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[发明专利]倒装发光二极管及其制备方法-CN202110831415.3有效
发明人：林素慧;黄敏;张中英;彭康伟;江宾;曾明俊;曾炜竣 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种倒装发光二极管及其制备方法，包括外延主体层、挡墙和保护层；外延主体层包括在第一表面和第二表面之间依次排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层；位于有源层和第二半导体层侧壁处的挡墙与外延主体层之间存在第一间隙；第一间隙的深度大于有源层和第二半导体层的总厚度；保护层至少覆盖外延主体层的第二表面和第一间隙的内表面；保护层包括第一绝缘层、第二绝缘层和金属层，金属层位于由第一绝缘层和第二绝缘层所围合成的封闭空间内。挡墙位于切割处与外延主体层之间，其能够在切割时减小外延主体层侧壁处的保护层所产生的应力，避免外延主体层侧壁处的保护层在应力作用下断裂，提高倒装发光二极管的可靠性。
倒装发光二极管及其制备方法

[发明专利]发光二极管、LED芯粒及发光装置-CN202310879904.5在审
发明人：陈功;臧雅姝;李俊贤;曾炜竣;张中英;蔡吉明;黄少华;贺春兰;潘子燕 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本申请提供一种发光二极管、LED芯粒及发光装置，发光二极管包括：衬底；形成于衬底正面上外延层，包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层；覆盖于外延层上方的保护层，其中，外延层被分割为若干芯粒，芯粒包括在横向和纵向上相交的横向侧壁和纵向侧壁，相邻芯粒之间形成切割道，切割道包括分别沿横向和纵向延伸的横向切割道和纵向切割道，保护层覆盖切割道和芯粒侧壁，横向切割道和纵向切割道的交叉区域的保护层设置有图形化结构，图形化结构包括向衬底延伸的凹槽。凹槽将裂片刀交点产生的裂纹限制在图形化结构内部，降低了裂片刀与保护层重复接触产生应力开裂的概率，并有效阻止裂纹延伸，避免切割的崩边崩角现象，确保了元件质量。
发光二极管 led 发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202310716701.4在审
发明人： 曾炜竣;张中英;臧雅姝;江宾;陈思河;龙思怡 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管，其包括衬底、外延结构、第一接触电极、第二接触电极和第一金属结构，外延结构位于衬底的上表面，并包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一凹槽是自第二半导体层贯穿至第一半导体层，第二凹槽是自第一半导体层向衬底延伸，第一半导体层于第二凹槽处具有第一侧壁，第一接触电极至少覆盖部分第一侧壁，第二接触电极位于外延结构上，并电连接第二半导体层，第一金属结构覆盖第一接触电极和第一半导体层的上表面，从发光二极管的上方朝向外延结构俯视，第二凹槽位于第一凹槽的内部。借此设置，既可以提升发光二极管的出光效率，还可降低整体操作电压。
发光二极管发光装置

[实用新型]一种紫外发光元件及发光装置-CN202320146128.3有效
发明人：陈功;臧雅姝;陈剑斌;卓佳利;江宾;张中英;蔡吉明;黄少华;曾炜竣;陈思河 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种紫外发光元件及发光装置。紫外发光元件包括半导体叠层、第一接触电极、第二接触电极；半导体叠层包括依次层叠的第一类半导体层、发光层和第二类半导体层以及暴露出第一类半导体层部分表面的台面；第一接触电极形成在台面上且电连接第一类半导体层；其中，第一接触电极至少包括环状电极和指状电极，环状电极围绕所述台面的外周区域设置，指状电极由环状电极向台面的内部区域延伸，指状电极包括第一凸起电极和第二凸起电极。通过上述对第一接触电极的形状结构进行改进，从而有效降低操作电压，优化电流扩展的均匀性，提升紫外发光元件的发光亮度。
一种紫外发光元件装置

