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[实用新型]石英坩埚腐蚀桶及腐蚀结构-CN202120384787.1有效
发明人：柴晨;闵振东;王博;魏炜;林泉;马英俊;许兴;李万朋;张路;刘向前 -专利权人： 有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C03B20/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种石英坩埚腐蚀桶及腐蚀结构，包括：桶体，顶部具有开口，用于盛放腐蚀液；桶盖，盖设在开口上；支撑凸起，设置在桶体的底面，用于支撑石英坩埚。通过在桶体内设置支撑凸起，一方面可以支撑悬空倒扣的石英坩埚，使得石英坩埚充分腐蚀，另一方面支撑凸起可以占用桶体的部分空间，达到节省腐蚀液、降低成本的目的。
石英坩埚腐蚀结构

[实用新型]半导体加工用卡具-CN202120417308.1有效
发明人：李爱兵;张伟;权盼;张艳生;韩健;曹宝欢;李彬 -专利权人： 有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种半导体加工用卡具，包括：立式支撑板；托架，具有用于固定待加工半导体的卡槽，且托架与支撑板活动连接，以实现托架的长度可调以及托架的旋转。通过设置与支撑板活动连接的托架，使得所述托架的长度可调以及所述托架的旋转，从而实现卡具可适应不同长度以及不同晶向的半导体加工件，此外，通过设置与夹持头活动连接的侧板，使得卡槽的尺寸可以调节，进而适应不同直径的半导体加工件，从而解决更换不同卡具的问题，提高了工作效率。
半导体工用卡具

[实用新型]去除晶体表面氧化物的装置-CN202120418414.1有效
发明人：孟杰;赵静敏;袁泽海;赵邦超;周晓霞;董娓 -专利权人： 有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： B24B27/033 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种去除晶体表面氧化物的装置，该装置包括装置本体、固定件、打磨器组件和控制组件；所述固定件和所述打磨器组件均设置在所述装置本体上，并且通过所述固定件固定待加工样品；所述控制组件连接并驱动所述打磨器组件工作，并且所述控制组件用于调整所述打磨器组件相对于所述待加工样品的打磨位置。该装置通过控制组件驱动打磨器组件对待加工样品进行打磨，无需手工进行打磨，提高效率；并且还可以通过控制组件调整打磨器组件相对于待加工样品的打磨位置及打磨程度，确保打磨的全方位性及一致性。
去除晶体表面氧化物装置

[实用新型]磷化镓位错腐蚀用容器组件及磷化镓位错水浴腐蚀装置-CN202120398779.2有效
发明人：赵敬平;赵素晓;杜长岭;杨海涛;郭伟才;胡海琪;孟杰 -专利权人： 有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种磷化镓位错腐蚀用容器组件及磷化镓位错水浴腐蚀装置，该磷化镓位错腐蚀用容器组件包括半球形底座、容器和固定套件；所述半球形底座为实心，并且具有弧形面和与所述弧形面相对的平面；所述固定套件设置于所述半球形底座的平面上，并且将所述容器固定于所述半球形底座的所述平面一侧。该磷化镓位错腐蚀用容器组件通过设计实心不倒翁形底座避免了容器在传统操作中的上浮，也无需人工按压操作，避免对操作人员的身体健康造成危害。
磷化镓位错腐蚀容器组件水浴装置

[实用新型]半导体元件倒角用真空吸笔-CN202120407287.5有效
发明人：卜庆文;刘胜利;董霞;李军;俞海霞 -专利权人： 有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种半导体元件倒角用真空吸笔。包括：笔头，具有第一抽吸孔，且笔头的一端用于与待倒角的半导体元件接触；弹性垫圈，安装在笔头的一端，且与笔头过渡配合；笔杆，安装在笔头的另一端，笔杆具有与第一抽吸孔连通的第二抽吸孔，且笔杆远离笔头的一端用于与真空抽气泵相连。本实用新型的真空吸笔能够使手动倒角变的更加轻便简单，在大批量长时间加工时可以减少手部疲劳，防止手指长时间接触磨盘，从而防止因手部损伤而产生的生产效率与产品质量降低，且制作成本较低，拆装灵活简便，通过更换不同规格的笔头可以匹配不同直径的工件。
半导体元件倒角真空

