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[发明专利]安全起电方法、系统、芯片及电子设备-CN202111014195.1在审
发明人：田敏志;谢晓;王毫杰;张浩;肖琨;孟祥隆 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G06F9/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种系统级芯片的安全起电方法、系统、芯片及电子设备。其中安全起电方法具体包括：在一次性可编程存储器无法对芯片寄存器进行配置的情况下，触发微控制器中的只读存储器对芯片寄存器进行配置；在微控制器无法正常启动的情况下，触发电可擦除只读存储器对芯片寄存器进行配置；以及在所述电可擦除只读存储器无法对芯片寄存器进行配置的情况下，触发系统级芯片执行复位启动并进入正常工作状态。通过本申请提出的技术方案，同时使用微控制器、一次性可编程存储器和电可擦除只读存储器，对系统级芯片的上电流程，特别是上电流程中的寄存器配置环节进行控制，进而保障了系统级芯片上电全流程的安全性和可靠性。
安全起电方法系统芯片电子设备

[发明专利]像素单元和形成方法以及成像系统组件-CN201810099785.0有效
发明人：徐辰;高秉强;邵泽旭 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2018-01-31 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种像素单元，包括一光电二极管，一读出电路，及一垂直通道传输晶体管。所述光电二极管设置于第一半导体芯片的第一基底内，累积图像电荷以响应于入射光到光电二极管。所述读出电路设置于第二半导体芯片的第二基底内。所述垂直通道传输晶体管连接到所述光电二极管和所述读出电路将图像的电荷从所述光电二极管传输到所述读出电路。
像素单元形成方法以及成像系统组件

[发明专利]TOF图像传感器像素结构及测距系统-CN202011063269.6在审
发明人：戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H04N5/341 文献下载
摘要：本发明属于图像传感器技术领域，涉及TOF图像传感器像素结构及测距系统，其中，TOF图像传感器像素结构，包括第一读取控制模块、第二读取控制模块及至少两个预设尺寸的小光传感器。第一读取控制模块中包括至少两个第一传输晶体管，且第一读取控制模块通过至少两个第一传输晶体管分别与至少两个预设尺寸的小光传感器一一对应连接。第二读取控制模块中包括至少两个第二传输晶体管，且第二读取控制模块通过至少两个第二传输晶体管分别与至少两个预设尺寸的小光传感器一一对应连接。其中，连接同一个小光传感器的第一传输晶体管和第二传输晶体管对称设置。因此，本发明能够提高光生电荷的传输效率，进而能够实现提升测距能力、测距精度的目的。
tof 图像传感器像素结构测距系统

[发明专利]测距像素结构及TOF图像传感器-CN202011063250.1在审
发明人：戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明属于图像传感器技术领域，涉及一种TOF图像传感器的测距像素结构及TOF图像传感器。其中，TOF图像传感器的测距像素结构，包括衬底、第一收集节点、第二收集节点及两个门电极。第一收集节点和第二收集节点并列设置于衬底中，均用于收集周围的光生电荷。两个门电极并列设置于衬底中，且位于第一收集节点和第二收集节点之间，用于在衬底中产生导流电场，以将导流电场内的光生电荷导向第一收集节点或第二收集节点。其中，两个门电极的外壁上均包覆有氧化层。因此，本实施例提供的测距像素结构的静态功耗很低，使得应用本发明提供的测距像素结构的TOF图像传感器能够具有功耗低的优点。
测距像素结构 tof 图像传感器

[发明专利]TOF图像传感器像素结构及测距系统-CN202011063247.X在审
发明人：戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H04N5/341 文献下载
摘要：本发明属于图像传感器技术领域，涉及一种TOF图像传感器像素结构及测距系统，其中，TOF图像传感器像素结构，包括光传感器、第一读取控制模块、第二读取控制模块及电荷平衡单元。光传感器用于进行光电转换以产生电荷。第一读取控制模块和第二读取控制模块均与光传感器相连，均用于根据电荷进行读取控制。电荷平衡单元与第一读取控制模块的第一浮动扩散节点和第二读取控制模块的第二浮动扩散节点相连，用于在重置后平衡第一浮动扩散节点和第二浮动扩散节点的电荷。因此，本发明能够确保TOF图像传感器像素中的几个浮动扩散节点的电压在重置后相等，从而能够缓解像素内的固定模式噪声、提高图像传感器的测距精度。
tof 图像传感器像素结构测距系统

