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[发明专利]半导体装置-CN202311099723.7在审
发明人：丁琦;彭路露;李仁雄;黄俊;何坤芹 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体装置，其包括：电容器，设置在后段工艺(BEOL)层中；以及电感器，设置在后段工艺层上方的远后段工艺(Far‑BEOL)层中，其中，电感器堆叠在电容器上方并且电连接到电容器。根据本公开的半导体装置实现了电容器和电感器的单芯片堆叠集成，其中电容器和电感器可以占用相同的芯片面积，从而能够获得设计紧凑、高集成度、制造工艺简单等技术效果。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202211636914.8在审
发明人：黄俊;彭路露;李仁雄;丁琦;何坤芹 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体装置，其包括P型衬底；设置在P型衬底上的N型埋层，以及设置在N型埋层上的LDMOS器件，其中LDMOS器件包括：N型源接触区和与N型源接触区邻接的P型体接触区，二者设置在P型阱中；N型漏接触区，设置在高压N型阱中，高压N型阱邻接P型阱；栅介质，从N型源接触区的上表面延伸到高压N型阱的上表面；以及多个第一LOCOS结构，设置在高压N型阱的上表面上，多个第一LOCOS结构具有条形形状并且沿其宽度方向彼此平行地依次排列在栅介质和N型漏接触区之间。根据本公开的半导体装置具有高击穿电压、低比导通电阻和高开关速度的优点。
半导体装置

[发明专利]半导体衬底、半导体器件及其制备方法-CN202211722937.0在审
发明人：朱克宝;霍秋月;李仁雄;彭路露;宁宁 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体衬底、半导体器件及其制备方法，该制备方法对所述绝缘层进行图形化处理，在绝缘层中形成贯穿绝缘层的多个导热孔，然后于衬底上沉积绝缘导热材料，该绝缘导热材料至少填满导热通道以形成绝缘导热通道，绝缘导热材料的热导率选用远大于绝缘层的热导率的材料，SOI器件产生的热量，可以通过绝缘导热通道快速散热，从而可以有效解决SOI器件的自加热效应，保证SOI器件沟道载流子速度和沟道电流强度。
半导体衬底半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种埋入式键合工艺三维集成方法-CN202011222378.8有效
发明人： 李仁雄;陈世杰;吴罚;唐昭焕;张斌 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/98 文献下载
摘要：本公开涉及三维集成技术领域，尤其涉及一种芯片埋入式键合工艺三维集成方法：在载片上依次制造TSV通孔、PAD结构；所述载片与目标载片键合；在所述载片背面挖槽，凹槽深度小于待埋入芯片厚度，预固定所述埋入芯片，沉积介质层覆盖所述埋入芯片；进行芯片间的金属互联。本公开采用芯片埋入工艺，通过W2W的键合，键合效率大大提升，可实现同质、异质多芯片的三维集成，灵活性强。
一种埋入式键合工艺三维集成方法

[发明专利]一种深海电子系统压力测试方法及装置-CN202111407802.0在审
发明人：段凯原;周要;杨鸣远;刘浩平;彭勃;汤树芳;李仁雄;廖津余 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种深海电子系统压力测试方法及装置，测试样本设置于密闭的压力容器内，通过密封接头将关键点位引出，方法包括：在测试样本不上电驱动情形下，对压力容器进行升压，当升压至目标测试压力时进行降压，直至降压至普通大气压；响应于对压力容器进行升压，当升压至目标测试压力时进行降压，直至降压至普通大气压的步骤循环执行第一设定次数，对测试样本供电并在上电驱动情形下进行电气性能测试。本发明方案针对深海作业装备中的电子系统及模块进行自承压过程的耐压性能测试，基于压力循环的不带电压力测试方式，可以快速暴露出大部分电子物料的结构性缺陷，对外表现为变形、破损、永久性失效等现象，尤其适用于多个电子元器件批量筛选。
一种深海电子系统压力测试方法装置

[发明专利]半导体装置及其制备方法-CN202211527432.9在审
发明人： 李仁雄;黄俊;丁琦;彭路露;宁宁 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制备方法，在器件中加入负电容结构，实现了一种将逻辑器件与闪存结构在同一工艺平台制造的制备方法，具有设计和工艺简单，制造成本低的优点。本发明通过控制相应器件栅氧层和负电容介质层的厚度，控制嵌入式快闪存储器、逻辑核心器件及输入输出器件的等效负电容值的范围，可以使得所述嵌入式快闪存储器被控制工作在双稳态区域，从而实现稳定的闪存储存功能，所述逻辑核心器件和输入输出器件被控制工作在无迟滞态区域，从而实现逻辑器件功能。
半导体装置及其制备方法