[发明专利]用于在锗晶体生长过程中粘出脏料的方法-CN202010495166.0有效
发明人：张路;于洪国;林泉;杜长岭;赵哲 -专利权人： 有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制备技术领域，具体涉及一种用于在锗晶体生长过程中粘出脏料的方法，包括以下步骤：将锗料煅烧完成后；将籽晶插入锗熔体，待熔接稳定后设置第一晶体提拉速度，进行引晶；点动式开启、停止第二晶体提拉速度，控制所述脏料的边缘脱离锗熔体液面,脏料的中心区域与锗熔体相连，进行缩颈生长，再将第二晶体提拉速度调整至第一晶体提拉速度进行再放肩，继续生长晶体；待晶体直径长到目标直径时，再将第一晶体提拉速度调整至第二晶体提拉速度，如此反复操作，直至将锗熔体表面的浮渣粘完，该方法降低了粘出脏料所用时间，粘出脏料重量小，大大降低脏料因加工提纯带来的损耗。
用于晶体生长过程中粘出脏料方法

[实用新型]双面倒角砂轮及锗片倒角加工用装置-CN202022931144.2有效
发明人：董霞;李军;祁君敬;卜庆文;何柳;于洪国 -专利权人： 有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B24D5/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种双面倒角砂轮及锗片倒角加工用装置，该双面倒角砂轮包括上下连接的第一圆锥台体和第二圆锥台体，所述第一圆锥台体的上表面连接所述第二圆锥台体的上表面，并且所述第一圆锥台体上表面与所述第二圆锥台体上表面的直径相同；所述第一圆锥台体和所述第二圆锥台体的中部分别对应设有上下贯通的连接孔。该双面倒角砂轮采用第一圆锥台体和第二圆锥台体组合形成，可以同时对锗平片的两个面进行倒角，达到降低工作劳动强度，减少成本，提高生产效率的目的。
双面倒角砂轮工用装置

[实用新型]石英管清洗装置-CN202022218052.X有效
发明人：董娓;周晓霞;权盼;赵敬敏;孟杰 -专利权人： 有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B08B9/032 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种石英管清洗装置，该石英管清洗装置包括第一清洗容器、第二清洗容器、清洗结构、冲洗结构和控制系统，所述第一清洗容器和第二清洗容器并排设置，所述清洗结构转动连接在所述第一清洗容器内，并且所述清洗结构上设有多个第一喷水孔；所述冲洗结构设置在所述第二清洗容器内，所述冲洗结构上设有多个第二喷水孔；所述控制系统分别与所述清洗结构和冲洗结构控制连接，并且所述控制系统控制所述清洗结构转动。该装置通过清洗结构、冲洗结构以及控制系统的设置，使得操作人员通过操作控制系统即可完成对石英管的初清洗，减少操作人员徒手操作，进一步减少石英破损机率，降低石英破裂对人员伤害的安全隐患。
石英管清洗装置

[实用新型]一种水平砷化镓单晶切片用粘结台及粘结装置-CN202022246620.7有效
发明人：李爱兵;张伟 -专利权人： 有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种水平砷化镓单晶切片用粘结台及粘结装置，粘结台包括表面设有第一导槽的第一导槽台和表面设有第二导槽的第二导槽台，第一导槽和第二导槽均贯穿所在导槽台的相对的两个端面，第二导槽台和第一导槽台导槽、导槽相对地固定连接，且保持第一导槽和第二导槽延伸方向一致，第二导槽台的两个端面与第一导槽台的表面垂直，第二导槽台位于第一导槽台的中部位置，第一导槽台的位于第一导槽一侧的侧端的不与第二导槽台相对的位置间隔设有通向第一导槽的多个校准孔，每个校准孔内匹配有校准螺栓；粘结装置包括粘结台和粘结模板。本实用新型的水平砷化镓单晶切片用粘结台及粘结装置，结构简单、操作方便，且可以在一台粘接多根晶体。
一种水平砷化镓单晶切片粘结装置

[实用新型]一种石墨舟及区熔提纯用设备-CN202022364068.1有效
发明人：孔鑫燚;魏炜;闵振东;马英俊;李万朋;柴晨;许兴;林泉 -专利权人： 有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C30B13/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种石墨舟及区熔提纯用设备，石墨舟包括顶部开口的舟体和顶盖，顶盖扣于开口处，舟体的外部为长方形，内腔的沿舟体的长度方向依次设置的两端端部为圆弧形。顶盖包括盖片和设置于盖片底部的密封圈，密封圈的外缘与开口密封适配，顶盖设置有透明的观测窗。区熔提纯用设备包括固定有多个感应线圈的设备支架、设备底座、多个石英管和多个该石墨舟。本实用新型的石墨舟及区熔提纯用设备，能保证线圈与石墨产生的感应热量利用率高，使锗料熔化充分，并可以进一步降低锗材料污染的可能性。
一种石墨提纯设备

