“曾贤楷”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果17个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]像素结构及其制造方法-CN202010478172.5有效
发明人：蔡佳修;曾贤楷;张家铭;林俊男 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种像素结构及其制造方法，像素结构包括扫描线、数据线、第一共用信号线、第一至第三栅极、第一至第三通道层、第一至第三源极、第一至第三漏极、第一像素电极以及第二像素电极。第三通道层分离于第一以及第二通道层。第一源极以及第一漏极电性连接第一通道层。第二源极以及第二漏极电性连接第二通道层。第一源极与第二源极相连。第三源极以及第三漏极电性连接第三通道层。第二漏极以及第三漏极之间具有间隙。第二像素电极填入间隙，且电性连接第二漏极以及第三漏极。
像素结构及其制造方法

[发明专利]像素结构-CN201710099480.5有效
发明人： 曾贤楷;林岱佐;张家铭 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种像素结构，包括共通线、第一绝缘层、第一连接电极、第二绝缘层、保护层、第一电极、第三绝缘层、第二连接电极以及与主动元件电性连接的第二电极。第一连接电极通过第一绝缘层的第一开口与共通线电性连接。第二绝缘层覆盖部分的第一连接电极。保护层位于第二绝缘层上且具有第一保护层开口。第一电极位于保护层上，且具有设置于第一保护层开口内的突出部。第三绝缘层位于第一电极上，其中第三绝缘层与第二绝缘层共同形成第一接触窗，位于第一保护层开口内。第二连接电极于第一接触窗上，且第一电极的突出部通过第二连接电极与第一连接电极电性连接。
像素结构

[发明专利]一种阵列基板的制造方法-CN201410140752.8在审
发明人：杜振源;林巧雯;曾贤楷;张家铭;叶昭纬;丁天伦;林俊男 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2014-04-09 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括：依次形成一金属层、一栅极绝缘层、一半导体层和一第一保护层，该第一保护层位于该栅极绝缘层和该半导体层的上方；形成一导电薄膜层于该第一保护层的上方；形成一图案化的第二保护层于该导电薄膜层的上方，其中该第二保护层的图案边缘呈陡峭状；形成一通孔于该第二保护层与该第一保护层的接触面；以及形成一像素电极层于所述第二保护层的上方。相比于现有技术，本发明可将诸如透明导电氧化物或透明氧化物半导体作为硬掩膜层，当采用光刻胶对第二保护层进行干蚀刻时，可透过硬掩膜层来形成具有陡峭状图案边缘的第二保护层，进而改善L0漏光情形，并且提升入射光的穿透率。
一种阵列制造方法

[发明专利]主动元件、驱动电路结构以及显示面板-CN201210324557.1有效
发明人：杨朝宇;邱皓麟;曹书玮;黄士哲;叶柏良;林俊男;曾贤楷 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种主动元件、驱动电路结构以及显示面板。主动元件包括一栅极、一栅绝缘层、一半导体层、一蚀刻终止层、一源极与一漏极。栅极在基板上构成一蜿蜒图案。栅绝缘层覆盖栅极。半导体层配置于栅绝缘层上，且位于该栅极上方。半导体层的面积实质上定义出主动元件所在的元件配置区。蚀刻终止层配置于栅绝缘层以及半导体层上，并具有暴露出半导体层且彼此互不连通的一第一接触开口以及一第二接触开口。源极配置于蚀刻终止层上并通过第一接触开口接触于半导体层。漏极配置于蚀刻终止层上并通过第二接触开口接触于半导体层，且源极与漏极彼此分离。
主动元件驱动电路结构以及显示面板

[发明专利]有源元件-CN201210022681.2有效
发明人：邱皓麟;林其叡;曹书玮;林俊男;叶柏良;曾贤楷 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-01-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请提供一种有源元件，其包括一源极、一漏极、一氧化物半导体层、一栅极与一栅绝缘层。源极包括多个彼此平行的第一条状电极以及一连接第一条状电极的第一连接电极，漏极包括多个彼此平行的第二条状电极以及一连接第二条状电极的第二连接电极，其中第一条状电极与第二条状电极平行，彼此交替排列，并彼此电性绝缘，且之间存在一曲折沟槽，而栅极沿着曲折沟槽延伸。氧化物半导体层与源极以及漏极接触，其中氧化物半导体层与各第一条状电极的接触面积等于各第一条状电极的布局面积，且各第二条状电极的接触面积等于各第二条状电极的布局面积。本申请可在较小的布局面积内制作出具有相同通道宽度与通道长度的比值(W/L)的有源元件。
有源元件

