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[发明专利]一种太赫兹噪声辐射源及成像系统-CN201710225234.X有效
发明人：张戎;姚辰;周涛;曹俊诚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01J5/53 文献下载
摘要：本发明提供一种太赫兹噪声辐射源及成像系统，所述太赫兹噪声辐射源包括：黑体，与所述黑体的输出口对准的光纤准直器，通过光纤与所述光纤准直器连接的第一掺饵光纤放大器，通过光纤与所述第一掺饵光纤放大器连接的光调制器，通过光纤与所述光调制器连接的第二掺饵光纤放大器，以及通过光纤与所述第二掺饵光纤放大器连接的光电转换器；其中，所述光纤准直器、所述第一掺饵光纤放大器、所述光调制器、所述第二掺饵光纤放大器及所述光电转换器覆盖有共同的工作频段。通过本发明提供的一种太赫兹噪声辐射源及成像系统，解决了现有的太赫兹噪声源功率较弱、无法进行高速电调制的问题。
一种赫兹噪声辐射源成像系统

[发明专利]可弯曲样品的固定装置、测量系统和测量方法-CN201811251434.3有效
发明人：付亚州;王长;谭智勇;曹俊诚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于太赫兹光谱仪的可弯曲样品的固定装置，该固定装置包括：第一夹具组件和第二夹具组件，其中第一夹具组件至少包括第一固定夹，第二夹具组件至少包括第二固定夹，第一固定夹和第二固定夹被设置为：分别夹持待测样品的第一端和第二端，第一固定夹和第二固定夹在第一水平方向上移动，以弯曲所述待测样品。此外，本发明还公开了一种包括太赫兹时域光谱仪和上述固定装置的测量系统以及一种测量方法，测量方法采用测量系统进行测量，包括步骤：采用固定装置将待测样品夹持固定，并根据需要调整待测样品弯曲度；采用太赫兹时域光谱仪的发射端发出太赫兹信号，采用太赫兹时域光谱仪的接收端接收穿透待测样品的太赫兹信号，并进行分析。
弯曲样品固定装置测量系统测量方法

[发明专利]一种应变补偿量子级联激光器材料的生长参数校准方法-CN202310324915.7在审
发明人：万文坚;曹俊诚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种应变补偿量子级联激光器材料的生长参数校准方法，所述的量子级联激光器材料有源区为InxGa1‑xAs/InyAl1‑yAs多量子阱，其中0.53x1，0y0.52，通过生长InGaAs调试结构、InGaAs校准结构，InAlAs调试结构、InAlAs校准结构，获得生长参数In源温度、Ga源温度、Al源温度、InxGa1‑xAs生长速率和InyAl1‑yAs生长速率。本发明方法生长应变补偿InGaAs/InAlAs量子级联激光器材料，外延效率及准确性得到提高。
一种应变补偿量子级联激光器材料生长参数校准方法

[发明专利]集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法-CN202210387745.2有效
发明人：王兵兵;陈雨璐;崔慧源;周宏;吴翼飞;刘文辉;王洋刚;董祚汝;陈栋;童武林;秦世宏;周扬州;徐方俊鹏;杨绪起;戴小宛;汪泽文;张传胜;王晓东;曹俊诚 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法，制作方法包括：在高导砷化镓衬底上，通过液相外延、分子束外延、离子注入、化学气相沉积、快速热退火、光刻、感应耦合等离子体刻蚀、电子束蒸发等工艺制作正、负电极和多晶硅超表面结构，完成器件封装。本发明采用液相外延法生长砷化镓掺硫吸收层，以及集成多晶硅超表面结构，可解决高导砷化镓衬底无法外延生长高质量大厚度吸收层的问题，在保证晶体质量的前提下，达到对太赫兹辐射信号完全吸收的目的，提高了吸收效率及探测响应率。快速热退火过程中采用多晶硅膜包覆法，避免了高温过程中砷元素的析出以及砷化镓晶体分解，提高了探测器的稳定性和工艺制备的成品率。
集成多晶表面砷化镓基太赫兹探测器制作方法

[发明专利]一种可单模双模工作的量子阱阵列探测器-CN202310277492.8在审
发明人：王长;郑永辉;张真真;曹俊诚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种可单模双模工作的量子阱阵列探测器，自上而下包括上电极层、GaAs有源区和下电极层；所述GaAs有源区分布有数个微腔阵列单元；所述微腔阵列单元的顶层为上金属电极(5)，每一排所述上金属电极(5)两两之间通过二级阶梯型微带线连接，形成上电极层；所述上金属电极(5)具有若干条可调整角度的缺陷。本发明利用耦合机制的调控，可实现量子阱阵列探测器单模、双模两种探测模式，具有更好的市场应用前景。
一种单模双模工作量子阵列探测器

