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[发明专利]风电机组发电机故障评估模型训练方法和故障诊断方法-CN202211271026.0在审
发明人：安阳明;马昆;朱小芹;吴江海;金超 -专利权人：北京天泽智云科技有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G06F18/214 文献下载
摘要：本发明提供一种风电机组发电机故障评估模型训练方法，包括：通过对获取到的发电机的原始振动数据和原始温度数据进行特征提取，将提取的特征输入待训练模型，以得到融合指标序列，再基于融合指标序列和预设的映射关系，以及各个特征对应的贡献度，确定风电机组发电机的故障类型和故障模式；基于原始融合指标序列和预测融合指标序列中的残差特征调整模型参数，得到风电机组发电机故障评估模型。通过上述方式能够更有效地训练得到风电机组发电机故障评估模型，有效提高风电机组发电机故障评估模型的数据处理效力，有效应对批量数据的快速处理，且能够及时对风电机组发电机可能存在的故障类型和故障模式进行预警。
机组发电机故障评估模型训练方法故障诊断

[发明专利]一种相变异质结薄膜、相变存储器及其制备方法与应用-CN202310253794.1在审
发明人：吴卫华;姜星辰;顾晗;朱小芹 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种相变异质结薄膜、相变存储器及其制备方法与应用，一种相变异质结薄膜，结构通式为[SbxTe5‑x(a)/GaySb5‑y(b)]n，其中0.02x5，0.02y5，a和b分别表示单个周期中SbxTe5‑x薄膜和GaySb5‑y薄膜的厚度，且1a25nm，1b25nm，n为纳米复合多层结构相变薄膜的总周期数，且1n24，所述相变异质结薄膜的总厚度为10‑240nm。与Ge2Sb2Te5材料相比较而言，相变异质结[SbxTe5‑x(a)/GaySb5‑y(b)]n功能薄膜兼有多态存储、热稳定性高和相变速度快的优点，可以应用于人工智能时代背景下的神经形态计算。
一种相变异质结薄膜存储器及其制备方法应用

[发明专利]一种可用于相变存储器件的新型相变薄膜材料与制备方法-CN202310581154.3在审
发明人：郑龙;朱小芹;吴晓庆;薛建忠;裴明旭 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种可用于相变存储器件的新型相变薄膜材料与制备方法，所述相变薄膜材料包括：至少一层CrxGeyTez，其中0x1，0y1，0z1；且yz，x+y+z＝1。该相变薄膜材料在升温过程中，存在两次可逆相变，包括首先发生的晶态的GeyTez(表示为GT)相的生成，以及在更高的温度下晶态的Cr2Ge2Te6(表示为CrGT)相的生成。基于所述相变薄膜材料的相变存储器件，在SET和REST过程中将同时伴随着GT与CrGT的晶化与非晶化过程，进而使该相变存储器件具有高稳定性、低操作电压的特点。本发明的制备方法还具有工艺简单、成本低廉、与原有制备工艺兼容等优点。
一种用于相变存储器件新型薄膜材料制备方法

[发明专利]基于PI柔性衬底的Ge-Te相变存储薄膜及其制备方法与应用-CN202310660740.7在审
发明人：吴卫华;顾晗;府博文;周晓辰;张培;朱小芹 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提供了基于PI柔性衬底的Ge‑Te相变存储薄膜及其制备方法与应用，Ge‑Te相变存储薄膜的化学通式为GexTe10‑x(1x9)，厚度范围在140‑200nm之间；其制备方法包括：将纯度高达99.999％的Ge5Te5作为溅射靶材，进行单靶共溅射，通入高纯氩气作为工作气体，采用PI作为衬底材料进行表面沉积。本发明解决了柔性器件在实际应用过程中存在的机械变形的问题，且本发明中的制备方法成本低，工艺可控性强，易于大规模生产。
基于 pi 柔性衬底 ge te 相变存储薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料及其制备方法和应用-CN202011493415.9有效
发明人：吴卫华;黄玉凤;徐胜卿;朱小芹 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料及其制备方法和应用，由Ti金属层和Sb金属层在基层材料上交替沉积复合而成，将Ti金属层和Sb金属层作为一个交替周期；膜结构表达通式为：[Tix/Sby]a，其中x为单层Ti金属层的厚度且1nm≤x＜10nm；y为单层Sb金属层的厚度且1nm≤y＜10nm；a为Ti金属层和Sb金属层的交替周期数且2≤a＜10；x、y、a满足40nm≤(x+y)×a≤60nm，其中(x+y)×a代表所述总膜厚；采用磁控溅射法制得。本发明的Ti/Sb多层纳米复合相变存储薄膜材料具有较好的热稳定性及较高的数据保持能力。
一种 ti sb 多层纳米复合相变存储薄膜材料及其制备方法应用

