势，使得仅基团能够到达衬底。HF被用作第二工艺气体。因此，在通过H₂流进行退火的步骤中，硅衬底上形成的自然氧化层、化学氧化层或损伤部分被去除。通过在对每个晶片加工之后引入调节气体，腔室的环境被保持为恒定。因此，改进了工艺再现性。
清洗衬底表面方法

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