专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种沟槽绝缘栅双极型晶体管-CN201611094731.2有效
  • 王颖;刘彦娟;于成浩;曹菲 - 杭州电子科技大学
  • 2016-12-02 - 2020-09-15 - H01L29/739
  • 本发明提出了一种沟槽绝缘栅双极型晶体管,包括N‑型电压阻挡层、P型沟道区、P+欧姆接触区、N+发射区、P‑集电区、P+集电极区、N+衬底层以及沟槽栅极、栅氧介质层;其中,所述N‑型电压阻挡层和P型沟道区之间还存在一层N型电流增强层,所述的N‑型电压阻挡层与P型集电区之间存在一层N型缓冲层。该新结构背部具有一个由N‑型电压阻挡层、P‑集电区和N+衬底层组成的NPN晶体管,该NPN晶体管在器件关断过程中为N‑型电压阻挡层内存储的过量电子提供一个快速抽取的通道,减小器件的关断时间,从而减小器件的关断损耗,进而改善器件的通态压降与关断损耗之间的折衷关系。
  • 一种沟槽绝缘栅双极型晶体管
  • [发明专利]4H-SiC沟槽绝缘栅双极型晶体管-CN202010023568.0在审
  • 王颖;毛鸿凯;曹菲;包梦恬 - 杭州电子科技大学
  • 2020-01-09 - 2020-08-11 - H01L29/739
  • 本发明公开了4H‑SiC沟槽绝缘栅双极型晶体管,包括P+欧姆接触区、N+发射区、P型沟道区、载流子存储层、N‑电压阻挡层、N+缓冲层、P+集电区、P型多晶硅区、沟槽型栅极;本发明相对于传统结构,主要提出了在器件集电极一侧引入了沟槽型的p‑poly/p‑SiC异质结。由于异质结做成了沟槽形状,所以器件在正常导通时可以提升空穴注入效率,使得器件的通态压降降低;同时新结构由于异质结的引入,其在关断的过程中为电压阻挡层中载流子的泄放提供了低阻通道,可以加速电子的抽取,进一步降低了关断损耗。
  • sic沟槽绝缘栅双极型晶体管
  • [发明专利]一种4H-SiC沟槽绝缘栅双极型晶体管-CN202010023544.5在审
  • 王颖;毛鸿凯;曹菲;于成浩 - 杭州电子科技大学
  • 2020-01-09 - 2020-08-11 - H01L29/739
  • 本发明提出了一种4H‑SiC沟槽绝缘栅双极型晶体管,包括N‑电压阻挡层、N‑型缓冲层、P型沟道区、P+欧姆接触区、N+发射区、P+集电极区、沟槽栅极以及栅极氧化层等;本发明相对于传统结构,主要提出了在集电极将P+集电区深入到了N‑型的电压阻挡层,同时也引入了间隔分布的p‑poly/p‑SiC异质结。由于新结构中将P+集电区深入到了N‑型电压阻挡层的内部,所以器件正常工作时其可以进行正常的空穴注入,从而改善正向特性;同时由于集电极区域引入了异质结,其为N‑电压阻挡层中载流子的泄放提供了额外的低阻通路,所以器件关断时电子的泄放速度明显加快,进而减小了拖尾电流,降低了关断损耗。
  • 一种sic沟槽绝缘栅双极型晶体管
  • [发明专利]一种SOI像素探测器结构-CN201611094845.7有效
  • 王颖;兰昊;孙玲玲;曹菲 - 杭州电子科技大学
  • 2016-12-02 - 2020-08-11 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种SOI像素探测器结构,由一种SOI像素探测器结构,包括低阻硅层、埋氧层、栅氧化层、高阻n型衬底、埋p阱、埋n阱、p型探测阱、埋n阱引出电极、传输门电极、p型探测阱读出电极和背部电极组成;其中,低阻硅层(电路层)与高阻n型衬底由埋氧层隔开;埋n阱被更加深的埋p阱包围,整个高阻n型衬底耗尽形成电荷灵敏区。该结构埋n阱连接一个适当的电压可以屏蔽衬底电压对电路层的影响;较大的埋p阱形成一个大的电荷收集和储存区域,而较小的p型探测阱作为探测区,与读出电极相连,从而降低SOI像素探测器敏感节点电容。
