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[发明专利]一种片上ECC存储器的访问方法和装置-CN202310568313.6有效
发明人：段延亮;刁永翔;张辅云;李兵;王洋;赵业;文炳成 -专利权人：无锡众星微系统技术有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G06F12/0877 文献下载
摘要：本发明提供了一种片上ECC存储器的访问方法和装置，该方法包括：从存储器访问信号中获取访问地址，通过访问地址确定目标存储库，每个存储库单独实现ECC功能；根据访问信号确定写操作类型，如果写操作类型是第一类型，则在当前存储库的缓冲器中对待写入数据执行RMW操作和ECC校验；根据缓冲器状态，对缓存的数据进行ECC校验，然后输出到当前存储库的物理存储单元中。本发明的技术方案提高了片上存储器空间利用率，通过实现读写流水线操作，提高了读写带宽，降低了读写延迟。
一种 ecc 存储器访问方法装置

[发明专利]一种基于TSV变容管的压控振荡器-CN202110254983.1有效
发明人：王凤娟;文炳成;陈佳俊;余宁梅;杨媛;朱樟明;尹湘坤 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H03B5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于TSV变容管的压控振荡器，包括可变电感M1，PMOS1源极S1、衬底B1、PMOS2源极S2和衬底B2相连形成电源接入端，PMOS1漏极D1与PMOS2栅极G2、M1输入端Min1、C1输出端Cout1、MOS3漏极D3和MOS4栅极G4相连，PMOS2漏极D2与PMOS1栅极G1、M1输出端Mout1、C2输出端Cout2、MOS4漏极D4和MOS3栅极G3相连，MOS3源极S3、衬底B3、MOS4源极S4和衬底B4为接地端，C1输入端Cin1和C2输入端Cin2相连组成电容控制电源接入端，MOS5栅极G5、衬底B5分别为电感控制电源接入端和接地端。
一种基于 tsv 变容管压控振荡器

[发明专利]一种基于TSV垂直开关的压控振荡器-CN202110254843.4有效
发明人：王凤娟;文炳成;余宁梅;杨媛;朱樟明;尹湘坤 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H03B5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于TSV垂直开关的压控振荡器，包括电源VDD，电源VDD通过导线连接有惠斯通电桥电感器M1和惠斯通电桥电感器M2的输入端，M1的输出端连接有变容器C1的输出端、MOS4的栅极、MOS3的漏极，M2的输出端连接有变容器C2的输出端、MOS3的栅极、MOS4的漏极，C1和C2的输入端连接有电容控制电源Vctr3，MOS3的源极通过导线与MOS4的源极、MOS5的漏极相连，MOS5的栅极通过导线电连接有偏置电源Vb，MOS5的源极接地。本发明通过TSV实现更短的互连线以降低功耗与延迟，通过TSV垂直开关的导通或关断以调节电感电路的电感值，配合变容器实现压控振荡器的频率调节。
一种基于 tsv 垂直开关压控振荡器

[发明专利]一种三维集成低相位噪声压控振荡器-CN202110443900.3有效
发明人：王凤娟;陈佳俊;文炳成;余宁梅;杨媛;朱樟明;尹湘坤 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种三维集成低相位噪声压控振荡器，包括电源，电源连接M1和M2的源极和衬底，M1的栅极与Lv1的输出端及C2的输入端连接，M2的栅极与Lv2的输出端以及C1的输入端连接，Vbias与Lv1和Lv2的输入端，M1的漏极与L1和R1的输入端连接，L1的输出端连接，R1的输出端与C1和Cv1的输出端、Lv3的输入端、Vout1连接，M2的漏极与L2的输入端连接，L2的输出端与R2的输入端连接，R2的输出端与C2和Cv2的输出端、Lv4的输入端、Vout2连接，Vctr1与Cv1和Cv2的输入端连接，接地端与Lv3和Lv4的输出端连接。本发明具有芯片面积小、相位噪声低、等优点。
一种三维集成相位噪声压控振荡器

[发明专利]一种基于TSV的积累型MOS变容二极管及其制备方法-CN201910419518.1有效
发明人：王凤娟;文炳成;余宁梅 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于TSV的积累型MOS变容二极管，包括P型硅衬底，硅衬底上开设有通孔，通孔中从内向外依次设置有金属柱和介质层，金属柱引出有端子a，靠近通孔端部的介质层与硅衬底之间设置有P型参杂区，P型参杂区的端面上引出有端子b。本发明还公开了一种基于TSV的积累型MOS变容二极管的制备方法，本发明基于TSV的积累型MOS变容二极管相比平面积累型MOS变容二极管具有更高的品质因数、更低的寄生电阻、更低的相位噪声和更好的调谐线性度。
一种基于 tsv 积累 mos 变容二极管及其制备方法

[发明专利]一种TSV垂直开关及其制备方法-CN201910418992.2在审
发明人：王凤娟;文炳成;余宁梅 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种TSV垂直开关，包括P型硅衬底，硅衬底上开设有通孔，通孔内部从内向外依次设置有金属柱和介质层，金属柱上设置有栅极端子，靠近通孔两端端部的介质层外分别设置有n型参杂区，n型参杂区端面上设置有金属层，两端金属层上分别引出有源、漏端子。本发明还公开了一种TSV垂直开关的制备方法，本发明TSV垂直开关载流大、面积小，而且制备工艺简单。
垂直通孔参杂区介质层金属柱制备两端端部两端金属依次设置栅极端子制备工艺硅衬底金属层衬底载流