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[实用新型]一种快速易调节的电流检测电路-CN201921418233.8有效
发明人：周泽坤;刘晓琳;邓琪 -专利权人： 成都矽能科技有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：一种快速易调节的电流检测电路，包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电流源、第二电流源、第三电流源、第一电阻、第二电阻和使能管，第一电阻的一端作为电流检测电路的输入端，另一端连接第一三极管的发射极；第二三极管的基极连接第一三级管的基极和集电极以及第一电流源，发射极连接参考电流并通过第二电阻后接地，集电极连接第三三极管的基极和第二电流源；第三三极管的集电极作为电流检测电路的输出端并连接第三电流源，发射极接地；使能管接在电流检测电路的输出端和地之间，控制端连接使能信号。第一级采用三极管发射极输入比较器结构，具有快速和易调节的特点，第二级采用三级管构成放大结构，进一步提升了速度。
一种快速调节电流检测电路

[实用新型]一种SOI横向恒流二极管-CN201921538715.7有效
发明人：乔明;何林蓉;邓琪 -专利权人： 成都矽能科技有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种SOI横向恒流二极管，属于半导体功率器件技术领域。所述横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括衬底、埋氧层、第一导电类型轻掺杂硅、第二导电类型扩散阱区、第一导电类型沟道注入区、第二导电类型重掺杂区、第一重掺杂区、第二重掺杂区、氧化介质层、金属阳极和金属阴极，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区均为第一导电类型。本实用新型恒流二极管采用SOI技术，可有效防止集成系统中衬底漏电流带来的不利影响。
一种 soi 横向二极管

[实用新型]一种带锁存功能的反相器-CN201921598284.3有效
发明人：周泽坤;金正扬;邓琪 -专利权人： 成都矽能科技有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：一种带锁存功能的反相器，包括反相单元和锁存单元，反相单元包括输入端、输出端、电源端和接地端，反相单元的输入端连接反相器的输入信号，其电源端连接电源电压，其输出端输出反相器的输出信号；锁存单元包括第二NMOS管，第二NMOS管的栅极连接控制信号，其漏极连接反相单元的接地端，其源极接地。当控制信号为高电平时，反相器作为一般反相器使用，当控制信号为低电平时，反相器输出节点浮空，反相器实现锁存功能。本实用新型提出的带锁存功能的反相器，仅利用一个接在反相单元的接地端和地电平之间的晶体管即可实现锁存功能，相比传统的使用正反馈结构实现锁存的反相器而言，减少了晶体管数量，节省了面积。
一种带锁存功能反相器

[实用新型]一种具有内嵌隔离环的高维持电压可控硅-CN201921418257.3有效
发明人：乔明;齐钊;邓琪 -专利权人： 成都矽能科技有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种具有内嵌隔离环的高维持电压可控硅，包括P型衬底，P型衬底上表面两侧设置的N阱区和P阱区，N阱区内表面设置的阳极，P阱区内表面设置的阴极，设置在P型衬底上表面且两端设置在N阱区和P阱区内部的第三N+区，N型隔离环和/或P型隔离环。其中N型隔离环包括设置在N阱区下方的N埋层，设置在N阱区远离P阱区的一侧且与N阱区和N埋层接触的第一N型深注入层，设置在N阱区靠近P阱区的一侧且与N阱区和N埋层接触的第二N型深注入层；P型隔离环包括设置在P阱区下方的P埋层，设置在P阱区远离N阱区的一侧且与P阱区和P埋层接触的第一P型深注入层，设置在P阱区靠近N阱区的一侧且与P阱区和P埋层接触的第二P型深注入层。
一种具有隔离维持电压可控硅

[实用新型]一种恒流器件-CN201921473930.3有效
发明人：乔明;孟培培;邓琪 -专利权人： 成都矽能科技有限公司
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：一种恒流器件，属于半导体器件技术领域。本实用新型在P型衬底上通过扩散或外延的方式形成两个独立的第一N型区和第二N型区，并在第一N型区内设置第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区形成恒流二极管结构，在第二N型区内设置第二P型重掺杂区和第二N型重掺杂区形成纵向PNP三极管结构。恒流二极管的恒定电流为PNP三极管基区提供电流，使整个恒流器件总的输出电流变为传统恒流二极管的(1+β)倍，器件单位面积电流大幅提升，节约了芯片面积与成本；PNP三极管放大系数β的正温度系数补偿了恒流二极管恒定电流的负温度系数，提升器件温度稳定性；P型衬底采用轻掺杂材料时提高了PNP三极管与恒流二极管的击穿电压，拓宽了本实用新型的工作电压范围。
一种器件

[发明专利]一种SOI横向恒流二极管及其制造方法-CN201910873979.6在审
发明人：乔明;何林蓉;邓琪 -专利权人： 成都矽能科技有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种SOI横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括衬底、埋氧层、第一导电类型轻掺杂硅、第二导电类型扩散阱区、第一导电类型沟道注入区、第二导电类型重掺杂区、第一重掺杂区、第二重掺杂区、氧化介质层、金属阳极和金属阴极，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区均为第一导电类型。本发明恒流二极管采用SOI技术，可有效防止集成系统中衬底漏电流带来的不利影响。
重掺杂区第一导电类型恒流二极管导电类型衬底元胞半导体功率器件沟道注入区氧化介质层集成系统金属阳极金属阴极漏电流埋氧层轻掺杂叉指阱区扩散制造