  • 一种soi像素探测器结构
  • [实用新型]一种用于燃料电池车辆空气供气的增湿降温装置及系统-CN201922496405.X有效
  • 曹菲;常会楷;荀亚敏;王凡 - 潍柴动力股份有限公司
  • 2019-12-31 - 2020-07-28 - H01M8/04089
  • 本实用新型公开了一种用于燃料电池车辆空气供气的增湿降温装置及系统,包括壳体和用于将壳体的内腔分隔成左室和右室的分隔板,左室内设置有排水口和高压喷头;右室内设置有渗透膜,且渗透膜将右室分隔成上层气室和下层气室,上层气室设置有上层出气口和与电堆的反应后空气出口连通的上层进气口,下层气室设置有与电堆的空气进口连通的下层出气口和用于导入干空气的下层进气口,位于下层气室的分隔板上设置有均匀布置的雾化孔,高压喷头用于向均匀布置的雾化孔喷洒冷却水。该增湿降温装置,结构简单加工方便,有效地降低了成本,同时节约空间;此外通过控制高压喷头的喷水量可以实现空气湿度的可控性。
  • 一种用于燃料电池车辆空气供气降温装置系统
  • [实用新型]一种精度可调的雷达装置-CN201922085643.1有效
  • 曹菲;许剑锋;张辉;占建伟;秦建强;薛春岭 - 中国人民解放军火箭军工程大学
  • 2019-11-28 - 2020-07-28 - G01S7/02
  • 本实用新型属于雷达技术领域,公开了一种精度可调的雷达装置,包括外壳,以及安装于外壳内的转台,且转台的下方和上方分别连接有驱动马达和电推杆,所述驱动马达驱动转台进行转动,所述电推杆至少设有一个,且每个电推杆的顶端均安装有电磁波发射器,所述电推杆实现电磁波发射器上下位置的调节,所述电磁波发射器上至少设有一个发射端,且发射端高于外壳顶部;综上,基于驱动马达的驱动实现转台上电磁波发射器的旋转探测,由此将360°的探测范围分割形成多个单独探测区域,转台仅转动一个探测区域的角度即可完成360°探测,有效提高了探测速度;而电推杆则实现电磁波发射器的错位探测,以此提高探测精度。
  • 一种精度可调雷达装置
  • [实用新型]儿童腰部康复用辅助装置-CN201921374001.7有效
  • 何永芳;汤健;张丽;曹菲 - 南京市儿童医院
  • 2019-08-22 - 2020-07-10 - A63B23/02
  • 本实用新型公开了儿童腰部康复用辅助装置,包括底座,底座顶部开有滑槽,滑槽底部两侧均开有卡槽,滑槽内设有卡块,卡块与卡槽相卡合,卡块顶部固定连接有第一支撑杆,第一支撑杆顶部固定连接有坐板,坐板后侧固定连接有固定架,固定架上连接有第一转轴,第一转轴上转动连接有按摩轮,滑槽右部左右两侧均固定连接有伸缩杆,两组伸缩杆顶部均固定连接有弧形板,两组弧形板顶部均固定连接有至少三组第二转轴,每组第二转轴上均转动连接有一组按摩棒;本实用新型不仅结构新颖,能够方便儿童对后背腰部和腰部两侧进行康复训练,儿童可根据自身情况进行选择性锻炼,锻炼效果好。
  • 儿童腰部康复辅助装置
  • [实用新型]可任意成型空间曲面混凝土模板-CN201921234391.8有效
  • 曹菲;李升玉 - 东南大学建筑设计研究院有限公司
  • 2019-08-01 - 2020-06-16 - E04G11/04
