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[发明专利]一种基于槽栅结构可三维集成的新型堆叠Trench MOS器件及方法-CN202310047402.6在审
发明人： 朱少立;孙建洁;李燕妃;吴建伟 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体功率技术领域，特别涉及一种基于槽栅结构可三维集成的新型堆叠TrenchMOS器件及方法，包括：N型衬底，所述N型衬底上方设有第一N型轻掺杂漂移区，在第一N型轻掺杂漂移区上设有第一P型轻掺杂基区，第一N型轻掺杂漂移区内部左上方与第一P型轻掺杂基区左侧设有第一沟槽，第一沟槽右侧的第一P型轻掺杂基区上方设有第一N型重掺杂源/漏区，并且第一N型重掺杂源/漏区通过右侧延伸至表面，第一P型重掺杂基区位于第一P型轻掺杂基区右上方并延伸至表面，第二N型轻掺杂漂移区设于第一N型重掺杂源/漏区上方，并且其通过右侧延伸至表面，第二P型轻掺杂基区设于第二N型轻掺杂漂移区上方；用于减小器件总面积以及提高集成度。
一种基于结构三维集成新型堆叠 trench mos 器件方法

[实用新型]多汽道蒸发结晶设备-CN202223265634.9有效
发明人：尹友中;邓梁;朱少立 -专利权人：长沙中联重科环境产业有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： B01D1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多汽道蒸发结晶设备，包括：横向卧式设置的加热筒装置及加热搅拌装置，加热搅拌装置沿加热筒装置的长度方向延伸并伸出加热筒装置后，其两端分别转动支撑于加热筒装置的两端面上。加热筒装置和加热搅拌装置上还均分别设有蒸汽入口和冷凝水出口，蒸汽入口供外部一次蒸汽分别进入加热筒装置和加热搅拌装置，以对加热筒装置内腔中的料液进行内外同步加热。加热筒装置上还设有供待处理的料液进入的进料口，及供加热蒸发产生的二次蒸汽向外排出的蒸汽出口。本实用新型设备，加热结构简单、可靠、安装维护简单，且可在增加加热筒装置单位体积的加热面积，提高换热面积的同时，还实现料液的内、外同步加热，系统换热效率也相应提高。
多汽道蒸发结晶设备

[发明专利]一种嵌入三维堆叠Trench MOS的功率集成器件-CN202211593951.5在审
发明人： 朱少立;吴建伟;李燕妃;孙建洁 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开一种嵌入三维堆叠TrenchMOS的功率集成器件，属于半导体功率器件领域，包括集成于同一芯片上的半桥结构单元、独立VDMOS单元和控制单元；所述半桥结构单元位于芯片的右侧，为上下结构，包括上下两个纵向VDMOS器件；所述独立VDMOS单元设于芯片的左下方；所述控制单元位于芯片的左上方。本发明将控制单元、半桥结构单元、独立VDMOS单元集成在一个芯片上，与使用分立器件组成电路相比，有利于减小电路面积，提高芯片集成度；控制单元可根据芯片实际需求进行设计，在提高芯片集成度的同时，可使集成器件精准应用。
一种嵌入三维堆叠 trench mos 功率集成器件

[实用新型]高效换热的MVR系统-CN202223236580.3有效
发明人：邓方平;唐山青;胡熠;朱少立;邓梁;蔡正文 -专利权人：长沙中联重科环境产业有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B01D1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效换热的MVR系统，其通过将蒸汽压缩机排出的高温高压蒸汽与主换热器中冷却降温后的蒸馏液在蒸汽液化器内混合，实现蒸汽与蒸馏液直接接触，蒸汽快速冷凝，蒸馏液快速升温再经过蒸馏液循环泵输送至主换热器的热侧，实现高温蒸馏液的循环利用。并且，输入的原液在主换热器内与高温蒸馏液进行强制对流换热，采取的是液‑液换热模式，相比于现有MVR系统的气‑液换热模式，大大提升了传热系数，节省了换热面积，大幅降低了主换热器的质量和占地空间，从而降低了成本和后期维护难度，并且，换热分布更加均匀，主换热器不易结垢，清洗周期较长，提高了系统的工作效率。
高效 mvr 系统

