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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置-CN202210547963.8在审
发明人： 新藤尚树;杨元;铃木春菜 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻方法和蚀刻装置，能够在存在氮化钛、以及钼或钨的基板上抑制钼或钨中的孔蚀的产生并蚀刻氮化钛膜。蚀刻方法包括以下步骤：准备存在氮化钛、以及钼或钨的基板；以及向基板供给含有ClF3气体和N2气体的处理气体，来蚀刻氮化钛。在蚀刻中，使处理气体的ClF3气体与N2气体的分压比成为使Mo或W的晶粒间界氮化到抑制孔蚀的产生的程度的值。
蚀刻方法装置

[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置-CN202080084270.9在审
发明人：户田聪;新藤尚树;立花光博;林春菜;杨元 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：蚀刻方法具有如下工序：将至少具有钼膜或钨膜以及含硅物且钼膜或钨膜露出的状态的基板设置于腔室内；向腔室内供给氧化气体和作为蚀刻气体的六氟化物气体来相对于含硅物选择性地蚀刻钼膜或钨膜。
蚀刻方法装置

[发明专利]蚀刻装置和蚀刻方法-CN202010938557.5在审
发明人： 新藤尚树;桑岛亮;户田聪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻装置和蚀刻方法。[课题]使用属于β‑二酮的气体对形成于基板的金属膜进行蚀刻时，防止该基板的金属污染。[解决方案]构成一种蚀刻装置，所述蚀刻装置具备：处理容器，其内部经排气且形成真空气氛、并且具有以由铝和添加金属形成的合金为母材的壁部；台，其设置于前述处理容器内、且用于载置在表面形成有金属膜的基板；气体供给部，其向前述台供给用于氧化前述金属膜的氧化气体、和属于β‑二酮的蚀刻气体，为了对氧化后的前述金属膜进行蚀刻而设置于前述处理容器；和，壁部用的加热部，其在从前述气体供给部向前述处理容器内供给前述蚀刻气体时，将前述壁部加热至60℃～90℃。
蚀刻装置方法

[发明专利]基板液处理装置和基板液处理方法-CN201510217206.4有效
发明人：井户泰幸;新藤尚树;折居武彦;江头佳祐;八谷洋介;大石幸太郎;河野央;下村伸一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能够降低因喷嘴内的水解劣化而导致的甲硅烷基化液的废弃量的基板液处理装置和基板液处理方法。通过向喷嘴(43)内的甲硅烷基化液流路(431)供给阻隔流体，从而利用在比位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液靠近喷出口(434)的一侧存在的阻隔流体将位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液与喷出口的外部的气氛阻隔开。
甲硅烷基化液流路基板液处理装置阻隔喷嘴喷出口液处理流体基板劣化水解废弃外部

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200580045165.X无效
发明人：盖尔·格伦;广田良浩;村木雄介;中村源志;栉引理人;新藤尚树;清水昭贵;芦垣繁雄;加藤良裕 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-11-29 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉提供一种半导体装置的制造方法，由积层体制造所述半导体装置，所述层积体具有：半导体衬底；高电介质膜，在所述半导体衬底上形成；以及SiC系膜，在所述高电介质膜的上层形成，具有防反射功能和硬掩膜功能。本发明的半导体装置的制造方法包括：等离子体处理工序，使等离子体作用于所述SiC系膜和所述高电介质膜而进行改质；以及清洗处理工序，通过湿式清洗一次性地除去在所述等离子体处理工序中被改质的所述SiC系膜和所述高电介质膜。
半导体装置制造方法

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法、记录介质以及软件-CN200580010687.6无效
发明人：户岛孝之;新藤尚树;矢野洋;鹤崎广太郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-03-25 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的基板处理装置(1)具有：利用处理液处理基板的处理槽(3)、配置在处理槽(3)上方的干燥处理部(6)、和使基板W在处理槽(3)与干燥处理部(6)之间移动的移动机构(8)。在干燥处理部(6)上连接着供给处理气体的处理气体供给管线(21)、和向干燥处理部(6)供给非活性气体的非活性气体供给管线(24、25)。又，在干燥处理部(6)上连接着将从干燥处理部(6)压出的气氛气体排出的第1排气管线(26)、和强制排出前述干燥处理部(6)的气体的第2排气管线(27)。
处理装置方法记录介质以及软件

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