[发明专利]混合键合方法及键合用衬底-CN202110260636.X有效
发明人： 李仁雄;陈世杰;吴罚 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种混合键合方法及键合用衬底，包括如下步骤：提供一第一晶圆，所述第一晶圆表面具有第一介质层；在所述第一介质层中形成沟槽；在所述沟槽内填充金属，形成金属焊盘，所述金属焊盘突出于第一介质层的表面；在金属焊盘的间隙处形成第二介质层，所述第二介质层以一预定高度突出于金属焊盘的表面；提供一第二晶圆，并重复上述步骤形成相同的结构；将第一晶圆与第二晶圆预键合，接触面为突出的第二介质层表面；退火，使金属焊盘接触形成混合键合结构。本发明通过精确控制介质层的沉积厚度来控制金属焊盘的凹陷深度，工艺简单，容错率高。
混合方法合用衬底

[发明专利]用于检测金属栅扩散的半导体结构及检测方法-CN202211525665.5在审
发明人：丁琦;黄俊;李仁雄;彭路露;宁宁 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种用于检测金属栅扩散的半导体结构及检测方法，在制备金属栅极的同时制备检测金属栅极，且使得检测金属栅极跨越多个有源区并与至少一个有源区接触，且使得对应设置的检测栅极金属接触与源区金属接触之间的距离大于对应设置的栅极金属接触与源区金属接触之间的距离，从而在对金属栅极进行金属扩散检测时，拉长的检测金属栅极接出的检测栅极金属接触的位置由于经过数个有源区及隔离结构从而可及时有效的检测出导通电流较小的金属扩散效应，以能适时的改善制作工艺，进而稳定器件效能，确保产品良率及后续可靠性的评估。
用于检测金属扩散半导体结构方法

[发明专利]半导体装置-CN202211622976.3在审
发明人：黄俊;彭路露;李仁雄;丁琦;何坤芹 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体装置，其包括P型衬底、设置在P型衬底上的N型埋层以及设置在N型埋层上的LDMOS器件。LDMOS器件包括：N型源接触区和与N型源接触区邻接的P型体接触区；源电极，设置在N型源接触区和P型体接触区上；N型漏接触区；漏电极，设置在N型漏接触区上；栅介质，从N型源接触区的上表面延伸到N型漏接触区的上表面并且邻接漏电极；半导体层，设置在栅介质上，半导体层的边缘与栅介质的边缘对准，半导体层包括在靠近源电极的一侧形成的栅接触区；以及栅电极，设置在栅接触区上，半导体层具有使栅介质暴露的开口区域。根据本公开的半导体装置具有高击穿电压、低比导通电阻和高开关速度的优点。
半导体装置

[发明专利]一种高压MOSFET器件及其制作方法-CN202211525792.5在审
发明人：潘伯津;朱克宝;李仁雄;彭路露;宁宁 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种高压MOSFET器件及其制作方法，该方法包括以下步骤：形成第一堆叠结构、第二堆叠结构于半导体层上，第一堆叠结构位于高压区并包括层叠的高压区栅氧化层与第一硬掩膜层，第二堆叠结构位于核心区并包括层叠的核心区栅氧化层、多晶硅伪栅极层及第二、第三硬掩膜层；形成侧壁保护层；形成研磨停止层及第一层间介质层并减薄直至显露高压区栅氧化层、多晶硅伪栅极层的顶面；替换多晶硅伪栅极以得到核心区金属栅并对其进行CMP；形成补偿氧化层及高压区金属栅。本发明在将多晶硅伪栅极替代为金属栅极后，高压区与核心区的膜层高度相差不大，不会影响核心区金属栅CMP的负载，且后续通过重新铺设补偿氧化层可以补齐高压区需求的EOT。
一种高压 mosfet 器件及其制作方法