[发明专利]基于PEEK衬底的多层纳米复合相变存储薄膜材料及其制备和应用-CN202211100122.9在审
发明人：胡益丰;曹丽雯;高士伟;朱小芹 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开一种基于PEEK衬底的多层纳米复合相变存储薄膜材料及其制备和应用，该薄膜材料是将Ge2Sb2Te5、Sb金属层在柔性PEEK衬底上交替沉积复合而成的，其化学通式为[Ge2Sb2Te5(xnm)/Sb(ynm)]a，xnm为单层Ge2Sb2Te5层的厚度且1nm≤x nm10nm；ynm为单层Sb层的厚度且1nm≤y nm10nm；a为Ge2Sb2Te5层和Sb层的交替周期数，2≤a10；该相变存储薄膜材料在具有柔性的基础上具备较好的热稳定性，晶化速度加快，解决了传统Ge2Sb2Te5相变材料热稳定性差的问题，应用在相变存储器中可提升器件的综合性能，发展前景广阔。
基于 peek 衬底多层纳米复合相变存储薄膜材料及其制备应用

[发明专利]一种多级相变V2-CN201910146169.0有效
发明人：胡益丰;徐永康;朱小芹;邹华 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种多级相变V2O5薄膜材料及其制备方法和应用。利用反应沉积法在磁控溅射的过程中发生钒与O2的反应并沉积于衬底，通过控制Ar气与O2气流量及溅射气压，生成V2O5，而不是钒的其他氧化物。所制得的V2O5薄膜在200～300nm厚度下的可逆相变过程中均出现非晶态、中间态和晶态三个不同相，呈现出3个不同电阻值，相较于传统的两态存储，本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有更高的存储密度；且本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有较快的相变速度，其10年数据保持温度达到200℃，远大于传统Ge2Sb2Te5材料的85℃，具有较好的热稳定性。本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有较高的产业应用价值。
一种多级相变 base sub

[发明专利]一种Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料及其制备方法和应用-CN202110549019.1有效
发明人：吴卫华;徐胜卿;黄玉凤;朱小芹 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提供一种Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料及其制备方法和应用，所述纳米相变存储薄膜材料化学表达式为YxSb(1‑x)，其中0.01x0.70。所述纳米相变存储薄膜材料具有较高结晶温度和数据保持力，较大的非晶态/晶态电阻比以及较好的热稳定性，能够应用于相变存储器，且本发明提供制备方法成本低，工艺可控性强，易于大规模生产。
一种掺杂 sb 纳米相变存储薄膜材料及其制备方法应用

[发明专利]一种具有柔性性能的相变薄膜材料及其制备方法和应用-CN202310133933.7在审
发明人：胡益丰;苏峰;王成;曹丽雯;朱小芹 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供一种具有柔性性能的相变薄膜材料及其制备方法和应用，该材料是由IS和Sb金属层交替沉积在基层材料上，经过多次循环复合而成，该材料的化学通式为[IS(xnm)/Sb((10‑x)nm)]a；其中x为IS层的厚度，且1nm≤x≤4nm，(10‑x)nm为Sb金属层的厚度，a为材料制备过程中交替沉积的周期数，10a表示薄膜总厚度，本发明制备的新型相变薄膜材料具有热稳定性好、能耗低等技术优势，能够应用于相变存储器。
一种具有柔性性能相变薄膜材料及其制备方法应用

[发明专利]一种海上风电场运维调度方法、系统、设备及存储介质-CN202310234106.7在审
发明人：高吉冰;吴江海;朱小芹;金超 -专利权人：北京天泽智云科技有限公司
申请日： 2023-03-04 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G06Q10/0631 文献下载
摘要：本发明涉及一种海上风电场运维调度方法、系统、设备及存储介质，其方法包括获取调度基础数据，调度基础数据是用于对海上风机进行维修排程的相关数据；根据预设的初始解构造规则和调度基础数据，确定多组初始解；根据预设的求解模型和多组初始解，确定多组初始解中的第一最优解；根据预设的第一优化规则优化第一最优解，生成第二最优解；基于预设的第二优化规则，对第二最优解进行优化，确定目标最优解。本发明具有提高运维排程模型的求解效率低的效果。
一种海上电场调度方法系统设备存储介质

