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[发明专利]一种可见光通信系统功率优化的方法-CN202010162255.3有效
发明人：王秀宇;朱宣同;杨智群 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H04B10/116 文献下载
摘要：一种可见光通信系统功率优化的方法，是利用改进的蚁群算法，对可见光通信系统进行功率优化，包括：完成可见光通信功率模型转化：通过寻找一组功率调节因子，实现接收机光功率平均化；进行目标函数设计：将接收机阵列整体的光功率作为优化目标进行目标函数设计；利用蚁群算法对功率调节因子进行寻优；若当前目标函数值Fa满足Fa≤0.36，则判定当前功率调节因子已达到最优，结束寻优过程。本发明减小了算法的复杂程度与人力资源的耗费，并解决了目标函数造成的偏移量过大的问题。本发明的方法在降低了算法的时间复杂度的同时，减小了优化后的功率与光照度偏移量。并且能够减轻由于优化所造成的光功率损失对信号的正常传输的影响。
一种可见光通信系统功率优化方法

[发明专利]控制mems透镜解决水下可见光通信光路偏移的方法-CN201811069218.7有效
发明人：叶崇光;冯人海;朱宣同;杨智群 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H04B10/116 文献下载
摘要：一种控制mems透镜解决水下可见光通信光路偏移问题的方法，包括：通过光学仿真软件ZEMAX设计实验环境，获取训练数据；使用获取的训练数据通过训练得到mems透镜的控制算法：将五个光电二极管所接收到的序列用实数编码，得到一个5x1的矩阵X＝[x1,x2,x3,x4,x5]T，所得到的位置坐标表示为一个3x1的矩阵C＝[c1,c2,c3]T，其中c1,c2为信号接收器能够完整接收到光信号的位置坐标，c3是mems透镜偏转的角度。本发明的控制mems透镜解决水下可见光通信光路偏移的方法，解决了水下环境的变化导致的光路偏移的问题，使水下可见光通信稳定性得到提高。
控制 mems 透镜解决水下可见光通信偏移方法

[发明专利]一种纳米ZnSnO3-CN201911231299.0在审
发明人：王秀宇;朱宣同;李亨 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本发明属于气敏材料技术领域，公开了一种纳米ZnSnO3气敏材料的制备方法，先将SnCl4·5H2O溶解于二甲基亚砜中搅拌均匀，然后加入ZnSO4溶解并搅拌均匀，再加入草酸溶解并搅拌均匀；之后加入NaOH溶液并迅速搅拌，剧烈搅拌后沉淀使微粒充分生长；沉淀洗涤，烘干，将得到的纳米ZnSn(OH)6前驱体烧制后得到目标产物。本发明通过草酸作为有机功能添加剂的共沉淀法，成功地制备出纳米ZnSnO3气敏材料，得到的纳米ZnSnO3分布均匀、纯度高；同时，操作简单易行，制备原理简单，所需成本极低，有利于工业化生产；可在工业与科研领域应用，具备较好的应用前景。
一种纳米 znsno base sub

[发明专利]一种低温工作的高性能乙醇气敏传感器的制备方法-CN201911259036.0在审
发明人：王秀宇;朱宣同;夏梦真;李亨 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种低温工作的高性能乙醇气敏传感器的制备方法，主要步骤：1)制备纳米球‑花状组合型镁掺杂ZnSnO3前驱体Zn0.9Mg0.1Sn(OH)6，烘干；2)依次称取Zn0.9Mg0.1Sn(OH)6和nano‑TiO2，加入去离子水，均匀混合，最后在加热条件下再磁力搅拌，浓缩处理成糊状物；3)采用甩胶法在叉指电极上涂覆上述糊状物，使其成膜，然后烘干成薄膜；4)将上述涂膜电极在高温中热处理，前驱体Zn0.9Mg0.1Sn(OH)6在高温下脱水形成Zn0.9Mg0.1SnO3，并与nano‑TiO2键合形成化学吸附，形成nano‑TiO2/Zn0.9Mg0.1SnO3复合物。本发明降低了ZnSnO3气敏传感器的工作温度，使气敏传感器在较低温度(80℃)下具有优异的气敏性能。
一种低温工作性能乙醇传感器制备方法

[发明专利]一种纳米球-花状混合型镁掺杂偏锡酸锌的制备方法-CN201910854594.5在审
发明人：王秀宇;李亨;朱宣同;夏梦真 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本发明基于共沉淀法制备出纳米球‑花状混合型的镁掺杂ZnSnO
纳米级掺杂镁掺杂花状制备溶液酸碱度有机添加剂共沉淀法立方体状制备过程产物量沉淀剂共沉淀纳米球微米级修饰

