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[发明专利]基于复合材料膜层的图形化衬底、制备方法及LED外延片-CN202310175665.5在审
发明人： 曾广艺;王子荣;卢建航 -专利权人：广东中图半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种基于复合材料膜层的图形化衬底、制备方法及LED外延片，该基于复合材料膜层的图形化衬底的制备方法包括：提供一平片蓝宝石衬底；通过第一等离子体增强化学气相沉积工艺，在平片蓝宝石衬底上形成第一无机氧化物层；通过第二等离子体增强化学气相沉积工艺，在第一无机氧化物层上形成第二无机氧化物层，其中，第二无机氧化物层的氧含量小于第一无机氧化物层的氧含量。利用上述方法，有助于提高第二无机氧化物层对于光刻胶的粘附性，以提升光刻胶膜层的匀胶良率，减少膜层的表面改性增粘处理的步骤，降低匀胶过程中受时限性的限制，避免图形化衬底的脱胶缺陷，提高图形化衬底的制备效率，降低图形化衬底的生产成本。
基于复合材料图形衬底制备方法 led 外延

[发明专利]一种图形化衬底LED外延片异常的反向分析方法-CN202110117826.6有效
发明人： 曾广艺;张剑桥;王子荣;陆前军 -专利权人：广东中图半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种图形化衬底LED外延片异常的反向分析方法，LED外延片包括叠层设置的图形化衬底和外延层；该图形化衬底LED外延片异常的反向分析方法包括：对外延层的表面进行宏观缺陷检测和/或微观形貌检测；逐层刻蚀剥离外延层形成多个刻蚀面，直至将外延层全部清理去除；对每个刻蚀面进行宏观缺陷检测和/或微观形貌检测，确定刻蚀面的异常情况并分析刻蚀面的异常情况与图形化衬底的关联性。本发明实施例通过逐层刻蚀分析外延层，可建立起图形化衬底与外延层异常的直观联系，有利于改善优化工艺技术，进而减少异常产品，提高产品质量。
一种图形衬底 led 外延异常反向分析方法

[发明专利]一种利用静电纺丝制备图形化衬底的方法及图形化衬底-CN202211387578.8在审
发明人：卢建航;王子荣;曾广艺;张锦宏;康凯 -专利权人：广东中图半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种利用静电纺丝制备图形化衬底的方法及图形化衬底。该利用静电纺丝制备图形化衬底的方法包括：采用静电纺丝工艺在基底上形成静电纺丝框架，静电纺丝框架包括多条丝状结构，相邻丝状结构之间存在间隙；以静电纺丝框架作为掩膜，在相邻丝状结构之间的间隙中形成图形微结构或掩膜图形；去除静电纺丝框架，保留基底上的图形微结构，形成图形化复合衬底，或者，保留基底上的掩膜图形，再以掩膜图形作为掩膜在基底上形成图形微结构，形成图形化衬底。本发明实施例解决了传统方法不能保证图形化衬底的质量，较难实现纳米级别的图形化衬底的问题，实现了低成本高精度的加工效益。
一种利用静电纺丝制备图形衬底方法

[发明专利]一种图形化衬底、制备方法及LED外延片-CN202211027249.2在审
发明人： 曾广艺;王子荣 -专利权人：广东中图半导体科技股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种图形化衬底、制备方法及LED外延片，制备方法包括提供一蓝宝石基底；在基底上沉积第一异质材料，形成预设孔隙率的带孔隙异质层或混合沉积至少两种异质材料，形成预设掺杂比例的复合异质层；通过刻蚀工艺对复合异质层或带孔隙异质层进行图案化，形成预设表面粗糙度的多个第一异质微结构，多个表面粗糙的第一异质微结构能够促进外延层内部的位错沿图形侧面以及在图形顶部的合拢，提高外延材料的晶体质量、减小衬底表面的应力影响，同时保证图形化衬底对光线路径的改善，衬底与异质材料较大的折射差也能够提升出光的提取效率。
一种图形衬底制备方法 led 外延

[发明专利]一种衬底表面的微处理方法、复合衬底及LED外延片-CN202110835665.4有效
发明人： 曾广艺 -专利权人：广东中图半导体科技股份有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种衬底表面的微处理方法、复合衬底及LED外延片，微处理方法包括：通过提供衬底，在衬底的一侧表面沉积非晶膜层，在非晶膜层远离衬底的一侧制备掩膜图形层，将制备完掩膜图形层的衬底进行时效处理，以使掩膜图形层向非晶膜层扩散，在非晶膜层的与掩膜图形层接触的界面形成扩散层，进一步图形化时效处理后的衬底，形成多个图形结构，由于扩散层与非晶膜层的致密度不同，当刻蚀时图形结构的表面形成有多个微结构凸起。本发明实施例提供的微处理方法可以对图形化衬底的图形结构表面进行粗化调控而不影响其它位置表面，增加图形结构的表面面积，提高图形化衬底的光反射效率，进而能够增加LED外延片外量子效率。
一种衬底表面处理方法复合 led 外延