[发明专利]一种基于碳纳米管的集成电路场间互连方法-CN202310049883.4在审
发明人：翟培卓;洪根深;王印权;郑若成;郝新焱;朱少立 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种基于碳纳米管的集成电路场间互连方法，属于集成电路制造领域。在半导体晶圆上制造电路有源区，并将需要场间互连的金属端口布置到单颗芯片的边缘位置；利用光刻技术，在晶圆表面的金属端口位置制造光刻胶开口；在光刻胶开口中形成金属催化层，并在金属催化层上表面形成金属阻挡层；去除上一步骤中残留的光刻胶后，在晶圆表面重新涂覆光刻胶；利用光刻技术，在晶圆表面需要场间互连的两个金属端口之间制造光刻胶开口通道；在开口通道中填充碳纳米管；去除上一步骤中残留的光刻胶后，在填充碳纳米管的晶圆表面形成钝化层。本发明利用碳纳米管作为集成电路场间互连的通道，电流承载能力强，传输带宽大，并能避免电迁移问题。
一种基于纳米集成电路互连方法

[发明专利]一种抗辐射高压ESD半导体器件-CN202110279594.4有效
发明人：李燕妃;朱少立;王蕾;谢儒彬;顾祥;吴建伟;洪根深;贺琪 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种抗辐射高压ESD半导体器件，属于半导体技术领域。本发明在P型阱区和N型阱区的上表面引入P型漂移区，P型漂移区与N型阱区之间的耐压决定了ESD器件的触发电压，该耐压与PMOS器件的击穿结构一致，因此电路工作中将保护内部器件，避免发生ESD损伤。在P型阱区的表面引入P型第一重掺杂区，增加了寄生三极管NPN器件的基区浓度，降低基区输运系数，避免单粒子辐射情况下，高压ESD器件提前开启，从而提高器件的抗单粒子闩锁能力，同时还提高了器件的维持电压。埋氧化层上面的P型埋层降低了寄生NPN三极管发射结并联电阻，提高寄生NPN三极管的开启门限，从而进一步提高ESD器件的抗单粒子闩锁能力。
一种辐射高压 esd 半导体器件

[发明专利]一种集成抗辐射高压SOI器件及其制造方法-CN202110294943.X有效
发明人：李燕妃;孙家林;朱少立;谢儒彬;顾祥;吴建伟;洪根深;贺琪 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种集成抗辐射高压SOI器件及其制造方法，属于半导体领域。在高压PMOS器件和高压ESD器件中同时形成第三P型掺杂区，高压ESD器件的触发电压由第三P型掺杂区和N型外延层的结击穿决定，根据电路的工作电压，可以进行该结击穿设计。集成的高压ESD器件，在第二P型掺杂区的表面引入第三P型掺杂区，增加了寄生三极管NPN器件的基区浓度，降低基区输运系数，避免单粒子辐射情况下，高压ESD器件提前开启，从而提高器件的抗单粒子闩锁能力，同时还提高了器件的维持电压。埋氧化层上面的第一P型掺杂区降低了寄生NPN三极管发射结并联电阻，提高寄生NPN三极管的开启门限，从而进一步提高ESD器件的抗单粒子闩锁能力。
一种集成辐射高压 soi 器件及其制造方法

[发明专利]非易失性高速FPGA的存储模块、器件及SOI工艺实现方法-CN202210378272.X在审
发明人： 朱少立;吴建伟;李燕妃;王印权;谢儒彬;崔青;唐登轩 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路半导体技术领域，具体涉及一种非易失性高速FPGA的存储模块、器件及其SOI工艺实现方法，包括P型衬底、埋氧化层、STI隔离区、隧穿介质层、电荷存储层、阻挡介质层、第一栅氧化层、第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、逻辑重掺杂区、P型体区、逻辑体区、P型体接触区、多晶硅栅电极、体接触金属和体接触孔；所述FPGA器件器件集成在SOI衬底上，其结构包括SONOS存储模块、低压开关管和逻辑模块；存储模块采用双SONOS非易失性存储单元，存储单元之间共用第一N型重掺杂区，同时存储模块采用P型体接触区隔离而非STI隔离，大大地减小了芯片面积，提高FPGA的集成度，降低工艺成本。
非易失性高速 fpga 存储模块器件 soi 工艺实现方法