[发明专利]一种适用于宽带量子阱探测器的宽带天线阵列耦合器-CN202310286503.9在审
发明人：郑永辉;张真真;王长;曹俊诚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于宽带量子阱探测器的宽带天线阵列耦合器，自上而下包括上电极层、GaAs有源区和下电极层；所述GaAs有源区分布有数个微腔阵列单元；所述微腔阵列单元的顶层为上金属电极(5)，所述上金属电极(5)两两之间通过微带线连接，形成上电极层；所述上金属电极(5)包括4个独立的且尺寸互不相同的微腔。本发明利用二维微纳结构和SPPs机理实现的THz QWP光耦合结构，使得THz QWP既能实现电压可调谐，又能实现阵列化宽带探测，具有更好的市场应用前景。
一种适用于宽带量子探测器天线阵列耦合器

[发明专利]一种太赫兹量子级联激光器脊波导刻蚀方法-CN202310240998.1在审
发明人：万文坚;曹俊诚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01S5/227 文献下载
摘要：本发明涉及一种太赫兹量子级联激光器脊波导刻蚀方法。该方法包括：(1)提供一种太赫兹量子级联激光器材料；(2)在材料表面进行刻蚀，刻蚀出一深度和下接触层厚度相同的凹槽(7)；(3)采用配备激光干涉仪的干法刻蚀系统对材料再进行刻蚀，刻蚀出脊形结构(8)，凹槽(7)同步被刻蚀，激光干涉仪对凹槽底部进行在线检测；(4)当激光干涉仪振荡信号强度出现跳变时，凹槽(7)底部刚好被刻蚀至下接触层(4)与刻蚀停止层(3)界面，而此时脊形结构(8)两边刚好被刻蚀至多量子阱有源区(5)和下接触层(4)的界面。该方法仅通过增加一步简单的凹槽预刻蚀工艺，即可有效判断最佳刻蚀深度，提高了激光器脊波导刻蚀深度准确性。
一种赫兹量子级联激光器波导刻蚀方法

[发明专利]一种自注入太赫兹光频梳系统-CN202310087025.9在审
发明人：黎华;刘涵;李子平;马旭红;曹俊诚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01S5/0687 文献下载
摘要：本发明涉及一种自注入太赫兹光频梳系统，其中，太赫兹量子级联激光器作为光频梳源，通过自拍频产生的拍频信号并传输到第一T型偏置器中；第一T型偏置器用于将拍频信号传输至分波器；分波器用于将拍频信号分成两路，一路传输到环形器中参与自注入，另一路连接到频谱分析仪中进行实时检测；环形器用于保持参与自注入的拍频信号在回路中的单向传输；移相器用于对参与自注入的拍频信号进行相位匹配；第二T型偏置器用于将相位匹配后的拍频信号注入到太赫兹量子级联激光器；频谱分析仪用于实时检测得到的自注入拍频信号。本发明能够提高系统的稳定性，满足作为高频光电振荡器的要求。
一种注入赫兹光频梳系统

[发明专利]一种集成型太赫兹双光梳成像系统-CN202310155170.6在审
发明人：黎华;马旭红;李子平;曹俊诚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01J3/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成型太赫兹双光梳成像系统，其中，两个自由运行的太赫兹量子级联激光器光频梳安装在同一个冷头上，共享温度和机械振动噪声，采样光频梳发出的太赫兹光经离轴抛物面镜收集并汇聚于焦点处，样品放置在焦平面上，经过样品的透射光由离轴抛物面镜收集并汇聚到本征光频梳，通过激光自探测得到多外差拍频的射频双光梳信号，样品的不同位置对应各自的双光梳谱，对所有双光梳谱综合分析可实现样品的高精度成像。本发明可以进一步减小设备体积，并确保双光梳信号的稳定性。
一种集成赫兹双光梳成像系统

[发明专利]基于二维封闭式光子晶体结构的二阶以上窄带通滤波器-CN202111356091.9在审
发明人：王长;郑永辉;谭智勇;张真真;曹俊诚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于二维封闭式光子晶体结构的二阶以上窄带通滤波器，包括：第一金属板、金属柱阵列及第二金属板，金属柱阵列包括周围金属柱及缺陷金属柱；周围金属柱呈行和列等间距排布；缺陷金属柱呈列排布；缺陷金属柱两侧均与周围金属柱相邻；缺陷金属柱与相邻的周围金属柱之间的间距与两相邻周围金属柱之间的间距相等；缺陷金属柱包括第一缺陷金属柱至第N缺陷金属柱，N≥2，且以第一缺陷金属柱至第N缺陷金属柱为缺陷金属柱周期依次呈列排布，相邻两个所述缺陷金属柱周期之间具有间隔，间隔为相邻两缺陷金属柱之间间距的两倍。可解决二阶以上带通滤波器频带宽，频带工作效率相差大且频带内振荡明显的问题。
基于二维封闭式光子晶体结构以上窄带滤波器