[发明专利]一种可用于提升疲劳特性的相变存储单元及其制备方法-CN202310128628.9在审
发明人：郑龙;朱小芹;吴晓庆;薛建忠;裴明旭;刘波 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种可用于提升疲劳特性的相变存储单元及其制备方法，一种可用于提升疲劳特性的相变存储单元包括上电极、底电极以及位于上电极和底电极之间的相变薄膜，所述相变薄膜与上电极之间、所述相变薄膜与底电极之间均设置有C层。本发明的C层在经过存储单元多次操作后部分C原子能够自发扩散进入相变材料层与电极中，填补由于器件往复操作在相变材料‑金属电极接触面产生的孔洞、空隙等缺陷，扩散的C原子也能够填补多次操作导致电极中出现的缺陷，提高器件中电极的可靠性，从而可以有效提升由于电极与电极接触失效、电极损坏导致相变存储器件单元疲劳性能较差的问题。本发明所提供的存储单元结构可应用于相变存储器中。
一种用于提升疲劳特性相变存储单元及其制备方法

[发明专利]一种用于相变存储器的Mg-Sn-Sb薄膜材料及其制备方法-CN201910194319.5有效
发明人：胡益丰;孙松;邹华;朱小芹 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：本发明涉及微电子材料领域，具体涉及一种用于相变存储器的Mg‑Sn‑Sb薄膜材料及其制备方法。所述Mg‑Sn‑Sb的结构通式为MgxSnySbz，其中x+y+z＝100，0.1x40，0.1y20；Mg‑Sn‑Sb薄膜材料是由Mg80Sn20和Sn20Sb80两种靶材采用共溅射的方式形成，通过调节两种靶材的溅射功率改变Mg‑Sn‑Sb中元素的成分。本发明制备的Mg‑Sn‑Sb薄膜材料具有较低的熔点、较高的热稳定性和较快的相变速度，具有优异的数据保持力，进而有利于提升相变存储器的综合性能。
一种用于相变存储器 mg sn sb 薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种站台门应急自动启闭系统-CN202111002203.0有效
发明人：孔祥睿;李蒋;雷鸣;朱小芹;艾德臻 -专利权人：苏州建设交通高等职业技术学校
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： E05F15/635 文献下载
摘要：本发明属于轨道交通用站台门技术领域，公开了一种站台门应急自动启闭系统，包括轨道台、挡窗、启闭门和启闭机构，挡窗与轨道台固定连接，启闭门滑动安装于轨道台上。启闭机构包括第一驱动装置、传动齿条和锁闭部件。第一驱动装置安装于轨道台上，第一驱动装置的输出端固定连接有输出齿轮；传动齿条与输出齿轮传动连接；锁闭部件安装于传动齿条的一端，启闭门靠近锁闭部件的一侧沿水平方向开设有锁闭槽；锁闭部件能与锁闭槽抵接，以使第一驱动装置启动时能够带动启闭门开启或闭合。该站台门应急自动启闭系统能在紧急情况下对启闭门进行紧急关闭或开启，防止因意外状况导致启闭门无法正常开启或闭合，减少了安全隐患。
一种站台应急自动启闭系统

[发明专利]一种ZnSb/SiO2复合相变薄膜及其制备方法和应用-CN201811600466.X有效
发明人：胡益丰;张锐;郭璇;徐永康;孙松;朱小芹;邹华 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnSb/SiO2复合相变薄膜及其制备方法和应用，该材料通过磁控溅射交替沉积ZnSb和SiO2层，在纳米量级复合而成，其结构符合下列通式：[ZnSb(a)/SiO2(b)]x，本发明的ZnSb/SiO2复合相变薄膜材料利用复合结构的特殊性，减少热量散失，降低薄膜的整体热导率，提高加热效率、降低功耗；利用复合结构中多层界面的夹持效应，可以减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间，抑制晶化，在提高热稳定性的同时加快相变速度，最终使相变存储器具有更快的操作速度以及更低的操作功耗，再次，柔性PET衬底的使用可以改变相变材料的柔性度，获得具有市场前景的柔性相变薄膜。
一种 znsb sio2 复合相变薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种用于高温工况的类超晶格Zn-Sb/Ge-Sb纳米相变存储薄膜及其制备方法-CN201711296970.0有效
发明人：吴卫华;朱小芹;刘波;张剑豪;胡益丰;邹华 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：一种用于高温工况的类超晶格Zn‑Sb/Ge‑Sb纳米相变存储薄膜，其特征在于，其结构通式为[ZnxSb100‑x(a)/GeySb100‑y(b)]n，其中x和y表示原子百分比，且10x75，2y45，a和b分别表示单个周期中ZnxSb100‑x薄膜和GeySb100‑y薄膜的厚度，且1nma25nm，1nmb25nm，n为类超晶格结构相变薄膜的总周期数，且1n25。本发明制备的类超晶格相变薄膜的结晶温度、析晶活化能、数据保持力均高于Ge2Sb2Te5相变材料，具有优秀的可调的热稳定性。同时，具有纳秒级的相变速度，相变过程中体积收缩率较小，有利于相变薄膜与上下电极的可靠充分接触，保证相变存储器具有良好的循环寿命。
一种用于高温工况晶格 zn sb ge 纳米相变存储薄膜及其制备方法

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