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[发明专利]进液检测电路和电子设备-CN202210173863.3有效
发明人：刘亮;黄停;曹雷;韩超;房玉龙 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本申请提供一种进液检测电路和电子设备，检测电路包括：阻抗检测模块以及处理模块，其中，阻抗检测模块用于：检测第一阻抗与第二阻抗，第一阻抗是Type‑C接口中第一数据管脚与GND管脚之间的阻抗，第二阻抗是Type‑C接口中第二数据管脚与GND管脚之间的阻抗；处理模块用于：在第一阻抗和第二阻抗中至少一个阻抗小于预设参考阻抗时，判定Type‑C接口出现进液问题。本申请能够减少Type‑C接口中管脚的腐蚀现象，延长Type‑C接口的寿命和使用性能。
检测电路电子设备

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管的外延结构及其制备方法-CN201911056791.9有效
发明人：张志荣;郭艳敏;尹甲运;王波;高楠;房玉龙;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种高电子迁移率晶体管外延结构及其制备方法。所述外延结构从下到上依次包括衬底、InxGa1‑xN/GaN多量子阱层、GaN缓冲层和有源区。所述制备方法包括，所述衬底置于反应室内，对所述衬底进行热处理，然后在衬底上依次生长InxGa1‑xN/GaN多量子阱层、GaN缓冲层和有源区，获得完整外延结构。本申请在衬底表面首先生长多量子阱层，多量子阱会捕获杂质形成的载流子，降低进入氮化镓缓冲层的杂质载流子浓度，提高HEMT的迁移率和器件的性能；同时，部分In会逸出表面，使生长表面形成类纳米图形衬底，促使氮化镓侧向外延生长，有利于提高氮化镓外延材料的晶体质量。
一种电子迁移率晶体管外延结构及其制备方法

[发明专利]单面石英鳍线双二极管太赫兹平衡式二次倍频电路-CN201710392372.7有效
发明人：王俊龙;冯志红;房玉龙;杨大宝;梁士雄;张立森;赵向阳;徐鹏;邢东 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种单面石英鳍线双二极管太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、两个反向串联的GaAs基太赫兹肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板上的前侧鳍线与后侧鳍线；两个所述肖特基二极管的一端与前侧鳍线电连接，两个所述肖特基二极管的另一端与后侧鳍线电连接，且所述肖特基二极管位于前侧鳍线与后侧鳍线间距离保持不变的位置处。所述电路使得射频输入输出波导可以在同一直线上，方便电路人员设计，同时加工更为简单，且可以承受大功率输入，提高输出功率。
单面石英鳍线二极管赫兹平衡二次倍频电路

[发明专利]一种GaN基场效应管外延方法-CN202310080421.9在审
发明人：王波;房玉龙;尹甲运;张志荣;高楠;芦伟立;李佳;陈宏泰;牛晨亮 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种GaN基场效应管外延方法，本发明通过将衬底置于特定温度和压力的生长反应室内，通入镓源和氨气，在衬底上生长第一GaN外延层，改变反应室的温度和压力，通入镓源、氨气和铝源，在第一GaN外延层上生长AlGaN外延层，再次改变反应室的温度和压力，通入镓源和氨气，在AlGaN外延层上生长第二GaN外延层，再次改变反应室的温度和压力，通入镓源、镓源和氨气，在第二GaN外延层上生长第三GaN外延层，其中，AlGaN外延层和第二GaN外延层之间发生自发极化反应，在两层之间产生二维空穴气体，从而能够使得GaN基场效应管与GaN基高电子迁移率晶体管互补，实现单片集成。
一种 gan 场效应外延方法

[发明专利]一种金刚石衬底GaN外延方法-CN202310080393.0在审
发明人：王波;房玉龙;尹甲运;张志荣;高楠;芦伟立;李佳;陈宏泰;牛晨亮 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种金刚石衬底GaN外延方法。本发明通过在金刚石衬底上溅射生长AlN缓冲层，并形成AlN/金刚石模板，将AlN/金刚石模板进行退火处理，在退火后的AlN缓冲层上生长GaN外延层，其中，对AlN/金刚石模板退火得到单晶AlN材料，消除衬底晶向的影响，同时消除衬底带来的晶格失配和热失配，简化了金刚石上GaN的外延生长过程，降低了金刚石衬底上外延GaN的生长难度。
一种金刚石衬底 gan 外延方法

