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[发明专利]一种基于超宽带电磁散射特征的雷达目标识别方法-CN202210057748.X有效
发明人：张瑛;曾瑞雪;刘颖青;冯皓宇 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01S7/41 文献下载
摘要：本发明属于雷达识别技术领域，具体涉及一种基于超宽带电磁散射特征的雷达目标识别方法。本发明是一种基于子带综合和特征融合的雷达目标识别方法，其利用子带HRRP数据信息，采用所提方法合成超宽带HRRP数据，提取UWB参数特征以提高识别性能。然后提出了一种基CNN反向传播算法的跨域特征选择方法，用于选择用于目标识别的参数特征。最后利用提取的UWB参数特征和UWB HRRP样本，提出了一种特征选择方法。因此，该方法可以有效地综合UWB HRRP数据，充分利用数据驱动特征和参数特征。
一种基于宽带电磁散射特征雷达目标识别方法

[发明专利]一种基于深度强化学习的MEC已卸载任务资源分配方法-CN202210078805.2有效
发明人：张瑛;刘颖青;曾瑞雪 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G06F9/50 文献下载
摘要：本发明属于边缘计算技术领域，具体是涉及一种基于深度强化学习的MEC已卸载任务计算资源分配方法。通过构建深度神经网络，将资源分配状态窗口与已卸载任务集合队列作为网络的输入，通过神经网络的前向传播输出每个动作a对应的Q值，根据资源分配策略π选择动作a从而与环境产生交互使当前状态s转换为下一状态s’，并获得奖励函数r，在训练阶段，神经网络会依据网络最大动作价值函数和当前动作价值—函数计算损失函数，通过最小化损失函数对网络参数权重进行更新，使得网络输出动作价值最大化，最终使得DQN算法曲线收敛，进而确定最优的计算资源分配方案π*。本发明旨在确保更多的任务请求数据能够在MEC系统中尽快得到处理，从而达到最小的系统总开销。
一种基于深度强化学习 mec 卸载任务资源分配方法

[发明专利]一种基于智能化控制的人事档案管理装订装置-CN202110843260.5有效
发明人：杨阳;曾瑞雪;王学娟;张磊 -专利权人：承德医学院
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B26D7/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于智能化控制的人事档案管理装订装置，涉及装订技术领域。包括打孔台，所述打孔台的正上方设置有打孔头，所述打孔头的顶部与电机的输出轴固定连接，所述打孔台的顶部固定设置有框架，所述框架内壁的两侧均固定设置有调节装置，所述调节装置的内部活动设置有齿轮。通过设置齿轮、调节杆、吸尘罩、齿条板、传动框以及偏心轮，转动的偏心轮利用与传动框的活动套接带动传动框一侧的齿条板进行反复的垂直移动，垂直移动状态下的齿条板利用与齿轮的啮合连接带动调节杆一端的吸尘罩进行反复的摆动，不断调节吸尘罩的吸尘风向，扩大吸尘罩的吸尘范围，实现均匀的吸尘，吸尘量增加，从而进一步提高吸尘的效率。
一种基于智能化控制人事档案管理装订装置

[发明专利]一种基于物联网的人事智能档案管理柜-CN202110786628.9在审
发明人：杨阳;曾瑞雪;王学娟;张磊 -专利权人：承德医学院
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： A47B63/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于物联网的人事智能档案管理柜，包括装置主体，所述装置主体包括箱体、箱门、横板以及纵板，所述箱体一侧呈平均分布形式通过合页连接箱门，所述箱体包括第一电子识别标牌、摄像头、控制面板、扬声器孔、指纹识别模块、挡板、底座、电机以及除湿器，所述箱体一侧通过嵌入方式与第一电子识别标牌一侧连接，所述摄像头固定安装在箱体一侧，所述第一电子识别标牌位于摄像头上方，通过各个部件的互相组合，大大的提高了该装置主体的安全性，提高了该装置主体的整体的存取档案的效率，整体均由系统控制，存取均由控制面板记录，并且传输至电脑终端，可做到专人专用，保证了档案的安全性，以及严密性。
一种基于联网人事智能档案管理

