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- [实用新型]一种硅钢片承载装置-CN201520576803.1有效
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何晨旭;孔祥照;朱洁;朱姚培
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江苏荣马新能源有限公司
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2015-08-04
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2016-01-13
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H01L31/18
- 本实用新型公开了一种硅钢片承载装置,包括底座和矩形的承载板,承载板与水平地面之间呈20-40°的夹角,承载板的四条边分别为低边、高边和两条倾斜边,低边的高度小于高边的高度;承载板的上表面设置有导向区,该导向区内均匀镶嵌有若干个万向球;所述低边上固定设置有一块阻挡板,且阻挡板的长度小于低边的长度;两条倾斜边上各设置有一块限位导向板;所述底座的底部设置有若干个能够锁紧的万向轮。采用上述结构后,能对放置于承载板上的硅钢片进行导向,使硅钢片从承载板的高边定向地向低边进行滑移,且没有摩擦阻力,不损伤硅钢片;能够方便硅钢片的拿取;能防止硅钢片的侧向排列不整齐或侧向滑落。
- 一种硅钢片承载装置
- [实用新型]一种自更新的石墨舟-CN201520581586.5有效
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何晨旭;孔祥照;朱洁;朱姚培
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江苏荣马新能源有限公司
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2015-08-05
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2016-01-13
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H01L21/673
- 本实用新型公开了一种自更新的石墨舟,包括圆柱形的石墨舟本体,所述石墨舟本体上开设有开口向上的锥槽,贯穿石墨舟本体的锥槽壁设置若干卡点杆,卡点杆朝向锥槽中心设置;在锥槽内设置与锥槽配合的锥形座,锥形座在锥槽内通过重力下压将卡点杆挤压出石墨舟本体;所述卡点杆朝外方向的一端处设置可通过自转调节接入硅片的转块。与现有技术相比,本实用新型的一种自更新的石墨舟,一方面利用卡点杆接触面小的优点减小遮盖电池板的面积,另一方面在卡点杆长期磨损后,可以不断更新新的卡点杆接触点,使石墨舟的使用寿命增长。
- 一种更新石墨
- [实用新型]一种背场网版-CN201520581276.3有效
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何晨旭;孔祥照;朱洁;朱姚培
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江苏荣马新能源有限公司
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2015-08-05
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2016-01-13
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B41F15/34
- 一种背场网版,包括网面和框体,所述网面呈矩形形状,所述框体中心设置有与网面形状一致的空隙,所述网面绷紧位于框体中心的空隙中,所述网面的四周均与框体内侧连接,所述网面的一组相对边分别设置有密封带,所述密封带覆盖在网面和与其连接的框体之间的缝隙上。本实用新型能够防止刮刀在背场网版上单向多次刮动时,刮刀两侧溢出的印刷油墨渗透到背场网版的下面,污染背场网版下面的印刷品或者台面纸,对背场网版下方的物品起到保护作用,提高印刷品的合格率,同时,也简化了网版印刷的工序,减少了不必要频繁更换台面纸的麻烦。
- 一种背场网版
- [实用新型]一种刻蚀硅片的水膜间歇去水装置-CN201520581461.2有效
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何晨旭;孔祥照;朱洁;朱姚培
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江苏荣马新能源有限公司
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2015-08-05
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2016-01-13
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H01L21/67
- 本实用新型公开了一种刻蚀硅片的水膜间歇去水装置,包括上部的滤水装置和下部的压辊;滤水装置朝向硅片的一面具有条形槽,在条形槽内设置连续的转扇,转扇又包括连接在条形槽上的转轴以及等距分布在转轴上的扇叶,位于条形槽内端处的转扇由电机带动转动,相邻的两个转扇之间相互由扇叶带动转动,扇叶部分位于条形槽外;压辊的轴向上开设线槽,在线槽内设置条形凸起。与现有技术相比,本实用新型的硅片镀完水膜后,经过滤水装置和压辊之间的硅片滤水过道,可以将硅片表面多余的水分给去除,避免多余的水进入硅片的刻蚀槽降低酸度,而具有条形凸起的压辊在转动时可以间歇缩小硅片与转扇的间距,可将刻蚀槽表面积水去除,防止进一步融入酸性溶液。
- 一种刻蚀硅片间歇装置
- [实用新型]环保型硅片清洗装置-CN201520583750.6有效
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何晨旭;孔祥照;朱洁;朱姚培
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江苏荣马新能源有限公司
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2015-08-05
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2016-01-13
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B08B3/10
- 本实用新型涉及一种环保型硅片清洗装置,包括支架、清洗槽、表面开有孔洞的转筒,清洗槽设置在支架上,清洗槽内设有转筒,清洗槽下方设有电机,电机输出端连接转轴,转轴延伸至清洗槽内,转轴与转筒连接,所述转筒内壁上设有若干个硅片存放装置,所述清洗槽上端设有进水管,清洗槽内设有温度传感器、加热装置、超声波发生器,清洗槽外侧设有控制器,温度传感器、加热装置分别与控制器连接,所述清洗槽底部连接出水管,出水管下端连接净化装置,净化装置下端连接排水管,本实用新型解决了清洗装置清洗效果不好、清洗后甩干操作不方便和清洗液直接排放污染环境的问题。
- 环保硅片清洗装置
- [发明专利]一种太阳能电池扩散工艺-CN201410372147.3有效
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孙飞龙;翟俊杰;何晨旭;朱姚培
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江苏荣马新能源有限公司
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2014-07-31
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2014-11-19
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H01L31/18
- 本发明公开了一种太阳能电池扩散工艺,依次包括以下步骤:将硅片放置在扩散炉中,在800℃以下以300-600sccm的速率通入氧气8-20min;用5-20min将炉内温度升至830-840℃,整个升温过程中持续通入流量比为1:5~1:7的氧气和氮气;保持炉内温度为830-840℃,继续通入流量比为1:5~1:7的氧气和氮气5-20min;保持炉内温度为830-840℃时间为5-10min后将炉内温度降至常温并取出硅片测其方块电阻。本发明步骤2和3中的氧气和氮气的比例为1:5-1:7,能解决扩散方阻中间点偏高的问题,有效改善方阻的均匀性。
- 一种太阳能电池扩散工艺
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