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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202010933260.X有效
发明人：陈怡臻;曾李全;林诗玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：提供一种半导体器件及其形成方法。所述半导体器件包括位于衬底之上的波导。所述半导体器件包括位于衬底之上的第一介电结构，其中波导的一部分位于第一介电结构中。所述半导体器件包括位于波导下方的第二介电结构，其中第二介电结构的第一侧壁邻近衬底的第一侧壁。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]集成芯片及其形成方法-CN201910122377.7有效
发明人：陈亭蓉;曾李全 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种集成芯片，包含：第一衬底；第二衬底，上覆于第一衬底；以及第三衬底，上覆于第二衬底。第一衬底、第二衬底以及第三衬底至少部分地定义空腔，且第二衬底包含第一衬底与第三衬底之间的空腔中的可移动块。吸气剂结构处于空腔中，且包含吸气剂层和过滤层。吸气剂层包括吸气剂材料。过滤层具有邻接吸气剂层的第一侧，且进一步具有与第一侧相对且面向空腔的第二侧。过滤层配置成在阻挡任何杂质时将吸气剂材料从第一侧传递到第二侧。
集成芯片及其形成方法

[发明专利]工艺工具及其操作方法-CN202210049679.8在审
发明人： 曾李全 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：在一些实施例中，本公开涉及一种工艺工具，所述工艺工具包括界定处理室的室壳体。在处理室内是被配置成对工件进行固持的工件固持器装置。声呐传感器布置在工件固持器装置之上。声呐传感器包括：发射器，被配置成生成朝工件固持器装置行进的声波。声呐传感器还包括：检测器，被配置成从工件固持器装置或位于声呐传感器与工件固持器装置之间的物体接收反射声波。此外，声呐传感器控制电路系统耦合到声呐传感器且被配置成基于由声呐传感器的检测器接收的反射声波的声呐强度值来判断在工件固持器装置上是否存在工件。
工艺工具及其操作方法

[发明专利]半导体处理机台及其使用方法-CN202110699200.0在审
发明人：陈亭蓉;林诗玮;曾李全 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种处理机台工具，包含：腔室壳体，由处理腔室界定；以及晶片卡盘结构，设置在处理腔室内。晶片卡盘结构配置成在制造工艺期间固持晶片。晶片卡盘包含下部部分和设置在下部部分上方的上部部分。下部部分包含从下部部分的最顶部表面朝向最底部表面延伸的多个沟槽。上部部分包含多个开口，所述开口为孔，完全延伸穿过上部部分且直接上覆下部部分的沟槽。多个开口直接上覆各沟槽。此外，冷却气体管道耦合到晶片卡盘结构的下部部分的沟槽，并且冷却气体源耦合到冷却气体管道。
半导体处理机台及其使用方法

[发明专利]加工腔室的清洁方法及等离子体加工装置-CN201810902004.7有效
发明人：廖敬丞;曾李全;吴常明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：在一些实施例中，提供一种加工腔室的清洁方法及等离子体加工装置。可透过将加工气体引入加工腔室中来执行此方法，其中加工腔室具有沿加工腔室侧壁的副产物。利用射频信号由加工气体产生等离子体。将下方电极连接至第一电位。同时，对侧壁电极施加具有第二电位的偏压，以促使对副产物的离子轰击，其中第二电位的值大于第一电位的值。从加工腔室排出加工气体。
加工清洁方法等离子体装置

[发明专利]形成集成电路装置的方法-CN201910482441.2有效
发明人：潘瑞彧;曾国权;曾李全;陈盈桦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本揭示内容涉及集成电路装置的制造制程。提供了一种自对准双图案化方法。在该方法中，在形成间隔物于心轴旁边之后并在剥离心轴之前，执行用于线切割的微影制程，以决定线末端的位置。使用由心轴材料和间隔物材料所制成的标记，来对准用于线切割的蚀刻光罩与心轴和间隔物层。相较于先前的方法(在心轴移除之后执行线切割制程)，在此公开的方法中，线末端遮罩由心轴材料和间隔物材料所制成，与仅由间隔物材料制成的标记相比更容易分辨。因此，本方法为线切割光微影和线末端遮罩的精确定位提供稳健的光学对准信号。
形成集成电路装置方法

[发明专利]对晶片载具中的晶片进行检测与标绘的方法-CN202110466105.6在审
发明人： 曾李全 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种方法包括产生朝工件载具的第一槽的第一辐射射束。第一辐射射束具有第一射束面积，第一射束面积大于或等于第一槽的开口的面积。所述方法还包括测量第一辐射射束的朝辐射传感器反射并照射在辐射传感器上的反射部分。所述方法还包括基于第一辐射射束的所测量的反射部分判断工件载具的第一槽是否正容纳有工件。
晶片中的进行检测标绘方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201610830422.0有效
发明人： 曾李全;吴常明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种制造半导体装置的方法。所述方法包括以下步骤。(a)将衬底图案化。(b)在所述图案化的衬底上形成聚合物层。(c)将所述聚合物层图案化。交替重复步骤(a)、(b)与(c)。检测等离子与步骤(a)、(b)与(c)产生的产物反应所发生的发射光的强度。所述强度的采样速度范围大体上为1pt/20ms到1pt/100ms。使用平滑函数处理所述等离子与所述产物的所述反应所发生的所述发射光的所述强度。
制造半导体装置方法

