[发明专利]一种多级相变V2有效

专利信息
申请号: 201910146169.0 申请日: 2019-02-27
公开(公告)号: CN109935687B 公开(公告)日: 2023-06-23
发明(设计)人: 胡益丰;徐永康;朱小芹;邹华 申请(专利权)人: 江苏理工学院
主分类号: H10N70/20 分类号: H10N70/20;H10B63/10
代理公司: 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 代理人: 顾翰林
地址: 213001 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种多级相变V2O5薄膜材料及其制备方法和应用。利用反应沉积法在磁控溅射的过程中发生钒与O2的反应并沉积于衬底,通过控制Ar气与O2气流量及溅射气压,生成V2O5,而不是钒的其他氧化物。所制得的V2O5薄膜在200~300nm厚度下的可逆相变过程中均出现非晶态、中间态和晶态三个不同相,呈现出3个不同电阻值,相较于传统的两态存储,本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有更高的存储密度;且本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有较快的相变速度,其10年数据保持温度达到200℃,远大于传统Ge2Sb2Te5材料的85℃,具有较好的热稳定性。本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有较高的产业应用价值。
搜索关键词: 一种 多级 相变 base sub
【主权项】:
1.一种多级相变V2O5薄膜材料,其特征在于,所述V2O5薄膜材料为200~300nm的厚度,在所述厚度下的可逆相变过程中均具有非晶态、中间态和晶态三种不同的相态,对应呈现3个不同的电阻值。
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