[发明专利]双面石英鳍线太赫兹平衡式二次倍频电路-CN201710393311.2有效
发明人：王俊龙;冯志红;房玉龙;杨大宝;梁士雄;张立森;赵向阳;徐鹏;邢东 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面石英鳍线太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、两个肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板正反面的前侧鳍线与后侧鳍线；位于正面的所述肖特基二极管的一端与正面的前侧鳍线电连接，位于正面的所述肖特基二极管的另一端与正面的后侧鳍线电连接，且所述肖特基二极管位于前侧鳍线与后侧鳍线间距离保持不变的位置处。所述电路使得射频输入输出波导可以在同一直线上，方便电路人员设计，同时加工更为简单；且石英电路采用双面电路，在正反两面均放置反向串联的肖特基二极管，可提高倍频效率，提高输出功率。
双面石英鳍线赫兹平衡二次倍频电路

[发明专利]单面石英鳍线单二极管太赫兹平衡式二次倍频电路-CN201710393300.4有效
发明人：王俊龙;冯志红;房玉龙;杨大宝;梁士雄;张立森;赵向阳;徐鹏;邢东 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种单面石英鳍线单二极管太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、反向串联的GaAs基太赫兹肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板上的前侧鳍线与后侧鳍线；所述肖特基二极管的一端与前侧鳍线电连接，所述肖特基二极管的另一端与后侧鳍线电连接，且所述肖特基二极管位于前侧鳍线与后侧鳍线间距离保持不变的位置处。所述电路与传统平衡式倍频电路相比，输入输出波导过渡均采用鳍线过渡，使得射频输入输出波导可以在同一直线上。
单面石英鳍线二极管赫兹平衡二次倍频电路

[发明专利]单面石英鳍线太赫兹平衡式三次倍频电路-CN201710392404.3有效
发明人：王俊龙;冯志红;房玉龙;杨大宝;梁士雄;张立森;赵向阳;徐鹏;邢东 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种单面石英鳍线太赫兹平衡式三次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、两个同向串联的GaAs基太赫兹肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板上的前侧鳍线与后侧鳍线；两个所述肖特基二极管的一端与前侧鳍线电连接，两个所述肖特基二极管的另一端与后侧鳍线电连接，且所述肖特基二极管位于前侧鳍线与后侧鳍线间距离保持不变的位置处。所述电路的射频输入输出波导可以在同一直线上，方便电路人员设计，同时加工更为简单，并可以承受大功率输入，提高输出功率。
单面石英鳍线赫兹平衡三次倍频电路

[发明专利]双面鳍线四管芯太赫兹平衡式二次倍频电路-CN201710391361.7有效
发明人：王俊龙;冯志红;房玉龙;杨大宝;梁士雄;张立森;赵向阳;徐鹏;邢东 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-27 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H03B19/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面鳍线四管芯太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、四个肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板正反面的前侧鳍线与后侧鳍线；位于正面的两个所述肖特基二极管的一端与正面的前侧鳍线电连接，位于正面的两个所述肖特基二极管的另一端与正面的后侧鳍线电连接。所述电路使得射频输入输出波导可以在同一直线上，方便电路人员设计，同时加工更为简单且石英电路采用双面电路，在正反两面均放置反向串联的肖特基二极管，可提高倍频效率，通过正反两面各设置两个肖特基二极管，可承受较大的功率输出，提高输出功率。
双面鳍线管芯赫兹平衡二次倍频电路

[发明专利]一种GaN HEMT上降低Fe拖尾的方法-CN202310121963.6在审
发明人：王波;房玉龙;尹甲运;张志荣;高楠;芦伟立;李佳;陈宏泰;牛晨亮 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本申请适用于半导体衬底材料制备技术领域，提供了一种GaN HEMT上降低Fe拖尾的方法，该GaN HEMT上降低Fe拖尾的方法包括：将衬底置入MOCVD设备的反应室；在衬底上生长故意掺Fe的第一GaN层；在高温条件下，在第一GaN层上生长AlN层；在AlN层上生长非故意掺杂的第二GaN层。本申请在高温条件下生长AlN层，利用AlN层的晶格常数较小的特点，增加后续生长非故意掺杂的GaN层的压应力，阻止Fe通过分凝现象向非故意掺杂的GaN层中掺入，进而有效地改善Fe拖尾的问题。
一种 gan hemt 降低 fe 方法