[发明专利]可编程的电源开关器件及其制备方法-CN202110289715.3有效
发明人：张海良;施辉;徐何军;宋思德;曹利超;王印权;朱少立;吴建伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种可编程的电源开关器件及其制备方法，涉及集成电路技术领域，所述可编程的电源开关器件包括：高压可编程MOS管和高压开关MOS管；所述高压可编程MOS管为NMOS管，所述高压开关MOS管为NMOS管或者PMOS管；所述高压可编程MOS管和所述高压开关MOS管共用多晶硅浮栅和多晶硅控制栅，且通过高密度等离子HDP介质隔离。也即电源开关器件可以直接提供电路使用的开关管，而无需额外存储器进行配置，降低电路设计复杂度和减少电路输出延迟，可用于精准的多电压输出电源管理类芯片的输出。
可编程电源开关器件及其制备方法

[发明专利]一种抗辐射Sense-Switch型pFLASH开关单元结构及其制备方法-CN201710478345.1有效
发明人：刘国柱;洪根深;赵文斌;曹利超;朱少立 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗辐射Sence‑Switch型pFLASH开关单元结构及其制备方法，其通过浮栅电荷共享的方式实现编程/擦除管对信号传输管的开关态，实现电荷共享方式为BTBT编程和FN擦除方式；所述抗辐射FLASH开关单元是制作在硅基的深N阱中，并通过STI实现信号传输管与编程/擦除管的有源区有效隔离；所述信号传输管栅氧层与编程/擦除管隧道氧化层是同膜层、是采用掺N氧化工艺实现；其余均采用业界标准工艺制作完成。本发明抗辐射Sence‑Switch型pFLASH开关单元工艺简单，兼容于CMOS工艺，不仅具有良好的电荷保持特性、耐久性、阈值窗口宽，而且具有抗总剂量能力强、编程效率高等优点。同时，本发明抗辐射Sence‑Switch型pFLASH开关单元体硅CMOS工艺集成方法也适用于SOI CMOS工艺。
一种辐射 sense switch pflash 开关单元结构及其制备方法

[发明专利]移动式污水处理车-CN201710983781.4有效
发明人： 朱少立;张帆 -专利权人：长沙中联重科环境产业有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： C02F3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种移动式污水处理车，包括移动式汽车底盘和安装于汽车底盘上的集装箱，集装箱内部集成有MBR污水处理系统。本发明采用汽车底盘作为集装箱内MBR污水处理系统的转载工具，起到随来随用、灵活转场的作用，最大程度地提高了污水处理车的使用范围，可以一车多用，降低单位污水处理的成本，特别适用于多点小量污水的处理；而集装箱主要起到容纳集装箱内MBR污水处理系统，以实现占地面积小，操作简单的目的。
移动式污水处理

[发明专利]一种用于SOI工艺的介质隔离结构及其方法-CN201610833270.X有效
发明人：李燕妃;朱少立;吴建伟;洪根深 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于SOI工艺的介质隔离结构及其方法，该隔离结构包括P型衬底、埋氧化层、SOI材料顶层硅、全介质隔离槽、部分介质隔离槽、线性氧化层和氧化层或氧化绝缘层，全介质隔离槽和部分介质隔离槽位于SOI材料顶层硅内且在埋氧化层的上方；线性氧化层位于全介质隔离槽和部分介质隔离槽的内表面；氧化层或氧化绝缘层被线性氧化层包围，且位于全介质隔离槽和部分介质隔离槽的内部，线性氧化层位于隔离槽和SOI材料顶层硅之间。本发明不仅提高集成电路的抗辐射能力，同时简化大线宽工艺条件下厚硅膜SOI全介质隔离工艺的复杂度和难度，突破一次性形成场区和全介质隔离区，并保证硅表面形貌平坦。
一种用于 soi 工艺介质隔离结构及其方法