[发明专利]用于待测物离子活度检测的半导体器件及其检测方法-CN201510657858.X有效
发明人：张世理;吴东平;曾瑞雪;文宸宇;胡潘根 -专利权人：上海小海龟科技有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于待测物离子活度检测的半导体器件及其检测方法，所述的半导体器件包括衬底、设置于衬底上的源极、漏极，所述的半导体器件还包括对所述的待测物的离子活度的灵敏度不同的第一离子敏感膜与第二离子敏感膜，且所述的待测物设置于所述的第一离子敏感膜与所述的第二离子敏感膜之间，所述的第一离子敏感膜设置于所述的衬底上，所述的第二离子敏感膜与栅电源相连接，在一种优选的实施方式中还引入了梳齿电容。采用该种结构的用于待测物离子活度检测的半导体器件及其检测方法，省略了参比电极，引入了两个不同的离子敏感膜，准确地测量出待测物的离子活度，结构简单，成本低，具有较广泛的应用范围。
用于待测物离子检测半导体器件及其方法

[发明专利]一种基于发型识别的智能发型打理护理方法及系统-CN201910129836.4在审
发明人：马文涛;杨楚然;林文杰;姜皓天;李佳;刘城侨;王占晋;孙义环;曾瑞雪 -专利权人：杭州数为科技有限公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： G06F16/435 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于发型识别的智能发型打理护理方法及系统，包括：获取用户的头像信息、发型信息以及头发相关信息，将用户的发型信息数据化，获得用户发型拆分后的各维度数据；通过深度学习算法对获取的大量头像信息、发型信息以及头发相关信息样本进行分析挖掘，获取客户离店后的发型的打理护理周期，建立用户发型打理护理周期模型库；根据获取用户的用户头像信息、发型信息以及头发相关信息，结合建立的用户发型打理护理周期模型库，智能匹配一款适合该用户的发型打理护理模型方案；将最终智能匹配的发型打理护理模型方案展示给用户。本发明具备识别客户发型、分析客户服务项目、分析打理护理造型功能，帮助发型师提供客人发型售后服务方案。
发型护理相关信息护理模型头像信息智能匹配周期模型头发信息数据化客户服务售后服务学习算法用户头像造型功能分析智能客户维度样本挖掘帮助展示

[发明专利]半导体器件及其检测方法-CN201510662259.7有效
发明人：唐佛南;吴东平;曾瑞雪;文宸宇;汪澜 -专利权人：深圳市共进电子股份有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其检测方法，其中，该半导体器件包括用于电容检测的半导体器件以及双模式半导体器件，该用于电容检测的半导体器件通过相同的第一离子敏感膜和第二离子敏感膜杜绝离子活度的影响，从而实现对待测物的电容的检测，该双模式半导体器件基于该用于电容检测的半导体器件，通过施加参比电极来实现该双模式半导体器件，可以实现对待测物的电容和离子活度的检测；其中在一种较好的实施方式中，还引入了梳齿电容，以使得该双模式半导体器件的工作更加准确。采用该种结构的半导体器件及其检测方法，实现了对待测物的电容和离子活度的同时检测，提高了对测量的准确性，有利于后续对待测物的研究，器件结构简单，应用范围广泛。
半导体器件及其检测方法

[发明专利]带宽及吸收频段可调的石墨烯吸波器及其吸波调节方法-CN201710954128.5在审
发明人：熊汉;董吉;曾瑞雪;李鲁超;欧照杰;唐明春;曾孝平 -专利权人：重庆大学
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种带宽及吸收频段可调的石墨烯吸波器，由M×N个吸波单元组成，M和N是自然数，M>2，N>2，每个吸波单元包括底层金属及2×2个吸波片，每个吸波片均贴附在底层金属上，每个吸波片从上到下依次由顶层金属、石墨烯层及电介质层贴附而成，每个吸波片的石墨烯层与底层金属分别通过一个独立电源连接。通过调节施加在吸波片上的电压大小能够调节吸波片的吸波频段，向不同的吸波片施加大小不同的电压，能够使一个吸波单元上的各个吸波片的吸波带宽不同，从而实现提升吸波器带宽、并且使吸收频段可以调节的目的。
带宽吸收频段可调石墨烯吸波器及其调节方法