[发明专利]晶圆堆叠方法、晶圆堆叠结构和半导体封装-CN202011104660.6有效
发明人： 李仁雄;陈世杰;吴罚 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：公开了一种晶圆堆叠方法、晶圆堆叠结构和半导体封装，该方法包括：在第一晶圆中形成第一硅通孔；在所述第一晶圆的对应所述第一硅通孔的位置上，形成第一焊盘；在所述第一晶圆的靠近所述第一焊盘的一侧，将所述第一晶圆键合到第二晶圆；在所述第一晶圆的背离所述第一焊盘的一侧，形成至少一个第一凹槽；在所述至少一个第一凹槽中埋入至少一个第一芯片；以及在所述第一晶圆的靠近所述至少一个第一芯片的一侧，形成第一金属布线。
堆叠方法结构半导体封装

[发明专利]一种基于全电驱的海底履带作业机器人动力及控制系统-CN202210859734.X在审
发明人：张定华;朱建波;丁荣军;涂绍平;彭勃;刘浩平;李仁雄;杨鸣远;廖津余;吴旋;周要 -专利权人：上海中车艾森迪海洋装备有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： B25J5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于全电驱的海底履带作业机器人动力及控制系统，包括：水面控制系统、水下电子舱和若干电驱电机，所述水面控制系统与水下电子舱通讯连接，所述水下电子舱与电驱电机电连接，所述电驱电机分别连接并驱动海底作业机器人的各个驱动机构。由水面控制系统发出控制指令，通过光纤传输到水下电子舱，由水下电子舱再传输到独立的电驱电机。相比于阀控方式，电控方式指令传输速度非常快，大大提高了控制响应速度，可实现对履带速度的实时调节控制，从而可以精准控制海底作业机器人的行走轨迹。
一种基于全电驱海底履带作业机器人动力控制系统

[发明专利]自主水下探测系统、方法及自动回收和布放AUV的方法-CN202210381521.0在审
发明人：刘可安;尚敬;李仁雄;唐智锋;汤树芳;段凯原;吴旋;周要;刘浩平;郭维;杨鸣远;彭勃;廖津余;黄忠 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： B63B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种自主水下探测系统、方法及自动回收和布放AUV的方法，包括：AUV，用于根据所分配到的水下探测子任务进行水下自主探测；无人船支持平台，包括无人船及搭载在所述无人船上的平台控制器和布放回收系统，所述布放回收系统用于根据所述平台控制器的布放和回收指令相应地对所述AUV进行自动布放和回收，所述布放回收系统包括：绞车、水下拖曳式对接装置、机械臂。通过配置的机械臂、绞车和水下拖曳式对接装置协同联动，实现对AUV的自动布放和回收，有效地解决了AUV作业中布放和回收的技术难题。
自主水下探测系统方法自动回收 auv

[发明专利]无线充电接收端、AUV、无线充电方舱及自主水下探测系统-CN202210383054.5在审
发明人：刘可安;尚敬;刘浩平;李仁雄;乐文韬;郭维;唐智锋;段凯原;汤树芳 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司;上海中车艾森迪海洋装备有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H02J50/40 文献下载
摘要：本发明提供一种无线充电接收端、AUV、无线充电方舱及自主水下探测系统。AUV的无线充电接收端，其特征在于，包括：接收线圈，沿所述AUV内表面周向铺设，所述接收线圈包括并联的多组；与所述并联的多组接收线圈一一对应的多组参数调整模块，每组所述参数调整模块包括整流器和DC‑DC变换器，每组所述接收线圈的输出端连接相应的所述整流器的输入端，所述整流器的输出端连接所述DC‑DC变换器的输入端，所述多组参数调整模块中的DC‑DC变换器的输出端共同连接所述AUV中蓄电池的输入端。通过设置多组并联的接收线圈，可以最大程度的接收无线充电发射端传输来的电能，提高电能传输的效率。
无线充电接收 auv 自主水下探测系统

[发明专利]一种水下机器人的能源补给装置及方法、无人船-CN202210383298.3在审
发明人： 李仁雄;唐智锋;周要;杨鸣远;郭维;段凯原;廖津余;汤树芳;黄忠;祝鹏 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B60L53/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种水下机器人的能源补给装置及方法、无人船，解决了无人船和水下机器人进行能源补给时依赖人工操作，且作业风险较大，效率较低的问题。所述水下机器人的能源补给装置包括：充电方舱；无线充电器，设置在所述充电方舱内；电能存储单元，设置在所述充电方舱外，与所述无线充电器电连接；电能转换单元，设置在所述充电方舱外，与所述电能存储单元连接，用于将光能转换成电能，并将电能存储在所述电能存储单元内。
一种水下机器人能源补给装置方法无人

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