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[发明专利]一种无机磊晶LED显示模组及其制造方法-CN201410386512.6有效
发明人：严敏;程君;周鸣波 -专利权人： 无锡极目科技有限公司
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种无机磊晶LED显示模组及其制造方法，所述方法包括在LED无机电路板的上表面的晶格适配层上磊晶生长LED晶片；图形化刻蚀去除LED无机电路板底层的SiO₂保护层，露出接触电极；通过所述接触电极将专用集成电路芯片与所述LED晶片进行电连接；在所述LED无机电路板的下表面执锡接口装置；在所述LED无机电路板的下表面喷涂散热胶，贴装晶片支架，并安装散热盖板；在所述LED无机电路板的上表面的LED晶片的出光面喷涂透明陶瓷釉并贴装具有光学栅格结构的保护膜；烘干固化后即得到所述无机磊晶LED显示模组。
一种无机 led 显示模组及其制造方法

[发明专利]在复合玻璃基板上制造视频显示板用多色LED的方法-CN201410724871.8有效
发明人：严敏;程君;周鸣波 -专利权人： 无锡极目科技有限公司
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种在复合玻璃基板上制造视频显示板用多色LED的方法，包括：在复合玻璃基板上制备第一掩蔽层，第一掩蔽层用于掩蔽除第一颜色LED生长区域之外的其它区域；在第一颜色LED生长区和第一掩蔽层上淀积第一颜色外延层，形成第一颜色LED；去除第一掩蔽层和第一掩蔽层上的第一颜色外延层；制备第二掩蔽层，第二掩蔽层用于掩蔽除第二颜色LED生长区域之外的其它区域；在第二颜色LED生长区和第二掩蔽层上淀积第二颜色外延层，形成第二颜色LED；去除第二掩蔽层和第二掩蔽层上的第二颜色外延层；对复合玻璃基板的表面进行研磨，清洗和电学测试。
复合玻璃基板上制造视频显示多色 led 方法

[发明专利]一种单色磊晶LED显示模组的复合玻璃基板的制造方法-CN201410486656.9有效
发明人：严敏;程君;周鸣波 -专利权人： 无锡极目科技有限公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：本发明涉及一种单色磊晶LED显示模组的复合玻璃基板的制造方法，包括：对玻璃模板进行加工，在玻璃模板的一侧表面制作多个大小、高度、间距分别相等的矩阵柱；对SiC衬板上钻多个台阶孔，所述多个台阶孔之间的间距与所述多个矩阵柱之间的间距相等；将所述SiC衬板通过台阶孔，与所述玻璃模板的矩阵柱进行对位装配，将所述多个矩阵柱分别由所述台阶孔的小孔径一侧插入对应的台阶孔中；对装入SiC衬板的玻璃模板进行高温热压，使所述SiC衬板与所述玻璃模板相粘接；冷却后，对所述玻璃模板上装有SiC衬板的一侧表面进行研磨抛光；高温退火和清洗后得到所述复合玻璃基板。
玻璃模板台阶孔衬板矩阵复合玻璃基板磊晶对位装配高温热压高温退火间距相等研磨抛光小孔径粘接相等装入冷却清洗制造制作加工

[发明专利]一种基于无机物的LED磊晶积层电路板及其制备方法-CN201410418498.3有效
发明人：严敏;程君;周鸣波 -专利权人： 无锡极目科技有限公司
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于无机物的LED磊晶积层电路板及其制造方法，包括:中心基板、至少两层金属导电层和LED晶格适配层；所述中心基板为无机物构成；所述中心基板上具有电连接孔，所述电连接孔内填充有第一导电金属；所述金属导电层上具有隔离槽；所述至少两层金属导电层沉积在所述中心基板的上、下表面上，通过所述电连接孔相连接；LED晶格适配层沉积于用于装配LED晶片的一侧金属导电层的表面；所述电路板侧壁保护层为电镀于所述LED磊晶积层电路板的各个侧面的金属Ni层，用以消除后续工艺和使用过程中，所述LED磊晶积层电路板内各层间之热胀系数不同带来的内应力。
电路板金属导电层中心基板积层磊晶无机物电连接孔适配层晶格两层沉积电路板侧壁导电金属后续工艺热胀系数电镀保护层隔离槽下表面层间填充制备装配金属侧面制造

[发明专利]在积层电路板上直接磊晶生长LED的方法及应用-CN201410239611.1有效
发明人：程君;严敏;周鸣波 -专利权人： 无锡极目科技有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种在积层电路板上直接磊晶生长LED的方法及应用，所述方法包括对积层电路板的上表面进行研磨和清洗并进行离子注入，使晶格适配层具有导电性能；对积层电路板的上表面进行ICP刻蚀，粗化积层电路板的上表面，以增加晶格生长的扣合力；MOCVD生长N型GaN层并进行图形化刻蚀；刻蚀后保留的N型GaN层位于第一晶格适配层之上；对积层电路板的上表面进行ICP刻蚀，粗化积层电路板的上表面；MOCVD生长P型GaN层并进行图形化刻蚀；刻蚀后保留的P型GaN位于N型GaN层和第二晶格适配层之上；MESA光刻和刻蚀，在P型GaN层上形成隔离槽，以使所述N型GaN层和P型GaN层构成多个独立PN结结构。
电路板直接生长 led 方法应用

[发明专利]在积层电路板上直接磊晶生长多色LED的方法及应用-CN201410239974.5有效
发明人：严敏;程君;周鸣波 -专利权人： 无锡极目科技有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种在积层电路板上直接磊晶生长多色发光二极管LED的方法，其特征在于，所述积层电路板的上表面具有在积层电路板的金属焊盘电极上淀积的晶格适配层，所述方法包括在所述积层电路板上表面的第一区域物理气相沉积无机绝缘层；在未被所述无机绝缘层覆盖的除第一区域外的第二区域上生长单色LED；刻蚀第一区域的无机绝缘层；在所述积层电路板上表面的第二区域物理气相沉积无机绝缘层；在未被所述无机绝缘层覆盖的除第二区域外的第一区域上生长单色LED；刻蚀第二区域的无机绝缘层；其中所述第一区域内包括一部分晶格适配层，所述第二区域内包括另一部分晶格适配层。
电路板直接生长多色 led 方法应用