  • 可任意成型空间曲面混凝土模板,属于建筑材料技术领域。所述空间曲面混凝土模板包括n×n个模块组成的阵列模板、可调节支撑螺杆、上钢板基座、连接柱、下钢板基座、弹性橡胶垫板和薄钢板,所述阵列模板中每个模块底部与每个可调节支撑螺杆的一端活动连接,所述上钢板基座包括与每个可调节支撑螺杆啮合的固定螺母,所述下钢板基座包括与可调节支撑螺杆对应的螺丝孔,每个可调节支撑螺杆的另一端分别通过固定螺母和螺丝孔与上钢板基座和下钢板基座活动连接,所述弹性橡胶垫板和薄钢板从下到上依次设于阵列模板的上表面。本产品可以根据需要任意调节曲面形状,对于定型的模板产品可以重复利用,具有成型快、精度高、可调节、可重复利用等优点。
  • 任意成型空间曲面混凝土模板
  • [实用新型]一种车用制动踏板臂-CN201921798969.2有效
  • 曹菲;熊华林;田立胜;杨启民 - 东风(十堰)车身部件有限责任公司
  • 2019-10-24 - 2020-06-02 - B60T7/06
  • 本实用新型公开了一种车用制动踏板臂,包括左侧臂、右侧臂和底板,呈对称设置的左侧臂和右侧臂通过底板连接成一体式踏板臂;所述左侧臂和右侧臂的外侧面上分布有多个第一弧形凹槽,第一弧形凹槽用加强踏板臂的强度;左侧臂、右侧臂和底板构成的踏板臂相比现有实心踏板臂,可以减轻重量,增加踏板臂强度;左侧臂和右侧臂上的弧形凹槽能进一步地增加踏板臂强度;本实用新型结构简单,生产成本低,使用寿命长。
  • 一种制动踏板
  • [发明专利]一种抗单粒子烧毁的GaN器件-CN202010002987.6在审
  • 王颖;张飞;包梦恬;于成浩;曹菲;李兴冀;杨剑群;吕钢 - 杭州电子科技大学
  • 2020-01-02 - 2020-05-15 - H01L29/06
  • 本发明公开一种抗单粒子烧毁的GaN器件,包括从下到上依次层叠设置的GaN底部缓冲层、GaN中间缓冲层、GaN沟道层、势垒层、钝化层;GaN中间缓冲层中设有夹层,夹层将GaN中间缓冲层分为上下两层;GaN中间缓冲层上表面的两端分别设有源电极和漏电极,钝化层上设有凹槽绝缘栅结构,源电极、漏电极和凹槽绝缘栅结构贯穿钝化层、势垒层和GaN沟道层,并延伸至GaN中间缓冲层上表面;凹槽绝缘栅结构包括凹槽,凹槽内壁设有栅介质,凹槽内设有栅电极;本发明有效降低了粒子入射后器件中的瞬态电流,从而提高了GaN器件的抗单粒子烧毁性能。
  • 一种粒子烧毁gan器件
  • [实用新型]主动防盗录系统-CN201922042718.8有效
  • 曹菲;邹闯;许书书 - 中钞科堡现金处理技术(北京)有限公司
  • 2019-11-21 - 2020-04-28 - G07F19/00
  • 本实用新型公开了一种主动防盗录系统。该主动防盗录系统包括:电动读卡器;防盗录模块组件,其包括:防盗录主体、报警传输线和模块主控盒,所述防盗录主体用安装在电动读卡器的卡口,用于产生保护磁场,从而主动干扰非法盗录设备;所述防盗录主体通过报警传输线与银行监控平台连接,所述模块主控盒用于防盗录主体的供电和控制;以及客户防盗录控制中心,其分别与银行监控平台和电动读卡器连接,用于查询所述电动读卡器的状态,从而通过银行监控平台控制防盗录主体输出干扰的强弱。该主动防盗录系统能够主动干扰非法盗录设备,防止持卡人磁卡信息被盗录,有效的保护了客户的合法基本权益。
  • 主动防盗系统

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