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN202310675281.X在审
发明人： 曾炜竣;彭康伟;林素慧;江宾;曾明俊;黄敏 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光元件及其制造方法。该发光元件包含：发光叠层，包含相对设置的第一表面以及第二表面，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性，第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；接触电极，形成于所述发光叠层第一表面上，与所述发光叠层接触；以及绝缘层，位于所述发光叠层上，覆盖所述发光叠层和接触电极；其中，所述接触电极包含多种金属元素，所述多种金属元素至少包含一种功函数为不小于5 eV的第二金属，所述第二金属接触于第一表面上。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]一种发光二极管芯片及发光装置-CN202310717083.5在审
发明人：陈功;臧雅姝;李俊贤;曾炜竣;贺春兰;张中英;蔡吉明;黄少华 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本申请提供一种发光二极管芯片及发光装置，电流阻挡层包括第一部分和第二部分，电流扩展层具有第一开口，第一部分位于所述电流扩展层的所述第一开口内。第一部分与所述电流扩展层之间具有第一间隙；第一部分与第二部分之间具有第二间隙；电极结构覆盖第一部分，并且通过第一间隙接触半导体发光序列堆叠层的上表面；至少部分扩展条形成在电流阻挡层的第二部分之上和电流扩展层之上；电流扩展层的第一开口的部分边缘位于电流阻挡层的第二部分之上。上述设置增加了电极焊盘的附着力，提高打线能力。还可以通过调控第一间隙与第二间隙的大小关系，避免电流直接注入到半导体叠层，提升发光二极管芯片的电流扩展能力和可靠性。
一种发光二极管芯片发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202280006115.4在审
发明人：陈思河;臧雅姝;曾炜竣;黄少华;蔡吉明;张中英;林素慧;龙思怡 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有多个通孔，各通孔是自第二半导体层向下延伸至第一半导体层，各通孔裸露出第一半导体层的部分表面；其中，发光二极管具有额定电流，通孔具有第一半径，第一半径与额定电流的比值范围为0.1～0.4。借此，增强载子传导能力，使得局域电流密度的均等化，避免集中区电流带来的热效应，发光层烧出熔洞或烧穿，避免直下的电损伤，直接击穿PN结，进而提升发光二极管的抗ESD性能。
发光二极管发光装置

[发明专利]紫外发光二极管及发光装置-CN202180005045.6有效
发明人：江宾;龙思怡;臧雅姝;彭康伟;曾炜竣;陈思河;曾明俊 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外发光二极管及发光装置，包括：半导体层序列，包含具备第一导电性的第一半导体层，具备与第一导电性不同的第二导电性的第二半导体层，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；欧姆接触层，形成于所述第二半导体层上，并与所述第二半导体层形成欧姆接触，厚度为30nm以下；金属电流扩展层，形成于所述欧姆接触层上，通过所述欧姆接触层与所述第二半导体层形成电性连接；反射层，形成于所述电流扩展层上，并覆盖裸露出的第二半导体层表面。本发明所述发光二极管可以有效提效发光效率。
紫外发光二极管发光装置

[发明专利]紫外发光二极管及发光装置-CN202210108059.7在审
发明人：臧雅姝;陈思河;卓佳利;贺春兰;张中英;江宾;曾炜竣 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外发光二极管，其包括外延结构、第一接触电极、第二接触电极以及绝缘调光结构，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一接触电极位于外延结构之上并电连接第一半导体层，第二接触电极位于外延结构之上并电连接第二半导体层，绝缘调光结构位于外延结构之上并覆盖第二接触电极，用于调制发光层发出的光线。借此，可以改善出光角度，加强对于紫外光的反射，提升紫外发光二极管的出光性能。
紫外发光二极管发光装置

[发明专利]紫外发光二极管及发光装置-CN202210108058.2在审
发明人：臧雅姝;陈思河;卓佳利;贺春兰;江宾;张中英;曾炜竣 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外发光二极管，其包括外延结构、第一接触电极、第二接触电极、第一连接电极及第一绝缘结构，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一接触电极位于外延结构之上并电连接第一半导体层，第二接触电极位于外延结构之上并电连接第二半导体层，第一连接电极位于第一接触电极之上，第一绝缘结构位于第一连接电极和第二接触电极之上，其中，外延结构具有若干个导通孔，若干个导通孔是由第二半导体层向下贯穿至第一半导体层。借此，既可以达到电流均匀分布的效果而提升紫外发光二极管的出光效果，还可保留了更大的发光层的面积，提升发光层的出光量。
紫外发光二极管发光装置

