“曹荣志”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果22个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件及其形成-CN201911094700.0有效
发明人： 曹荣志;洪奇成;王喻生;张世杰;李文熙;王英郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括位于第一开口内的第一层上方的铜填料。第一层包括钴和钨。包括钴和钨的第三层位于铜填料和第一层的上方。包括钴和钨的第一层比不具有钴或钨的第一层具有更光滑的侧壁。更光滑的侧壁降低了铜填料内的缺陷，从而增强了铜填料的导电性。第一层和第三层相较于不包括这样层的半导体器件降低了铜填料中的铜扩散。
半导体器件及其形成

[发明专利]静电式晶圆吸附座及其制造方法-CN202210177331.7在审
发明人：李家铭;梁耀祥;曹荣志;朱炫权;苏贤纮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-10 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本揭露提出一种静电式晶圆吸附座及其制造方法，其中静电式晶圆吸附座包含具有第一表面的承载座以及多个突起结构。所述多个突起结构是分布在前述第一表面上，且每一个突起结构包含氧化铝层、粘着层以及抗磨耗层，其中氧化铝层是埋设于第一表面中，粘着层是设置于氧化铝层上，而抗磨耗层是设置于粘着层上。上述方法包含将粘着层先沉积于埋设在承载座中的氧化铝层上，以及将抗磨耗层沉积在粘着层上。
静电式晶圆吸附及其制造方法

[发明专利]替换金属栅极器件结构及其制造方法-CN202010620909.2在审
发明人：徐民翰;曹荣志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及替换金属栅极器件结构及其制造方法。半导体器件包括半导体鳍和在半导体鳍上方的栅极堆叠。栅极堆叠包括在半导体鳍的沟道区域上方的栅极电介质层，在栅极电介质层上方的功函数材料层，其中功函数材料层包括掺杂剂，以及在功函数材料层上方的栅极电极层。栅极电介质层不含掺杂剂。
替换金属栅极器件结构及其制造方法

[发明专利]用于制造互连结构的方法-CN202010013805.5在审
发明人：徐民翰;曹荣志;陈俊彰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及用于制造互连结构的方法。一种制造双镶嵌互连的方法，包括以下操作：在电介质层上方沉积金属硬掩模；在金属硬掩模中蚀刻金属硬掩模开口以暴露电介质层的顶表面；在电介质层中蚀刻至少一个互连开口，以暴露基底导电层的顶表面；修改金属硬掩模开口的侧壁；以及在金属硬掩模开口和至少一个互连开口中沉积导电材料。
用于制造互连结构方法

[发明专利]加热装置-CN201710519305.7有效
发明人：梁耀祥;卢祈鸣;黄之骏;黄志昌;曹荣志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本揭露有关于一种加热装置。此加热装置包含承载平台及复合加热环。此承载平台是用以承载晶圆，且复合加热环设置于承载平台及晶圆之间。其中，复合加热环是沿着晶圆的边缘延伸。此复合加热环包含第一加热环及第二加热环。第一加热环的底面直接接触承载平台的承载面，且第一加热环具有阶梯状结构。第二加热环设置于阶梯状结构的开口中，且第二加热环的顶面直接接触晶圆的底面。
加热装置

[发明专利]制造具有凹槽的半导体器件的方法-CN201510616190.4有效
发明人：方立言;曹荣志;梁耀祥;林俞谷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：提供其上设置有介电质的衬底，其中，介电质具有通过多个暴露的表面而形成的凹槽；在多个暴露的表面上形成导电膜；向凹槽施加表面剂，使得表面剂粘附于导电膜的一部分；将衬底浸于包括金属离子的电镀溶液中；以及向导电膜施加偏压，以在凹槽中填充金属材料。
制造具有凹槽半导体器件方法

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN201710286357.4有效
发明人：卢祈鸣;黄志辉;李昇展;曹荣志;梁耀祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种形成半导体器件的方法，该方法包括在衬底上方形成具有第一膜应力类型和第一膜应力强度的第一膜，和形成具有第二膜应力类型和第二膜应力强度且位于第一膜上方的第二膜。第二膜应力类型不同于第一膜应力类型。第二膜应力强度与第一膜应力强度大致相同。第二膜补偿由第一膜对衬底的非平坦性的应力引起的影响。
形成半导体器件方法

[发明专利]图像感测器件及其制造方法-CN201510759461.1有效
发明人：黄志昌;卢祈鸣;陈建明;曹荣志;梁耀祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的一些实施例提供了一种背照式(BSI)图像传感器。背照式(BSI)图像传感器包括：半导体衬底；以及层间介电(ILD)层，位于半导体衬底的前侧处。ILD层包括：介电层，位于半导体衬底上方；和接触件，部分地掩埋在半导体衬底内部。接触件包括：硅化物层，包括近似在从约600埃至约1200埃的范围内的预定厚度。本发明还提供一种制造背照式(BSI)图像传感器的方法。
图像器件及其制造方法