[实用新型]应用于锗单晶生长的掺杂装置-CN202022839236.8有效
发明人：刘志远;李燕;王博;雷同光;王宇;曹旭;赵哲;孔腾飞;邢俊;冯德伸;于洪国 -专利权人： 有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种应用于锗单晶生长的掺杂装置，该掺杂装置包括内部形成容纳腔的装置本体以及盖体和阻挡结构，所述装置本体的顶端开设有连通所述容纳腔的开口，所述装置本体的底端设有入口；所述盖体可拆卸的盖设在所述装置本体的开口处；所述阻挡结构可移动的设置在所述容纳腔内，且位于所述入口处。该掺杂装置结构简单且操作方便，能够在锗单晶生长过程的中途进行再次添加掺杂剂，从而可以对锗单晶生长过程中的电阻率参数进行调整，以保证所生产的锗单晶满足所需电阻率。
应用于锗单晶生长掺杂装置

[实用新型]应用于锗单晶生长的杂质浮渣清除装置-CN202022840437.X有效
发明人：李燕;王博;马会超;刘志远;雷同光;王宇;曹旭;赵哲;孔腾飞;邢俊;冯德伸;于洪国 -专利权人： 有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种应用于锗单晶生长的杂质浮渣清除装置，该装置包括内部形成容纳腔的装置本体以及盖体和连接部，所述装置本体的顶端开设有连通所述容纳腔的开口，所述装置本体的底端设有入口；所述盖体可拆卸的盖设在所述装置本体的开口处；所述连接部设置在所述盖体顶部，用于连接籽晶连接杆。该杂质浮渣清除装置可以用于锗单晶生长过程中，能够快速、干净有效去除熔体表面杂质浮渣。
应用于锗单晶生长杂质浮渣清除装置

[实用新型]石英表面熏碳装置-CN202022480116.3有效
发明人：魏炜;孔鑫燚;马英俊;闵振东;李万朋;林泉 -专利权人： 有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C30B28/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种石英表面熏碳装置，该石英表面熏碳装置包括反应承载结构、加热器、第一蒸发瓶、保护气体气瓶和导流组件，所述反应承载结构内部具有容纳腔，用于盛放待熏石英件；所述加热器设置在所述反应承载结构的外部；所述第一蒸发瓶通过所述导流组件分别连通所述容纳腔和保护气体气瓶，并且所述导流组件延伸至所述容纳腔内部，所述导流组件上设有多个排气口，所述待熏石英件位于所述多个排气口的正下方。该石英表面熏碳装置通过设置排气口、加热器与待熏石英舟的相对位置，能定量可控的在较大尺寸的石英舟上熏制一层均匀致密的碳膜，有效隔绝了石英与晶体，高效可控。
石英表面装置

[发明专利]锗单晶及锗单晶的热处理工艺-CN202110202067.3在审
发明人：王博;冯德伸;易见伟;王宇;李燕;马远飞;于洪国;林泉;雷同光 -专利权人： 有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种锗单晶及锗单晶的热处理工艺，该热处理工艺包括以下步骤：在惰性气氛中，对锗单晶依次进行第一恒温阶段、第一降温阶段、第二恒温阶段、第二降温阶段的处理；其中，第一恒温阶段为：升温至750～850℃，然后恒温保持一定时间；第一降温阶段为：以一定的速度降温至450～550℃；第二恒温阶段为：在450～550℃的条件下恒温一定时间，并且所述第二恒温阶段的恒温时间大于所述第一恒温阶段的恒温时间；第二降温阶段为：以一定的速度降温至20～30℃。该热处理工艺能够有效消除250mm以上大直径锗单晶中的残余应力，提高锗单晶的光学均匀性，对红外锗单晶加工和制造环节有重要作用。
锗单晶热处理工艺

[实用新型]用于外圆磨床的升降工装-CN202020883441.1有效
发明人：刘晓慧;刘胜利;曲骏;马会超 -专利权人： 有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： B24B5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种用于外圆磨床的升降工装，包括：底座，包括底板与底板垂直连接的立杆，底板用于将底座固定在外圆磨床的轨道上；支撑座，用于放置单晶，支撑座与立杆活动连接，并能够沿着立杆朝靠近或远离轨道的方向运动。本实用新型的技术方案能够自由调节单晶的高度，节约了人力，提高了工作效率。
用于磨床升降工装

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