[发明专利]一种紧凑的带锁存功能的反相器-CN201910903594.X在审
发明人：周泽坤;金正扬;邓琪 -专利权人： 成都矽能科技有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：一种紧凑的带锁存功能的反相器，包括反相单元和锁存单元，反相单元包括输入端、输出端、电源端和接地端，反相单元的输入端连接反相器的输入信号，其电源端连接电源电压，其输出端输出反相器的输出信号；锁存单元包括第二NMOS管，第二NMOS管的栅极连接控制信号，其漏极连接反相单元的接地端，其源极接地。当控制信号为高电平时，反相器作为一般反相器使用，当控制信号为低电平时，反相器输出节点浮空，反相器实现锁存功能。本发明提出的带锁存功能的反相器，仅利用一个接在反相单元的接地端和地电平之间的晶体管即可实现锁存功能，相比传统的使用正反馈结构实现锁存的反相器而言，减少了晶体管数量，节省了面积。
反相器反相锁存控制信号接地端锁存单元电源端晶体管输出端输出反相器输入端连接结构实现连接电源输出节点输出信号源极接地栅极连接传统的地电平输入端正反馈低电浮空高电漏极紧凑

[发明专利]一种恒流器件及其制造方法-CN201910837564.3在审
发明人：乔明;孟培培;邓琪 -专利权人： 成都矽能科技有限公司
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：一种恒流器件及其制造方法，属于半导体器件技术领域。本发明在P型衬底上通过扩散或外延的方式形成两个独立的第一N型区和第二N型区，并在第一N型区内设置第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区形成恒流二极管结构，在第二N型区内设置第二P型重掺杂区和第二N型重掺杂区形成纵向PNP三极管结构。恒流二极管的恒定电流为PNP三极管基区提供电流，使整个恒流器件总的输出电流变为传统恒流二极管的(1+β)倍，器件单位面积电流大幅提升，节约了芯片面积与成本；PNP三极管放大系数β的正温度系数补偿了恒流二极管恒定电流的负温度系数，提升器件温度稳定性；P型衬底采用轻掺杂材料时提高了PNP三极管与恒流二极管的击穿电压，拓宽了本发明的工作电压范围。
恒流二极管恒定电流恒流器件衬底半导体器件技术单位面积电流放大系数β 负温度系数三极管结构温度稳定性正温度系数工作电压击穿电压输出电流提升器件纵向PNP 轻掺杂基区芯片扩散节约制造

[发明专利]一种可用于静电泄放防护的内嵌隔离环可控硅-CN201910805721.2在审
发明人：乔明;齐钊;邓琪 -专利权人： 成都矽能科技有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种可用于静电泄放防护的内嵌隔离环可控硅，包括P型衬底，P型衬底上表面两侧设置的N阱区和P阱区，N阱区内表面设置的阳极，P阱区内表面设置的阴极，设置在P型衬底上表面且两端设置在N阱区和P阱区内部的第三N+区，N型隔离环和/或P型隔离环。其中N型隔离环包括设置在N阱区下方的N埋层，设置在N阱区远离P阱区的一侧且与N阱区和N埋层接触的第一N型深注入层，设置在N阱区靠近P阱区的一侧且与N阱区和N埋层接触的第二N型深注入层；P型隔离环包括设置在P阱区下方的P埋层，设置在P阱区远离N阱区的一侧且与P阱区和P埋层接触的第一P型深注入层，设置在P阱区靠近N阱区的一侧且与P阱区和P埋层接触的第二P型深注入层。
注入层隔离环衬底上表面表面设置阴极静电泄放两侧设置两端设置阳极可控硅衬底可用内嵌防护

[发明专利]一种快速电流检测电路-CN201910805841.2在审
发明人：周泽坤;刘晓琳;邓琪 -专利权人： 成都矽能科技有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：一种快速电流检测电路，包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第一电流源、第二电流源、第三电流源、第一电阻、第二电阻和使能管，第一电阻的一端作为快速电流检测电路的输入端，其另一端连接第一三极管的发射极；第二三极管的基极连接第一三级管的基极和集电极以及第一电流源，其发射极连接参考电流并通过第二电阻后接地，其集电极连接第三三极管的基极和第二电流源；第三三极管的集电极作为快速电流检测电路的输出端并连接第三电流源，其发射极接地；使能管接在快速电流检测电路的输出端和地之间，其控制端连接使能信号。第一级采用三极管发射极输入比较器结构，具有快速和易调节的特点，第二级采用三级管构成放大结构，进一步提升了速度。
三极管电流源检测电路快速电流电阻集电极三级管输出端使能三极管发射极发射极接地发射极连接集电极连接输入比较器参考电流放大结构基极连接使能信号一端连接接地第一级发射极控制端输入端管接

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