[发明专利]半导体生物传感器及其制备方法-CN201610290858.5有效
发明人：刘亚;张亮;吴东平;曾瑞雪 -专利权人：上海小海龟科技有限公司;复旦大学
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体生物传感器及其制备方法。半导体生物传感器包含衬底，形成在衬底之上的外延层，形成在外延层中的离子敏感场效应晶体管的源区、漏区以及双极型晶体管的基区和发射区，形成在外延层上离子敏场效应晶体管的源区、漏区之间的栅氧化层，形成在栅氧化层之上的离子敏感场效应晶体管的栅区；离子敏感场效应晶体管的衬底，作为双极型晶体管的集电区；集电区、发射区、源区和栅区均通过金属互连线引出，作为半导体生物传感器的集电极、发射极、源极和栅极。本发明半导体生物传感器结构简化，从而使其便于集成和封装。
半导体生物传感器及其制备方法

[发明专利]离子敏感场效应晶体管及其制备工艺-CN201410100698.4有效
发明人：吴东平;曾瑞雪;文宸宇;张世理 -专利权人：复旦大学
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管及其制备工艺。包含半导体衬底，栅绝缘层，通过掺杂形成的源极和漏极以及与所述源极和所述漏极掺杂类型相同的埋设沟道，埋设沟道位于半导体衬底内靠近上表面处，且埋设沟道与半导体衬底上表面不接触，源极和漏极分别位于埋设沟道两侧，栅绝缘层位于埋设沟道之上的半导体衬底上。与现有技术相比，本发明中当源极和漏极之间产生电流时，电流优先从埋设沟道流过，而不是从栅绝缘层与半导体衬底的接触界面通过，这样就避免了由于上述接触界面存在的表面缺陷而产生的测量电流的噪声，避免了因表面载流子散射降低器件的信噪比和离子测量的灵敏度。
离子敏感场效应晶体管及其制备工艺

[发明专利]低温制备二维柔性离子敏场效应晶体管的方法-CN201710440266.1在审
发明人： 曾瑞雪;仇志军;吴东平 -专利权人：复旦大学
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2017-10-10 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明属于电化学传感器件制造技术领域，具体为一种低温制备二维柔性离子敏场效应晶体管的方法。本发明中，以柔性材料作为衬底，其上沉积图形化金属层作为背电极，在背电极上生长绝缘氧化层，在绝缘介质层上转移二维半导体薄膜，作为器件的导电沟道；在二维半导体薄膜上形成图形化金属层作为该器件的源、漏区；在沟道区域上方沉积功能层材料。本发明利用微波退火工艺低温处理，一方面改善器件各层之间的界面特性，消除测试中由于界面缺陷造成的迟滞、漂移等现象；另一方面，借助功能层材料对微波的吸收作用，与在二维半导体薄膜界面处形成纳米结构的功能层，可应用于不同场景的传感检测。微波退火工艺具有快速，低热预算，制造周期短，成本低廉等优点。
低温制备二维柔性离子场效应晶体管方法

[发明专利]离子敏感场效应晶体管及其制备方法-CN201410100281.8有效
发明人：吴东平;文宸宇;曾瑞雪;张世理 -专利权人：复旦大学
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管及其制备方法。该离子敏感场效应晶体管包含半导体衬底，场氧化层，位于半导体衬底上通过掺杂形成的源极和漏极，源极和漏极之间被刻蚀到半导体衬底内部的凹槽结构，位于凹槽外围并与源极和漏极掺杂类型相同的凹形掺杂区域，该凹形掺杂区域中掺杂浓度峰值处的区域为埋层凹槽，该埋层凹槽与凹槽互不接触，上述场氧化层位于半导体衬底上除源极、漏极和凹槽之外的所有区域，凹槽表面有离子敏感膜。与现有技术相比，本发明中的晶体管能够在测量时免遭周围环境中电磁场的干扰，而且测量时电流密度更大，还能够避免凹槽的表面缺陷或表面固态电荷在测量时对电流灵敏度的影响。
离子敏感场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种压力传感器件及其制造方法-CN201510469367.2在审
发明人：张敬维;曾瑞雪;吴东平 -专利权人：复旦大学
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明属于半导体传感器技术领域，具体为一种压力传感器件及其制备方法。本发明的压力传感器件包括至少一个场效应晶体管、一个压电控制栅；所述场效应晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体管；所述压电控制栅包括压电薄膜、压电薄膜的上表面电极、压电薄膜的下表面电极、介于所述场效应晶体管栅极与压电薄膜的下表面电极之间的连接电极。本发明所提出的压力传感器件用作压力信号的感知，具有制作工艺简单、单元面积小、芯片集成度高、对压力的灵敏度高等特点。
一种压力传感器及其制造方法

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