[发明专利]抗辐射PIP型ONO反熔丝结构及CMOS工艺集成法-CN201610841682.8有效
发明人：刘国柱;洪根深;赵文斌;吴建伟;朱少立;徐静;刘佰清 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2018-10-30 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及抗辐射PIP型ONO反熔丝结构及CMOS工艺集成法，ONO反熔丝结构制作在场区之上；由下至上包括反熔丝下极板、反熔丝孔腐蚀掩蔽层、ONO反熔丝介质层、反熔丝上极板，反熔丝下极板为N型饱和掺杂的非晶硅薄膜，覆盖于场区上，反熔丝下极板的侧壁采用SPACER保护，反熔丝下极板的正上方设置贯通反熔丝孔腐蚀掩蔽层的反熔丝孔，反熔丝孔腐蚀掩蔽层覆盖于有源区、反熔丝下极板上，ONO反熔丝介质层覆盖于反熔丝孔腐蚀掩蔽层上，并填充在反熔丝孔内，反熔丝上极板是N型饱和掺杂的多晶硅薄膜。本发明能提升ONO反熔丝结构的单元抗辐射性能，缩小集成单元面积，优化ONO反熔丝结构设计，提高ONO反熔丝工艺的集成度。
辐射 pip ono 反熔丝结构 cmos 工艺集成

[发明专利]抗辐射Sence‑Switch型nFLASH开关单元结构及其制备方法-CN201710478341.3在审
发明人：刘国柱;洪根深;赵文斌;曹利超;刘佰清;朱少立 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗辐射Sence‑Swtich型nFLASH开关单元结构及其制备方法。按照本发明提供的技术方案，所述Sence‑Switch型nFLASH开关单元是制作在SOI顶层硅P阱中，并被STI隔离槽全介质隔离；所述的Sence‑Switch型FLASH开关单元是通过浮栅多晶硅实现了编程/擦除管与信号传输管电荷共享；所述的编程/擦除管的隧道氧化层和信号传输管的栅氧化层是采用掺N工艺与HTO结合的加固双栅氧工艺实现，其余均采用业界标准工艺制作完成。本发明抗辐射Sence‑Switch型nFLASH开关单元工艺简单，兼容于CMOS工艺，不仅具有良好的电荷保持特性、耐久性、阈值窗口宽，而且具有抗总剂量和单粒子能力等优点。同时，本发明抗辐射Sence‑Switch型nFLASH开关单元SOI工艺集成方法也适用于体硅CMOS工艺。
辐射 sence switch nflash 开关单元结构及其制备方法

[发明专利]抗辐射鳍型沟道双栅场效应晶体管及其制备方法-CN201510072358.X有效
发明人：谢儒彬;吴建伟;朱少立;洪根深;汤赛楠 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗辐射鳍型沟道双栅场效应晶体管。所述场效应晶体管包括衬底、隐埋氧化层、P型重掺杂层、P型轻掺杂层、N型掺杂层和金属栅极。N型掺杂层形成源区、漏区和连接块。P型重掺杂层的掺杂浓度大于或等于源区和漏区的掺杂浓度。连接块往下至隐埋氧化层表面与P型重掺杂层和P型轻掺杂层形成有鳍型沟道。在P型重掺杂层和P型轻掺杂层的侧面淀积有高介电常数介质层，金属栅极分布在鳍型沟道的两侧，金属栅极的两侧淀积有栅侧墙。本发明由于P型重掺杂层的存在，引入的正电荷并不能使其发生反型，通过这种方法阻止了源漏之间漏电通道的产生，有效减少了源漏漏电。
辐射沟道场效应晶体管及其制备方法

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