“朴安洙”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体存储装置的有源电阻器阵列-CN202211444569.8在审
发明人： 朴安洙;金雅兰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储装置的有源电阻器阵列，所述有源电阻器阵列包括：第一有源电阻器，在第一有源电阻器区中；第二有源电阻器，在第一有源电阻器区中并且与第一有源电阻器平行布置，隔离元件层置于第一有源电阻器与第二有源电阻器之间；第三有源电阻器，形成在第二有源电阻器区中；第一选择晶体管，形成在第一选择晶体管区中并且连接到第二有源电阻器；以及第二选择晶体管，形成在第二选择晶体管区中并且连接到第三有源电阻器。第一选择晶体管和第二选择晶体管连接到同一栅极层。第一选择晶体管和第二选择晶体管的栅极层位于隔离元件层上。由于示例实施例可以帮助确保布局图案的均匀性，因此由于工艺变化的减少而可以改善有源电阻的分布。
半导体存储装置有源电阻器阵列

[发明专利]半导体器件-CN202210611593.X在审
发明人： 朴安洙;金雅廪;申昊文 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：外围电路区域，包括位于衬底上的电路元件，所述电路元件是用于提供页缓冲器和行译码器的元件；以及单元区域，包括栅电极层和沟道结构，所述栅电极层在与所述衬底的上表面垂直的第一方向上堆叠并连接到行译码器，所述沟道结构在所述第一方向上延伸以穿透所述栅电极层并连接到所述页缓冲器。所述行译码器包括在第一电源电压下操作的高电压元件和在比所述第一电源电压低的第二电源电压下操作的低电压元件。在所述高电压元件当中，至少一个第一高电压元件位于掺杂有具有第一导电类型的杂质的第一阱区中。至少一个所述低电压元件位于围绕所述第一阱区并掺杂有具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的杂质的第二阱区中。
半导体器件

[发明专利]存储器设备-CN202110641034.9在审
发明人：曹溶成;姜仁昊;朴安洙;朴曾焕;申东夏;郑在元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：提供了一种存储器设备。该存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；和页面缓冲器电路，设置在包括沿第一水平方向设置的主区域和高速缓存区域的页面缓冲器区域，并且包括在主区域中沿第二水平方向彼此相邻的第一页面缓冲器单元和第二页面缓冲器单元。第一页面缓冲器单元的第一读出节点包括第一下金属图案和第一上金属图案，第一上金属图案电连接到第一下金属图案。第二页面缓冲器单元的第二读出节点包括第二下金属图案和第二上金属图案，第二上金属图案电连接到第二下金属图案，并且在第二水平方向上不与第一上金属图案相邻。
存储器设备

[发明专利]竖直存储器装置和制造竖直存储器装置的方法-CN201811183812.9在审
发明人： 朴安洙;金成勋;郭判硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本公开提供了竖直存储器装置和制造竖直存储器装置的方法，所述装置包括：单元阵列，其包括在第二方向上彼此间隔开的多个单元区，每个单元区包括规则排列的多个竖直沟道；在第二方向上延伸的位线，所述位线在与第二方向交叉的第一方向上彼此间隔开；以及位线接触部分，它们分别将竖直沟道与位线电连接，其中，每个单元区包括被构造为在第二方向上电隔离单元区的子隔离区，子隔离区在第一方向上延伸，在每个单元区中，竖直沟道根据在第二方向上与子隔离区相距的距离分为多类，并且位线接触部分被构造为将每条位线电连接至具有不同类型的至少两个竖直沟道。
竖直存储器装置单元区沟道位线隔离区位线接触电连接单元阵列方向交叉隔离单元规则排列延伸上电制造相距

1
共 4 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top