专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种InGaN基光阳极的制备方法-CN202010857283.7有效
  • 曹得重 - 西安工程大学
  • 2020-08-24 - 2023-06-06 - C25B11/03
  • 本发明公开了一种InGaN基光阳极的制备方法,具体按照以下步骤实施:步骤1、在酸性溶液中,采用光电化学刻蚀技术对GaN多层结构进行恒电压刻蚀,制备出中孔GaN镜;步骤2、以中孔GaN镜为衬底,先采用MOCVD技术外延生长InGaN/GaN层,通过能带工程调制In组分,调制其带隙,然后采用电子束蒸发技术,蒸镀欧姆接触电极,制备出InGaN基光阳极;本发明的方法能够制备出开启电压低、效率高及稳定性强的光阳极电极。
  • 一种ingan阳极制备方法
  • [发明专利]一种具有分布布拉格反射镜的InP薄膜的制备方法-CN201910537632.4有效
  • 曹得重 - 西安工程大学
  • 2019-06-20 - 2021-04-23 - H01L33/00
  • 本发明公开的是一种具有分布布拉格反射镜的InP薄膜的制备方法,具体包括以下步骤:步骤1、在电解液中,对InP片进行电化学刻蚀,制得多孔InP,然后提高电压,制备剥离的大面积的多孔InP薄膜;步骤2、在电解液中,对n‑GaN/u‑GaN周期性结构进行电化学刻蚀,制得分布布拉格反射镜;步骤3、采用转移技术将所述多孔InP薄膜转移至步骤2所述分布布拉格反射镜衬底上,最后制备出大面积、具有分布布拉格反射镜的InP薄膜。其光致发光峰位置可调制到541.2nm,且发光强度比转移前的多孔InP提高2‑4倍。
  • 一种具有分布布拉格反射inp薄膜制备方法
  • [发明专利]一种具有GaN/纳米空腔的蓝光发光二极管的制备方法-CN201910098470.9有效
  • 曹得重;肖洪地 - 西安工程大学
  • 2019-01-31 - 2020-10-27 - H01L33/16
  • 本发明公开的是一种具有GaN/纳米空腔的蓝光发光二极管的制备方法,具体包括以下步骤:步骤1、在电解液中,对生长在c‑面蓝宝石衬底上的n‑GaN/n+‑GaN周期性结构进行电化学刻蚀,制得纳米多孔GaN;步骤2、采用退火技术将所述纳米多孔GaN转变为具有GaN/纳米空腔周期性结构的GaN薄膜;步骤3、在所述GaN薄膜上依次外延生长n‑GaN层、InGaN/GaN超晶格和多量子阱层以及Mg掺杂p‑GaN层,制得InGaN基蓝光二极管。本发明是一种具有GaN/纳米空腔的蓝光发光二极管的制备方法,能够制备出大面积、高发光效率的InGaN基蓝光发光二极管。
  • 一种具有gan纳米空腔发光二极管制备方法

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