[实用新型]短路保护电路和电子设备-CN202222837530.4有效
发明人： 房玉龙 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种短路保护电路和电子设备，涉及电路技术领域，可以在接口引脚由于进水短路时及时进行短路保护。短路保护电路，包括：接口连接器，接口连接器包括第一引脚和第二引脚；第一引脚电连接于电源端；第二引脚通过第一电阻电连接于分压节点；分压节点通过第二电阻接地；控制装置，控制装置通过过压保护电路电连接于分压节点；过压保护电路用于当分压节点的电压超过第一阈值时使分压节点与控制装置之间截止；控制装置用于当分压节点通过过压保护电路传输至控制装置的电压超过第二阈值时执行短路保护，第二阈值小于第一阈值。
短路保护电路电子设备

[发明专利]砷化镓外延层的制备方法及结构-CN202310080402.6在审
发明人：刘兴述;商耀辉;房玉龙;牛晨亮;陈宏泰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种砷化镓外延层的制备方法及结构。该方法包括：在As束流的保护下，将GaAs衬底的温度设置为第一预设温度，打开Ga束流，在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；打开P型掺杂源束流，在GaAs缓冲层上生长P型体掺杂GaAs外延层；关断Ga束流，在P型体掺杂GaAs外延层上生长P型平面掺杂层；重复执行“打开Ga束流，在当前P型平面掺杂层上生长新的P型体掺杂GaAs外延层”步骤，以及“关断Ga束流，在当前P型体掺杂GaAs外延层上生长新的P型平面掺杂层”步骤，直到P型体掺杂GaAs外延层的层数达到预设层数时，关断Ga束流和P型掺杂源束流，得到砷化镓外延层结构。本发明能够提高砷化镓P型掺杂浓度。
砷化镓外延制备方法结构

[发明专利]增强型场效应晶体管-CN201910892871.1有效
发明人：王元刚;冯志红;吕元杰;宋旭波;谭鑫;周幸叶;房玉龙;尹甲运 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明适用于半导体器件技术领域，公开了一种增强型场效应晶体管，增强型场效应晶体管自下而上依次包括衬底、沟道层、势垒层、钝化层和至少一层预设结构；预设结构自下而上依次包括绝缘介质层和场板；沟道层上分列有源电极和漏电极，势垒层上设有栅电极，钝化层位于源电极与栅电极之间以及栅电极与漏电极之间，绝缘介质层覆盖栅电极；在源电极和漏电极之间的沟道层中存在无载流子区和载流子区，在栅电极正下方以外的沟道层中存在无载流子区，且在栅电极正下方的沟道层中存在载流子区；在无载流子区的正上方具有场板。本发明提供的增强型场效应晶体管利用横向能带工程实现增强型器件，并利用场板结构能够提高击穿电压，提高器件的可靠性。
增强场效应晶体管

[实用新型]一种数控车床升降装置-CN202222458662.6有效
发明人： 房玉龙;匡丽娜 -专利权人： 房玉龙
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： B23Q7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种数控车床升降装置，包括支撑板，支撑板为数控车床升降装置的支撑部件，支撑板的顶端固定设有安装板，支撑板的顶部设有循环式升降机构，循环式升降机构包括开设于支撑板顶端两侧的设置槽，两个设置槽之间开设有安装槽，安装槽的内壁转动连接有两个蜗轮，两个蜗轮之间啮合连接有蜗杆，安装板的两侧均开设有滑槽，滑槽的内壁均转动连接有丝杆，丝杆的外壁均螺纹连接有滑块，本实用新型一种数控车床升降装置通过启动电机驱动蜗杆转动，蜗杆驱动两个蜗轮相互反向转动，带动连接的丝杆相互反向转动，丝杆驱动滑块带动升降板相互反向进行升降，达到快速上下料的作用，省时省力，提高了工作效率。
一种数控车床升降装置

[发明专利]进液检测电路和电子设备-CN202211129270.3在审
发明人：刘亮;黄停;曹雷;韩超;房玉龙 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G01N27/02 文献下载
摘要：本申请提供一种进液检测电路和电子设备，检测电路包括：阻抗检测模块以及处理模块，其中，阻抗检测模块用于：检测第一阻抗与第二阻抗，第一阻抗是Type‑C接口中第一数据管脚与GND管脚之间的阻抗，第二阻抗是Type‑C接口中第二数据管脚与GND管脚之间的阻抗；处理模块用于：在第一阻抗和第二阻抗中至少一个阻抗小于预设参考阻抗时，判定Type‑C接口出现进液问题。本申请能够减少Type‑C接口中管脚的腐蚀现象，延长Type‑C接口的寿命和使用性能。
检测电路电子设备

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