[发明专利]一种3D立方体框架结构三元金属氧化物半导体偏锡酸锌的制备方法-CN201811007611.3在审
发明人：王秀宇;夏梦真;朱宣同;李亨;傅惠;丁伯楠;刘颜鹏 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本发明公开一种3D立方体框架结构三元金属氧化物半导体偏锡酸锌的制备方法，主要步骤为首先制成0.2M SnCl₄无水乙醇溶液和0.1M Zn(NO₃)₂水溶液；然后在上述水溶液中加入六甲基四胺C₆H₁₂N₄，磁力搅拌，制成Zn(NO₃)₂‑C₆H₁₂N₄水溶液，其中C₆H₁₂N₄在水溶液中的质量百分比为4.6％；称取NaOH溶于去离子水，配成0.5M NaOH水溶液，用作沉淀剂；在搅拌条件下将NaOH溶液逐滴加入，使溶液的PH值约为10～11，此后继续搅拌20min；然后在120℃条件下反应10h，得到前驱体ZnSn(OH)₆沉淀物；自然冷却后收集的沉淀物，分别用去离子水和无水乙醇清洗，然后在室温下干燥，得到前驱体ZnSn(OH)₆粉末；最后在500℃下高温热处理2h，得到纳米级3D立方体框架结构的ZnSnO₃粉末。
立方体框架结构三元金属氧化物去离子水偏锡酸前驱体制备半导体无水乙醇清洗无水乙醇溶液高温热处理六甲基四胺质量百分比磁力搅拌搅拌条件沉淀剂纳米级称取

[发明专利]工作于室温的金属氧化物基乙醇气敏传感器制备方法-CN201811007612.8在审
发明人：王秀宇;李亨;朱宣同;夏梦真;傅惠;刘颜鹏;丁伯楠 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种工作于室温的金属氧化物基乙醇气敏传感器制备方法，主要步骤包括：首先制备3D花状ZnSnO₃前驱体ZnSn(OH)₆，并在40℃下烘干；依次称取ZnSn(OH)₆和nano‑TiO₂，加入去离子水，先磁力搅拌、然后超声分散使二者均匀混合，最后在40℃下再磁力搅拌，使水挥发浓缩处理成糊状物；然后采用甩胶法在叉指电极上涂覆上述糊状物，使其成膜，然后在40℃条件下烘干；最后将上述涂膜电极在高温中热处理，前驱体ZnSn(OH)₆在高温下脱水形成ZnSnO₃，在脱水过程中并与nano‑TiO₂键合形成化学吸附，形成nano‑TiO₂/ZnSnO₃复合物。
制备乙醇气敏传感器金属氧化物基磁力搅拌前驱体烘干热处理叉指电极超声分散成糊状物化学吸附浓缩处理去离子水涂膜电极脱水过程复合物糊状物甩胶法挥发称取成膜花状键合涂覆脱水

[发明专利]一种高透光ZAO导电薄膜的制备方法-CN201810773755.3在审
发明人：王秀宇;傅惠;朱宣同;李亨;夏梦真 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-07-15 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZAO透明导电薄膜的制备方法，采用自制的外加Al₂O₃质量百分比含量为2％的ZAO靶材。再使用射频磁控溅射在玻璃衬底上制备ZAO薄膜，以氩气为溅射气体，本体真空度为2～4×10^‑4Pa，溅射压强0.4～0.9pa，溅射功率为80～120W，溅射时间为45～60min，基片温度为80～120℃，ZAO薄膜沉积后，在200～400℃下退火2～3h。本发明解决了ZAO薄膜光电性能不易同时满足的问题，制备出表面光滑结晶良好的ZAO薄膜，在可见光范围内(400～760nm)，其平均透光率在80％以上，且ZAO薄膜导电性高，具有良好的应用前景。
制备溅射射频磁控溅射导电性退火压强平均透光率质量百分比可见光氩气导电薄膜光电性能溅射功率溅射气体高透光再使用沉积衬底自制玻璃应用

[发明专利]一种花状三元金属氧化物半导体偏锡酸锌的制备方法-CN201810304991.0在审
发明人：王秀宇;丁伯楠;刘颜鹏;夏梦真;李亨;朱宣同;傅惠 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种花状三元金属氧化物半导体偏锡酸锌ZnSnO3的制备方法，将SnCl4(0.2M)的乙醇溶液A，加入ZnSO4(0.1M)和三乙醇胺(10～30wt％)的去离子水溶液B，SnCl4与ZnSO4的摩尔比为1:1，持续搅拌；再将0.4M NaOH溶液逐滴加入A+B混合溶液中，其体积比为5︰3，继续搅拌，并静置6h，出现ZnSn(OH)6的实心花状沉淀物；或在上述溶液基础上，边搅拌边滴加2M NaOH溶液(PH＝10～12)，继续搅拌，静置6h，当NaOH与ZnSn(OH)6的摩尔比为40:1，出现空心花状沉淀物ZnSn(OH)6；再将空心或实心花状的沉淀物，分别清洗干净，干燥，得到相应的ZnSn(OH)6粉末，当该粉末于500℃煅烧2h，得到微米级实心或空心花状结构的ZnSnO3。本发明过程简单，产物量大且分布均匀，具有较大的比表面积。
三元金属氧化物空心花摩尔比偏锡酸花状制备种花半导体混合溶液中离子水溶液持续搅拌三乙醇胺乙醇溶液产物量体积比微米级滴加煅烧清洗

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