[发明专利]TOF图像传感器像素结构及测距系统-CN202011066330.2在审
发明人：戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H04N5/341 文献下载
摘要：本发明属于图像传感器技术领域，涉及一种TOF图像传感器像素结构及测距系统，其中，TOF图像传感器像素结构，包括光传感器及传输电路。光传感器包括电位逐级递减的第一感光区域、第二感光区域及第三感光区域，用于产生电位差，协助自身产生的电荷流向与第三感光区域连接的传输电路。因此，本发明通过电位从高到低的第一感光区域、第二感光区域及第三感光区域能够将光传感器产生电荷快速的传输至传输电路，从而能够使得该电荷快速的传输到存储单元(例如存储节点或存储电容)，故而提高了光电二极管产生的电荷的传输效率，进而能够提高测距精度。
tof 图像传感器像素结构测距系统

[发明专利]光电二极管及TOF测距装置-CN202011066334.0在审
发明人：戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种光电二极管及TOF测距装置，该光电二极管包括衬底、第一电极层、第一电极、第二电极层、第二电极和辅助电极，所述第一电极层设于所述衬底上，所述第一电极设于所述第一电极层上，所述第二电极层设于所述衬底上，所述第二电极设于所述第二电极层上，所述辅助电极接电位或悬空，以产生与所述第一电极层和所述衬底之间的电场方向相对抗的电场，或者对所述第一电极层和所述衬底之间的电场形成屏蔽。本发明的光电二极管及TOF测距装置中，由于辅助电极产生与第一电极层和衬底之间的电场方向相对抗的电场，或者辅助电极对第一电极层和衬底之间的电场形成屏蔽，因此能降低第一电极层边沿的电场，从而起到降低暗计数的作用。
光电二极管 tof 测距装置

[发明专利]TOF图像传感器像素结构及测距系统-CN202011069498.9在审
发明人：戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H04N5/341 文献下载
摘要：本发明属于图像传感器技术领域，涉及TOF图像传感器像素结构及测距系统，其中，TOF图像传感器像素结构，包括电场生成栅极、光传感器及传输电路。传输电路与光传感器的下端连接，用于接收光传感器产生的电荷。电场生成栅极覆盖光传感器的上端，用于在加负压时制造一个恒定的电场，以协助电荷传输至传输电路。因此，本发明通过在光传感器上端设置能够加负压的电场生成栅极，使得光传感器内产生电位差，从而制造一个恒定的电场，进而能够将光传感器产生电荷快速的传输至传输电路，进一步使得该光传感器产生的电荷快速的传输到存储单元(例如存储节点或存储电容)，故而，本发明提高了光电二极管产生的电荷的传输效率，进而能够实现提高测距精度的目的。
tof 图像传感器像素结构测距系统

[发明专利]一种TOF图像传感器像素结构及测距系统-CN202011069901.8在审
发明人：戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H04N5/341 文献下载
摘要：本发明涉及一种TOF图像传感器像素结构及测距系统，包括光传感器，与光传感器分别耦接的第一读取控制单元、第二读取控制单元以及抗溢出晶体管；第一读取控制单元与第二读取控制单元均分别包括复位晶体管传输晶体管及输出单元；复位晶体管用于重置浮动扩散节点的电压；传输晶体管耦接光传感器至对应的浮动扩散节点；输出单元耦接至对应的浮动扩散节点；抗溢出晶体管的第一通路端耦接至电压源，抗溢出晶体管的第二通路端耦接至光传感器。该像素结构可以在调制光没有打开时消除背景光信号，避免背景光电荷传输到浮动扩散节点，提高测距精度，并且具有高动态范围特性。
一种 tof 图像传感器像素结构测距系统

[实用新型]一种像素结构及图像传感器-CN202122824110.8有效
发明人：许书洋;王强 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，提供了一种像素结构以及图像传感器，像素结构包括：衬底、传输晶体管栅极、旁路晶体管栅极、辅助离子掺杂区、保护层、介质层以及浮动扩散区，其中，旁路晶体管栅极与传输晶体管栅极设于衬底的第一面并且相邻，辅助离子掺杂区设于传输晶体管栅极及旁路晶体管栅极之间的衬底中，保护层设于传输晶体管栅极和旁路晶体管栅极显露的表面及其周围的衬底的第一面上，介质层设于保护层上，且具有贯通的互连注入接触孔，浮动扩散区设于互连注入接触孔对应的衬底中区域，并且辅助离子掺杂区的外缘超出对应位置的浮动扩散区的外缘；从而解决了图像传感器在高温暗光条件下出现白色像素过多等问题。
一种像素结构图像传感器