[发明专利]触控面板及其修补方法-CN201010518004.0有效
发明人：詹立雄;曾贤楷;廖金阅;周鸿文 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-10-13 - 公布日： 2011-03-09 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种触控面板及其修补方法。该触控面板，其包括基板、多个第一感测串行、多个第二感测串行以及多个导电修补图案层。第一感测串行配置于基板上，沿着第一方向延伸，包括多个第一感测垫与多个第一桥接线，第一桥接线串接两相邻的第一感测垫。第二感测串行配置于基板上，沿着第二方向延伸，包括多个第二感测垫与多个第二桥接线，第二桥接线串接两相邻的第二感测垫，且第一方向与第二方向不同，第一感测串行与第二感测串行彼此电性绝缘。导电修补图案层位于第一与第二感测串行交界处附近，且导电修补图案层为电性浮置，在修补动作完成后可连接相邻的两个感测垫。
面板及其修补方法

[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法以及像素结构-CN201010260678.5有效
发明人：吴皇君;曾贤楷 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-08-20 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法以及像素结构。本发明有关于一种薄膜晶体管的制造方法，此方法包括提供基板，其中基板上已经形成有栅极、绝缘层以及通道层。在基板上形成导电层以覆盖通道层以及绝缘层。在导电层上形成光阻层。在光阻层上方设置光掩膜，光掩膜具有数据线图案、源极图案以及漏极图案，源极图案与漏极图案之间相距第一宽度(W1)，数据线图案具有第二宽度(W2)，其中第一宽度(W)1与第二宽度(W2)满足当W1-1(um)，则W2+a(um)，其中0.3＜a＜0.7。利用光掩膜进行曝光程序及显影程序以图案化该光阻层。以光阻层为蚀刻掩膜图案化导电层以形成源极、漏极以及数据线。
薄膜晶体管制造方法以及像素结构

[发明专利]触控装置的制造方法-CN201010184174.X有效
发明人：廖金阅;詹立雄;曾贤楷 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-05-20 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提出一种触控装置的制造方法，此方法可增进触控装置中感测电极的透光性与导电性，以及减少制程步骤。在一实施例中，此方法包含以下步骤。形成第一图案化透明导电层于一基板上。对该第一图案化透明导电层进行第一回火制程。依序形成绝缘层与图案化半调式光阻于该基板与该第一图案化透明导电层上。以该图案化半调式光阻作为蚀刻遮罩来蚀刻该绝缘层，以形成图案化绝缘层。
装置制造方法

[发明专利]彩色滤光触控基板-CN201010184162.7无效
发明人：梁志明;詹立雄;曾贤楷 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-05-20 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：一种彩色滤光触控基板，用于触控式液晶面板中，对应于电容式触控液晶面板的薄膜晶体管基板而设置，包括：玻璃基底，具有面向所述薄膜晶体管基板的一侧及背向所述薄膜晶体管基板的另一侧；黑色矩阵，形成于所述玻璃基底面向薄膜晶体管基板的一侧上，并暴露出部分所述玻璃基底；第一平坦层，形成于所述玻璃基底与所述黑色矩阵之上；电容式感测层，形成于所述第一平坦层上；第二平坦层，形成于所述电容式感测层上；及彩色滤光片，形成于所述第二平坦层上。本发明所示的彩色滤光触控基板，可以解决玻璃基底无法薄化的问题，并有效减少寄生电容的产生，从而提高了彩色滤光触控基板的品质。
彩色滤光触控基板

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法-CN200910151282.4有效
发明人：陈建宏;詹立雄;廖金阅;曾贤楷 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-07-01 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。此方法是先于基板上形成包括多条扫描线、与扫描线连接的多个栅极的第一图案化导电层。然后，于基板上形成具有多个开孔的图案化栅绝缘层以覆盖第一图案化导电层，并于开孔内形成多个介电图案。接着，于图案化栅绝缘层上形成多个半导体图案。而后，于半导体图案、图案化栅绝缘层以及介电图案上形成第二图案化导电层。接着，于半导体图案、图案化栅绝缘层以及介电图案上形成保护层。之后，于保护层上形成多个像素电极。本发明可以减少驱动元件的数目以达到降低成本的目的；同时兼顾薄膜晶体管元件特性的稳定性以及高存储电容值，以满足元件设计上的需求；还可以达到减少光掩模数目的功效。
薄膜晶体管阵列及其制造方法