[发明专利]势垒层结构及方法-CN201410298521.X有效
发明人：张志仲;曹荣志;林俊泽;黄昱明;张添尚;蔡建欣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-06-27 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于形成多层势垒的方法，包括在衬底上方形成导线，在导线上方沉积介电层，在介电层中形成插塞开口，通过多个沉积工艺和相应的等离子体处理工艺形成多层势垒。
势垒层结构方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201510736644.1有效
发明人：方立言;黄志昌;曹荣志;梁耀祥;林俞谷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：半导体结构包括：衬底，包括第一侧、与第一侧相对的第二侧和位于第二侧上方的器件层；以及导电通孔，延伸穿过衬底并且包括邻近第一侧的第一部分和邻近器件层的第二部分，其中，导电通孔包括位于第一部分和第二部分之间的界面，第一部分的平均颗粒尺寸与第二部分的平均颗粒尺寸基本上不同。本发明的实施例还涉及半导体结构的制造方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]静电式晶圆吸附座及其制造方法-CN201710141535.4在审
发明人：李家铭;梁耀祥;曹荣志;朱炫权;苏贤纮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-10 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本揭露提出一种静电式晶圆吸附座及其制造方法，其中静电式晶圆吸附座包含具有第一表面的承载座以及多个突起结构。所述多个突起结构是分布在前述第一表面上，且每一个突起结构包含氧化铝层、粘着层以及抗磨耗层，其中氧化铝层是埋设于第一表面中，粘着层是设置于氧化铝层上，而抗磨耗层是设置于粘着层上。上述方法包含将粘着层先沉积于埋设在承载座中的氧化铝层上，以及将抗磨耗层沉积在粘着层上。
粘着层氧化铝层第一表面突起结构静电式磨耗层吸附座晶圆承载座沉积埋设制造

[发明专利]用于改善阶梯覆盖的通孔结构-CN201610728319.5在审
发明人：方立言;曹荣志;梁耀祥;林俞谷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，包括衬底、介电结构、阻挡层、胶层、铜晶种层和铜层。介电结构设置在衬底上方。介电结构具有穿过介电结构的导通孔，并且导通孔的侧壁包括至少一个凹口。阻挡层共形地覆盖导通孔的侧壁和底部。胶层共形地覆盖阻挡层。铜晶种层共形地覆盖胶层。铜层覆盖铜晶种层并填充导通孔。本发明还提供了一种用于形成半导体器件的方法。
用于改善阶梯覆盖结构

[发明专利]半导体器件及其形成-CN201410452808.3在审
发明人： 曹荣志;洪奇成;王喻生;张世杰;李文熙;王英郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括位于第一开口内的第一层上方的铜填料。第一层包括钴和钨。包括钴和钨的第三层位于铜填料和第一层的上方。包括钴和钨的第一层比不具有钴或钨的第一层具有更光滑的侧壁。更光滑的侧壁降低了铜填料内的缺陷，从而增强了铜填料的导电性。第一层和第三层相较于不包括这样层的半导体器件降低了铜填料中的铜扩散。
半导体器件及其形成

[实用新型]用于马桶的升降脚踏装置-CN200820109897.1无效
发明人： 曹荣志 -专利权人： 曹荣志
申请日： 2008-08-25 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： E03D11/13 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于马桶的升降脚踏装置，有一个双翼框架，所述框架的两翼架中部均设有齿条滑轨机构和齿条锁止机构；有一个U形脚踏杆，所述脚踏杆的两侧杆后端与所述框架的两翼架后下端铰接；所述齿条滑轨机构中的齿条底端与所述脚踏杆的侧杆前部活动连接，所述两翼架上设有与所述脚踏杆连接并可将所述脚踏杆向上抬起的拉伸弹簧。利用本实用新型，老人、儿童、身材较小的人在用厕时，可通过调整脚踏杆的高度来适应脚踏的舒适度，可避免出现支地无力和双腿悬空的情况；双翼框架可供老年人用厕后站起时扶持，可避免老年人用厕时发生摔倒现象。
用于马桶升降脚踏装置

[发明专利]α-钽层的形成方法、MIM电容及其形成方法-CN200810146359.4有效
发明人： 曹荣志;廖茂成;孙钟仁;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-08-25 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明揭示一种MIM电容、形成α-钽层的方法、以及形成MIM电容的方法。形成MIM电容的方法包括形成含氮层于半导体基底上。以轰击元素轰击含氮层以形成α-钽晶种层。之后，在N₂流量实质上为零的条件下溅镀Ta以形成α-钽的第一极板表层。之后，形成介电层于第一极板上，并形成第二极板于介电层上，以完成MIM电容的制作。本发明可降低电极板的电阻，可降低电容的厚度，其他优点还包括以较低的成本制作出低电阻、低厚度的MIM电容。
形成方法 mim 电容及其

1
2
下一页»
尾页
共 22 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top