[发明专利]一种图形化复合衬底及制备方法和LED外延片-CN201910951286.4在审
发明人：陆前军;张剑桥;康凯;肖桂明;王子荣;吴伟;曾广艺 -专利权人：东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种图形化复合衬底及制备方法和LED外延片。该图形化复合衬底，包括：衬底基板，所述衬底基板上表面形成有阵列排布的多个凹洞，且所述凹洞的开口尺寸小于阵列排布的所述多个凹洞的周期；异质微结构，所述异质微结构填充于所述凹洞中，所述异质微结构由异质材料制成，所述异质材料的折射率低于或高于所述衬底基板的折射率。本发明实施例解决了现有图形化复合衬底的C面存在缺陷且出光效率率较低的问题，可以保证图形化复合衬底C面的质量，降低外延中位错密度；同时还可以改善衬底基板和外延层界面之间的折射率差，增加光出射的几率，保证光的提取效率。
一种图形复合衬底制备方法 led 外延

[实用新型]一种图形化复合衬底和LED外延片-CN201921684854.0有效
发明人：陆前军;张剑桥;康凯;肖桂明;王子荣;吴伟;曾广艺 -专利权人：东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种图形化复合衬底和LED外延片。该图形化复合衬底，包括：衬底基板，所述衬底基板上表面形成有阵列排布的多个凹洞，且所述凹洞的开口尺寸小于阵列排布的所述多个凹洞的周期；异质微结构，所述异质微结构填充于所述凹洞中，所述异质微结构由异质材料制成，所述异质材料的折射率低于或高于所述衬底基板的折射率。本实用新型实施例解决了现有图形化复合衬底的C面存在缺陷且出光效率率较低的问题，可以保证图形化复合衬底C面的质量，降低外延中位错密度；同时还可以改善衬底基板和外延层界面之间的折射率差，增加光出射的几率，保证光的提取效率。
一种图形复合衬底 led 外延

[实用新型]一种图形化复合基底及LED外延片-CN201920953268.5有效
发明人：康凯;杨志伟;陆前军;曾广艺;向炯;王农华;吴先燕;陈志勤;张剑桥;王子荣 -专利权人：东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种图形化复合基底及LED外延片。该图形化复合基底包括：图形化蓝宝石基板，所述图形化蓝宝石基板表面形成有多个蓝宝石台状微结构；位于所述蓝宝石台状微结构上的异质微结构，所述异质微结构覆盖所述蓝宝石台状微结构的至少部分顶面。本实用新型实施例通过异质微结构覆盖蓝宝石台状微结构的至少部分顶面，一方面避免了外延材料在蓝宝石台状微结构的上表面的生长，抑制外延材料在图形化蓝宝石基底上产生双面竞争生长，另一方面保证了在台状微结构上生长外延材料时，可以释放生长应力，降低了外延生长时产生的缺陷，保证了外延层的质量，有利于改善出光率和增加LED的亮度。
一种图形复合基底 led 外延

[发明专利]一种图形化复合基底、制备方法及LED外延片-CN201910548880.9在审
发明人：康凯;杨志伟;陆前军;曾广艺;向炯;王农华;吴先燕;陈志勤;张剑桥;王子荣 -专利权人：东莞市中图半导体科技有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种图形化复合基底、制备方法及LED外延片。该图形化复合基底包括：图形化蓝宝石基板，所述图形化蓝宝石基板表面形成有多个蓝宝石台状微结构；位于所述蓝宝石台状微结构上的异质微结构，所述异质微结构覆盖所述蓝宝石台状微结构的至少部分顶面。本发明实施例通过异质微结构覆盖蓝宝石台状微结构的至少部分顶面，一方面避免了外延材料在蓝宝石台状微结构的上表面的生长，抑制外延材料在图形化蓝宝石基底上产生双面竞争生长，另一方面保证了在台状微结构上生长外延材料时，可以释放生长应力，降低了外延生长时产生的缺陷，保证了外延层的质量，有利于改善出光率和增加LED的亮度。
微结构台状蓝宝石图形化蓝宝石外延材料复合基图形化异质生长顶面制备基板表面外延生长出光率上表面外延层覆盖基板基底保证释放

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