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[发明专利]一种锡酸钙变色材料及其制备方法-CN202310876360.7在审
发明人：陈浩;惠增哲;郭菲菲;龙伟;李晓娟;方频阳 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C09K9/00 文献下载
摘要：本发明属于发光材料技术领域，具体地说，涉及一种锡酸钙变色材料及其制备方法。所述的锡酸钙变色材料具有如下化学通式：Ca2.015‑xHo0.005SnO4:xYb3+，其中，x为0～0.07。本发明所提供的锡酸钙变色材料与目前Al3+或Eu3+掺杂锡酸钙基体得到的变色陶瓷相比，变色效果更明显，变色率和光强调控率更高，且同时具有上转换发光强度调控和下转换发光强度调控性能。
一种锡酸钙变色材料及其制备方法

[发明专利]多孔钛酸钡压电陶瓷及其制备方法-CN201810736662.3有效
发明人：李晓娟;景奇;惠增哲;龙伟;方频阳 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及多孔钛酸钡压电陶瓷及其制备方法，将BaCO3和TiO2粉末作为初始原料，放入球磨罐中球磨混合，干燥后压制成柱状，放于氧化铝板上并用氧化铝坩埚扣住，置于马弗炉中预烧，并随炉冷却；预烧后的原料使用玛瑙研钵研磨成粉体，获得预合成BaTiO3粉体，加入糊精作为致孔剂再次用湿法球磨；球磨后的浆料快速烘干，多次过筛，除去不均匀团聚的大颗粒，获得均匀的精细粉体，进行压片成型获得陶瓷生坯，进行最后烧结，获得多孔钛酸钡压电陶瓷。本发明使用糊精作为致孔剂，克服了现有多孔压电陶瓷制备工艺复杂、生产成本高以及不易工业化生产的缺点，制得的多孔钛酸钡压电陶瓷孔隙率高、孔隙分布均匀，具有较低的声阻抗和较高的静水压优值。
多孔钛酸钡压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种三元系铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅陶瓷及其制备方法-CN201911352857.9在审
发明人：郭菲菲;惠增哲;龙伟;李晓娟;方频阳;周宏桥;贾博;周峰峰 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： C04B35/472 文献下载
摘要：本发明涉及一种三元系铌钪酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅陶瓷及其制备方法,该陶瓷材料的化学式为xPb(Sc1/2Nb1/2)O3‑yPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑zPbTiO3，其中0.1≤x≤0.28mol，0.32≤y≤0.57mol，0.33≤z≤0.40mol，且x+y+z＝1。本发明制备方法采用传统的两步固相反应法合成，通过该方法制备的陶瓷材料，其压电陶瓷压电常数d33可达720pC/N，径向机电耦合系数kp为0.65左右，厚度机电耦合系数kt可达0.6，三方‑四方相变温度Trt在90‑150℃之间，居里温度Tc大于170℃，矫顽场可达10kV/mm，可以满足超声换能器对宽带、高灵敏度、温度、电场稳定性以及性能一致性的要求。
一种三元系铌钪酸铅铌镁酸铅钛酸铅陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种铌钪酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅‑锆酸铅铁电单晶材料-CN201510627514.4有效
发明人：惠增哲;龙伟;李晓娟;方频阳;赵金 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌钪酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅‑锆酸铅铁电单晶材料，该材料化学式为xPb(Sc1/2Nb1/2)O3‑yPb(Mg1/3Nb2/3)O3‑zPbTiO3‑(1‑x‑y‑z)PbZrO3，其中0.04≤x≤0.06，0.50≤y≤0.60，0.30≤z≤0.35，1‑x‑y‑z≠0，属于复合钙钛矿结构。本发明在PMN‑PT体系中引入铌钪酸铅（PSN）和锆酸铅（PZ），将其改为四元体系PSN‑PMN‑PT‑PZ，一方面与PMN‑PT相比，在不降低压电性能的前提下可有效地提高TR‑T；另一方面与PSN‑PT相比，能够极大地减少Sc2O3的用量，降低成本，同时可以降低材料熔点，使晶体生长变得容易。
一种铌钪酸铅铌镁酸铅钛酸铅铅铁电单晶材料

[发明专利]铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅铁电单晶及其制备方法-CN201410065657.6有效
发明人：惠增哲;龙伟;李晓娟;方频阳;常芳娥 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅铁电单晶材料及其制备方法。本发明单晶材料为钙钛矿型结构，其化学通式为xPb(Sc_1/2Nb_1/2)O₃-yPb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-(1-x-y)PbTiO₃，其中：0.01≤x≤0.10，0.50≤y≤0.70，1-x-y≠0，所述的单晶采用坩埚下降法或高温溶液法生长而成。本发明克服了现有技术中PMN-PT单晶存在的三方-四方相变温度太低和PSN-PT单晶存在的结晶比较困难、难以批量生长的缺陷，单晶同时具有高的压电常数和高的三方-四方相变温度，能够广泛应用于超声换能器、水声换能器、传感器。
铌钪酸铅铌镁酸铅铅铁电单晶及其制备方法

[发明专利]一种Cu取代SrBi₂Nb₂O₉铁电陶瓷的制备方法-CN201110148126.X无效
发明人：樊慧庆;方频阳 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2011-06-02 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种Cu取代SrBi2Nb2O9铁电陶瓷的制备方法，其特征在于步骤如下：以分析醇级的Bi2O3、Nb2O5、SrCO3和Cu(NO3)2·3H2O为原料，按照化学式Sr1-xCuxBi2Nb2O9，x＝0～1配比，以丙酮为介质，将配比好的原料在滚轴式球磨机上进行球磨，将球磨后的粉体煅烧，再次进行球磨预压制成型，抽真空、油压和烧结获得Cu取代SrBi2Nb2O9铁电陶瓷。有益结果是：采用固相合成工艺制备Sr1-xCuxBi2Nb2O9铁电陶瓷，可以明显降低了体系的烧结温度。
一种 cu 取代 srbi sub nb 陶瓷制备方法