[发明专利]单窄通二维封闭式表面波光子晶体结构-CN202111304419.2在审
发明人：王长;郑永辉;谭智勇;张真真;曹俊诚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明提供一种单窄通二维封闭式表面波光子晶体结构，通过第一金属板、周围金属柱、缺陷金属柱及缺陷金属柱与第一金属板的间隔构成了表面波光子晶体结构，且通过第二金属板，形成封闭式表面波光子晶体结构，提高光子晶体的抗干扰能力；另外，通过使周围金属柱呈行和列等间距排布；缺陷金属柱呈列排布，或缺陷金属柱呈连通的行和列排布的L型；缺陷金属柱两侧均与周围金属柱相邻，且两缺陷金属柱之间的间隔是相邻两周围金属柱之间间隔的两倍；缺陷金属柱与相邻的周围金属柱之间的间距与呈行和列等间距排布的两相邻所述周围金属柱之间的间距相等，可解决二维封闭式表面波光子晶体结构的带内震荡的问题，减小光子晶体结构的带宽及带内频率震荡。
单窄通二维封闭式表面波光子晶体结构

[发明专利]一种太赫兹双光梳成像系统-CN202211599835.4在审
发明人：黎华;马旭红;李子平;曹俊诚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01N21/3581 文献下载
摘要：本发明涉及一种太赫兹双光梳成像系统，包括：第一量子级联激光器、第二量子级联激光器、第一光路、第二光路和频谱分析仪；所述第一量子级联激光器以光频梳模式工作，作为采样光频梳源，用于发出太赫兹光；所述第一光路用于将所述太赫兹光汇聚至待测样品上，得到采样光频梳信号；所述第二光路用于将透过所述待测样品的采样光频梳信号耦合到所述第二量子级联激光器的谐振腔内；所述第二量子级联激光器以光频梳模式工作，作为本征光频梳，用于实现采样光频梳信号和本征光频梳信号的多外差拍频得到双光梳信号；所述频谱分析仪用于对双光梳信号进行分析记录。本发明可以同时实现样品成像与光谱特性分析。
一种赫兹双光梳成像系统

[发明专利]一种基于光子学技术的太赫兹成像系统-CN201710183267.2有效
发明人：姚辰;张戎;周涛;曹俊诚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01N21/3581 文献下载
摘要：本发明提供一种基于光子学技术的太赫兹成像系统，包括光频梳产生模块、光混频器模块、扫描模块、移动平台、聚焦模块、太赫兹探测器模块和终端处理模块，其中，光频梳产生模块产生光拍频信号；光混频器模块将光拍频信号转化成太赫兹信号；扫描模块对太赫兹信号进行准直并聚集到待测物体上；移动平台带动待测物体移动，聚焦模块汇聚从待测物品上散射出来的太赫兹信号；太赫兹探测器模块将太赫兹信号转化成电信号；终端处理模块根据电信号得到待测物体的二维图像。本发明采用光频梳产生模块作为光源，能够消除图像中的干涉现象，显著提高成像质量，同时所需光功率只有掺铒光纤放大器源成像系统的百分之三十以下，大大降低系统成本。
一种基于光子技术赫兹成像系统

[发明专利]一种红外焦平面阵列探测器及其刻蚀方法-CN202211552586.3在审
发明人： 曹俊诚;万文件 -专利权人：江西万骏光电有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明属于光电子器件技术领域，具体地说，是一种红外焦平面阵列探测器及其刻蚀方法，红外探测器材料结构从下往上依次为衬底、缓冲层、底接触层、吸收层、势垒层以及顶接触层；材料先进行浅台面刻蚀制作出像元阵列，再进行深沟槽刻蚀制作公共底电极用N沟槽，浅沟槽刻蚀深度至势垒层，N沟槽刻蚀深度至底接触层，通过在像元阵列及N沟槽之外设置激光监测区，激光监测区在浅台面刻蚀及深沟槽刻蚀时，同步被刻蚀；采用激光干涉仪实时检测激光监测区刻蚀深度并适时终止刻蚀。该方法不增加工艺步骤及复杂性，只需在工艺版图中增加激光监测区，在干法刻蚀系统中引入激光干涉仪，即可显著提高刻蚀效率及N沟槽刻蚀深度准确性。
一种红外平面阵列探测器及其刻蚀方法

[发明专利]一种太赫兹量子级联激光器双光梳稳频系统-CN202011560799.1有效
发明人：黎华;赵逸然;李子平;曹俊诚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01S5/068 文献下载
摘要：本发明涉及一种太赫兹量子级联激光器双光梳稳频系统，包括第一太赫兹量子级联激光器光频梳源、第二太赫兹量子级联激光器光频梳源、提取模块和锁相环，所述第一太赫兹量子级联激光器光频梳源发出的梳齿信号耦合进入所述第二太赫兹量子级联激光器光频梳源，并与所述第二太赫兹量子级联激光器光频梳源的梳齿信号相互作用产生双光梳信号；所述提取模块用于提取所述双光梳信号中的一根梳齿作为待锁相梳齿；所述锁相环用于对所述待锁相梳齿进行相位锁定。本发明实现高频率稳定性的THz QCL双光梳多外差光谱探测。
一种赫兹量子级联激光器双光梳稳频系统

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