[发明专利]改进的离子束蚀刻反应腔及执行蚀刻过程的方法-CN201910117604.7有效
发明人：谢得贤;曾李全 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本申请涉及改进的离子束蚀刻反应腔及执行蚀刻过程的方法。在一些实施例中，本揭露涉及一种离子束蚀刻设备。所述离子束蚀刻设备包含：衬底固持件，其放置于处理反应腔内；及等离子体源，其与所述处理反应腔连通。真空泵借助于入口耦合到所述处理反应腔。一或多个隔板布置于所述衬底固持件与所述处理反应腔的下表面之间。副产物再分配器经配置以将来自蚀刻过程的副产物从所述一或多个隔板的外部移动到所述一或多个隔板正下方。
改进离子束蚀刻反应执行过程方法

[发明专利]形成集成电路（IC）器件的方法和集成电路器件-CN202110690849.6在审
发明人：陈亭蓉;曾李全 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：集成电路(IC)器件包括：第一衬底；介电层，设置在第一衬底上方；以及第二衬底，设置在介电层上方。第二衬底包括从介电层向上延伸的包括硅的锚定区域；并且一系列相互交叉的指状件从锚定区域的内侧壁延伸。相互交叉的指状件通常在第一方向上彼此平行延伸，并且具有通常在第一方向上延伸的相应的指状件长度。多个含硅峰设置在相应的指状件正下方的介电层上。一系列相互交叉的指状件悬在多个峰上方。第一峰设置在指状件的基底下方并且具有第一高度，并且第二峰设置在指状件的尖端下方并且具有小于第一高度的第二高度。本申请的实施例还涉及形成集成电路(IC)器件的方法。
形成集成电路 ic 器件方法

[发明专利]微机电系统封装体及抗静摩擦装置的制造方法-CN201711259218.9有效
发明人： 曾李全;吴常明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明实施例系关于微机电系统封装体及其形成方法，其特征在于具有凸起边缘的平板围绕平板的外围以作为抗静摩擦装置。提供互补式金属氧化物半导体集成电路，其具有介电结构围绕多个导电内连线层，这些导电内连线层设置于互补式金属氧化物半导体基底上。将微机电系统集成电路接合至介电结构，使得微机电系统集成电路与介电结构的降低中央部形成空腔，并且微机电系统集成电路包含可移动块状物安排于空腔内。互补式金属氧化物半导体集成电路包含抗静摩擦板设置于可移动块状物下方。此抗静摩擦板由导电材料制成，并且具有凸起边缘围绕大致上平坦上表面的外围的至少一部份。
微机系统封装静摩擦装置制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610724049.0有效
发明人：郑钧文;邓伊筌;谢政宇;曾李全;林诗玮;刘世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：半导体结构包括第一器件、第二器件、第一孔洞、第二孔洞和密封物体。第二器件接触至第一器件，其中，在第一器件和第二器件之间形成室。第一孔洞设置在第二器件中并且限定在具有第一圆周的第一端和具有第二圆周的第二端之间。第二孔洞设置在第二器件中并且与第一孔洞对准。密封物体密封第二孔洞。第一端与室连接，并且第一圆周与第二圆周不同。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体晶圆的制程方法-CN202011033748.3在审
发明人： 曾李全 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：提供一种半导体晶圆的制程方法。该方法包括将一制程气体供应至含有一半导体晶圆的一蚀刻腔室中。该方法亦包括侦测该蚀刻腔室中的一压力。该方法进一步包括通过根据由压力感测器产生的与该蚀刻腔室中的一压力有关的一数据调整一阀的一开启比例来调节来自该蚀刻腔室的一废气流。另外，该方法包括基于该阀的该开启比例来判定一蚀刻终点。
半导体方法

[发明专利]微机电系统及其制造方法-CN201910903595.4在审
发明人： 曾李全;谢元智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明一些方面提供一种微机电系统，其包含具有第一凹穴的半导体衬底。半导体衬底形成与第一凹穴相邻的底座。装置上覆于底座且通过第一凹穴内的金属接合到半导体衬底。多个第二凹穴形成于装置下方的底座的表面中，其中第二凹穴小于第一凹穴。在一些教示中，第二凹穴是空隙。在一些教示中，第一凹穴中的金属包括共熔混合物。此结构涉及一种微机电系统的制造方法，其中将提供掩模以刻蚀第一凹穴的层分段为使得能够容易地从底座上方的区域去除掩模提供层。
微机系统及其制造方法

[发明专利]上部不变宽的高纵横比蚀刻-CN201510735478.3有效
发明人：周仲彥;蔡嘉雄;曾李全;李汝谅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种用于实施高纵横比蚀刻的方法。提供了一种具有布置在半导体衬底上方的硬掩模层的半导体衬底。对硬掩模层实施第一蚀刻以形成暴露半导体衬底的硬掩模开口。硬掩模开口具有底部宽度。穿过硬掩模开口，对半导体衬底实施第二蚀刻，以形成具有顶部宽度的衬底开口，顶部宽度约等于硬掩模开口的底部宽度。形成内衬于衬底开口的侧壁的保护层。穿过硬掩模开口，对半导体衬底实施第三蚀刻，以增加衬底开口的高度。在第三蚀刻期间，衬底开口的顶部宽度基本保持不变。也提供了具有高纵横比开口的半导体结构。本发明实施例涉及上部不变宽的高纵横比蚀刻。
上部变宽纵横蚀刻

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