[实用新型]高动态范围图像传感器像素电路-CN202122250518.9有效
发明人：郭同辉 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：一种高动态范围图像传感器像素电路，属于传感器领域，光电转换元件在曝光周期内接收光信号以产生电荷；电荷存储转移电路根据电荷调制信号对电荷进行存储以生成积分电荷信号，并根据控制选择信号将积分电荷信号输出；电荷调制信号与曝光时间之间成基数大于1的对数关系；释放电路至少在生成积分电荷信号的过程中根据弱关闭信号释放光电转换元件产生的部分电荷；电信号读出电路根据像素选择控制信号将积分电荷信号转换为电信号，以得到图像信号；故增加了高动态范围图像传感器像素电路感光动态范围，增加了高动态范围图像传感器像素电路感光动态范围调节的灵活性。
动态范围图像传感器像素电路

[实用新型]CMOS图像传感器-CN202122685966.1有效
发明人：郭同辉 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供一种CMOS图像传感器，该图像传感器包括：层叠设置的第一半导体衬底与第二半导体衬底：形成于第一半导体衬底中的逻辑电路，至少用于提供图像传感器的控制信号；且第一半导体衬底连接第一电路电压；形成于第二半导体衬底中的光电转换单元，光电转换单元包括光电二极管，且第二半导体衬底中还设置有衬底接触，衬底接触外接第一调节电压；其中，第一电路电压与第一调节电压不等，以基于第一调节电压调节光电二极管的完全耗尽电势。通过将器件形成于不同的半导体衬底中，实现逻辑电路控制信号在不同半导体衬底之间的灵活施加，有效消除光电二极管中的残留电荷，降低残留电荷产生的图像拖影问题。
cmos 图像传感器

[发明专利]一种电源噪声抑制电路及图像传感器-CN202011018744.8在审
发明人：杨靖;侯金剑;任冠京;莫要武 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H04N5/357 文献下载
摘要：本发明涉及电源噪声抑制电路及图像传感器，包括像素电路、比较信号产生电路及比较器，像素电路输出叠加了噪声电源的第一电源噪声信号的图像信号到比较器的第一输入端，比较信号产生电路输出叠加了噪声电源的第二电源噪声信号的比较信号到比较器的第二输入端，第二电源噪声信号与第一电源噪声信号幅值相同，以抵消像素电路的电源噪声；比较信号产生电路包括电容调节模块、缓冲晶体管及偏置晶体管，电容调节模块包括可变电容器和偏置电容，偏置晶体管的栅极接偏置电压节点并与偏置电容的第一端连接。本发明通过比较器引入噪声以抑制像素电路中的电源噪声，能够有效的抗电源噪声干扰、减小图像噪声并提高图像的质量。
一种电源噪声抑制电路图像传感器

[实用新型]像素阵列和图像传感器-CN202122405458.3有效
发明人：杨光 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H04N17/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及像素阵列和图像传感器，包括感光像素区域、第一参考像素区域和/或第二参考像素区域；感光像素区域包括呈阵列设置的M行N列像素；第一参考像素区域包括与感光像素区域的N列像素对应设置的n列第一参考像素；第二参考像素区域包括与感光像素区域的M行像素对应设置的m行第二参考像素。本实用新型通过设置与感光像素阵列的列对应的第一参考像素区域和/或与感光像素阵列的行对应的第二参考像素区域，在获取感光像素阵列的每帧图像数据时，获取第一参考像素区域和/第二参考像素区域内参考像素的输出信号，可以用于图像传感器中读出电路和/或控制电路的实时自检功能，提升图像传感器的安全性能，提升产品竞争力。
像素阵列图像传感器

[实用新型]飞行时间传感器像素电路、结构及飞行时间传感器-CN202122471179.7有效
发明人：郭同辉 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G01S17/10 文献下载
摘要：一种飞行时间传感器像素电路、结构及飞行时间传感器，通过光电转换元件接收调制光波以产生电荷；第一电荷存储转移电路至第四电荷存储转移电路分别根据四个电荷调制信号调制调制光波的四个相位对应的电荷以生成四个积分电荷信号，并根据四个控制选择信号将四个积分电荷信号输出；电荷读出电路根据第一积分电荷信号至第四积分电荷信号分别输出第一光电信号至第四光电信号；故采用的单个抽头设计方式，减小了固定噪声，同时减少了所需的晶体管数量，利于飞行时间传感器小型化。
飞行时间传感器像素电路结构