[发明专利]像素单元与其制造方法-CN200910139305.X有效
发明人：廖金阅;杨智钧;石志鸿;曾贤楷 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2009-05-11 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种像素单元与其制造方法。所述方法包括下列步骤，形成薄膜晶体管于基板上，全面性地形成保护层于基板上，形成图案化光阻层于保护层上，以图案化光阻层为掩膜移除部分保护层，以形成图案化保护层，其中图案化保护层具有位于其侧壁的底切结构，形成电极材料层以覆盖基板、薄膜晶体管以及图案化光阻层，其中电极材料层于底切结构处断开，以暴露底切结构，令一剥除液从底切结构处渗入图案化光阻层与图案化保护层间，使图案化光阻层及覆盖于图案化光阻层上的部分电极材料一并被掀离，以形成与薄膜晶体管电连接的像素电极。底切结构提供剥除液渗透的入口，使剥除液易于渗入图案化光阻层，进而改善传统的去光阻工艺中不便与困难之处。
像素单元与其制造方法

[发明专利]像素结构、显示面板以及光电装置的制造方法-CN200810178695.7有效
发明人： 曾贤楷;廖金阅;陈建宏 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-12-02 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供像素结构、显示面板以及光电装置的制造方法。该像素结构的制造方法包括：首先，提供一基板，且其上具有晶体管区、电容区与像素区。接着形成薄膜晶体管与电容电极于基板上，其中电容电极被介电层所覆盖。继之，于薄膜晶体管以及电容电极上形成彩色滤光层，并于彩色滤光层上形成保护层。之后，形成不同厚度的图案化光致抗蚀剂层于保护层上，再依序移除部分保护层与部分图案化光致抗蚀剂层，以暴露出薄膜晶体管的部分源/漏极与部分保护层。接着，于保护层上共形地覆盖导电层，再移除部分图案化光致抗蚀剂层，以定义出像素电极。本发明可以降低制作成本，缩短工艺时间且增加产能，像素结构中存储电容的电容值也可获得有效地提升。
像素结构显示面板以及光电装置制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制作方法-CN200810144232.9有效
发明人： 曾贤楷;林汉涂;詹勋昌;方国龙 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-07-25 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，该方法包括下列步骤：先于基板上分别形成栅极图案与第一接垫图案，并依序形成栅极绝缘层与半导体层覆盖上述二图案。接着，形成图案化光阻层，并调整图案化光阻层在不同区域的光阻区块厚度与适当图案。再经由刻蚀工艺、缩减图案化光阻层工艺，以移除位于第一接垫图案上方的半导体层与栅极绝缘层。之后，移除图案化光阻层，形成源极图案、漏极图案与第一接垫图案电性连接的第二接垫图案。接着，形成图案化保护层于栅极绝缘层上，而图案化保护层具有暴露出源极图案或漏极图案的第二开口与暴露出第二接垫图案的第三开口。
薄膜晶体管阵列制作方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200810095224.X有效
发明人：詹勋昌;林汉涂;曾贤楷;张柏翎;周可仲 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-05-05 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种显示装置与其制造方法。此种显示装置包括基板、多层式导电层、有机光刻胶层以及透明导电层。多层式导电层包括下阻障层、中间层及上阻障层。前述显示装置的制造方法包括下列步骤：提供基板；依序形成下阻障层、中间层及上阻障层于基板上，以形成多层式导电层；形成有机光刻胶层于多层式导电层上；以及形成透明导电层于有机光刻胶层上，且透明导电层是与中间层及上阻障层接触。本发明具有不需增加制造工艺步骤，以及不需改变材料层的厚度的优点，除不会增加额外的成本外，亦可相容于传统的制造方法。
显示装置及其制造方法

[发明专利]主动元件阵列结构及其制造方法-CN200810003065.6有效
发明人：游伟盛;方国龙;林祥麟;曾贤楷;林汉涂 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-01-18 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种主动元件阵列结构，配置于一基板上，其包括一第一图案化导体层、一图案化栅绝缘层、一图案化半导体层、一第二图案化导体层、一图案化平坦层与一透明导电层。图案化栅绝缘层具有暴露出部分第一图案化导体层的第一开口。图案化半导体层配置于图案化栅绝缘层上。第二图案化导体层配置于图案化半导体层上。图案化平坦层具有第二开口，以暴露出部分第一图案化导体层及部分第二图案化导体层。透明导电层全面地配置于基板上。配置于第一开口以及第二开口内的部分透明导电层在基板以及图案化平坦层之间断开。本发明的主动元件阵列结构，可应用于液晶显示面板中以提升液晶显示面板的显示开口率。本发明还提供了一种前述主动元件阵列结构的制造方法，能降低制作主动元件阵列结构时所需的工艺成本。
主动元件阵列结构及其制造方法

1
2
下一页»
尾页
共 17 条