[发明专利]紫外发光二极管及发光装置-CN202111481531.3有效
发明人： 曾炜竣;张中英;臧雅姝;江宾;陈思河;龙思怡 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外发光二极管，其包括衬底、外延结构、第一接触电极和第二接触电极，外延结构位于衬底的上表面，并包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，第一凹槽是自第二半导体层贯穿至第一半导体层，第二凹槽是自第一半导体层向衬底延伸，第一半导体层于第二凹槽处具有第一侧壁，第一接触电极至少覆盖部分第一侧壁，第二接触电极位于外延结构上，并电连接第二半导体层，其中，第一半导体层中掺杂有Al，从紫外发光二极管的上方朝向外延结构俯视，第一凹槽的面积占外延结构的面积的20％‑70％，第二凹槽位于第一凹槽的内部。借此设置，既可以提升紫外发光二极管的出光效率，还可降低整体操作电压。
紫外发光二极管发光装置

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN202180001695.3有效
发明人： 曾炜竣;彭康伟;林素慧;江宾;曾明俊;黄敏 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体发光元件及其制造方法。该发光元件包含：发光叠层，包含相对设置的第一表面以及第二表面，其具备：第一半导体层，其具备第一导电性，第二半导体层，其具备与第一导电性不同的第二导电性，及有源层，其介于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，并通过电子和空穴的复合而生成光；接触电极，形成于所述发光叠层第一表面上，与所述发光叠层接触；以及绝缘层，位于所述发光叠层上，覆盖所述发光叠层和接触电极；其中，所述接触电极包含多种金属元素，所述多种金属元素至少包含一种功函数为不小于5 eV的第二金属，所述第二金属接触于第一表面上。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202211723448.7在审
发明人：陈功;臧雅姝;陈剑斌;江宾;张中英;蔡吉明;黄少华;曾炜竣;陈思河 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、凹槽和挡体结构，第一半导体层具有相对的上表面和下表面，发光层设置在第一半导体层的上表面，第二半导体层设置在发光层之上，凹槽自第一半导体层的上表面向第一半导体层的下表面延伸，挡体结构设置在贴近于凹槽处的第一半导体层之上，其中，从发光二极管的上方朝向第一半导体层俯视，第一半导体层至少围绕凹槽的二个侧边，挡体结构与发光层彼此独立。借此，通过挡体结构的设置，既能够减少高低差，降低固晶空洞率，增加金属剥离时的接触点，便于金属剥离；还可以作为导光柱，起到反光效果，提升发光二极管的出光性能。
发光二极管发光装置

[发明专利]发光二极管及发光装置-CN202280005524.2在审
发明人：江宾;陈思河;陈功;臧雅姝;张中英;彭康伟;曾炜竣;曾明俊;龙思怡 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括：半导体层序列，包含第一半导体层（121）、第二半导体层（123）及介于两者之间的有源层（122），该半导体层序列具有第一台面（M1）及位于第一台面（M1）之上的第二台面（M2），第一台面（M1）邻近第二台面（M2）的位置具有电流阻断部（131）及位于电流阻断部（131）下方的电流导通部（132）；第一半导体层（121）具有一远离有源层（122）的第一表面（S1），第一台面（M1）具有远离第一表面（S1）的第二表面（S2），第二表面（S2）与第一表面（S1）的距离大于或者等于第一半导体层（121）厚度的一半，电流导通部（132）在半导体层序列的厚度方向上的高度（D2）为第一半导体层（121）厚度的1/5至1/2。该发光二极管可以提升载流子注入效率。
发光二极管发光装置

[发明专利]一种发光二极管及发光装置-CN202211541638.7在审
发明人：陈功;陈剑斌;臧雅姝;江宾;张中英;黄少华;曾炜竣 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层、第一电极和第二电极，半导体叠层具有台面、侧壁、相对的下表面和上表面，半导体叠层由下表面到上表面依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，台面与半导体叠层上表面同侧，侧壁是指连接上表面和台面的侧面，第一电极电连接第一半导体层，第二电极电连接第二半导体层。台面具有凹槽，凹槽延伸至第一半导体层内，第一电极具有靠近侧壁的第一侧壁，第一侧壁至少部分设置在凹槽内。通过凹槽的设置，可实现分层调节电流的走向，减少电流拥挤效应，从而起到增加电流扩展的作用，有效提升发光二极管的载流子注入效率。
一种发光二极管发光装置

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