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[发明专利]图像处理方法、终端及计算机存储介质-CN202110972956.8在审
发明人：胡凯;汪小勇 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种图像处理方法、终端和计算机存储介质，图像中存在至少一待修复块，待修复块包括多个像素，图像处理方法包括：在图像中对待修复块进行匹配，得到多个匹配块；根据匹配块计算得到待修复块的像素均值；根据待修复块的像素均值和其周围正常像素的纹理特征计算得到待修复块内各个像素的像素值。通过上述方式，本发明能修复图像中的缺损画质，提高成像画质。
图像处理方法终端计算机存储介质

[发明专利]像素阵列、图像传感器及图像传感器的自检方法-CN202111165044.6在审
发明人：杨光 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H04N17/00 文献下载
摘要：本发明涉及像素阵列、图像传感器及图像传感器的自检方法，包括感光像素区域、第一参考像素区域和/或第二参考像素区域；感光像素区域包括呈阵列设置的M行N列像素；第一参考像素区域包括与感光像素区域的N列像素对应设置的n列第一参考像素；第二参考像素区域包括与感光像素区域的M行像素对应设置的m行第二参考像素。本发明通过设置与感光像素阵列的列对应的第一参考像素区域和/或与感光像素阵列的行对应的第二参考像素区域，在获取感光像素阵列的每帧图像数据时，获取第一参考像素区域和/第二参考像素区域内参考像素的输出信号，可以实现图像传感器中读出电路和/或控制电路的实时自检功能，提升图像传感器的安全性能，提升产品竞争力。
像素阵列图像传感器自检方法

[实用新型]图像传感器及电子设备-CN202222999932.4有效
发明人：张盛鑫;徐辰 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H04N25/40 文献下载
摘要：本实用新型提供一种图像传感器及电子设备，图像传感器包括：多个子像素区，各子像素区的大小及形状均相同且为中心对称图形；其中，多个子像素区构成多个图像像素行，且相邻两个图像像素行交错设置，相邻两行所述图像像素行中包括呈三角边界排布的三个相邻的所述子像素区。本实用新型采用子像素区为三角边界排布的设计方式，减少像素间的隔离区面积，减少隔离区域的浪费，在不牺牲像素性能的同时，可以得到相同的隔离效果，可以加快像素的读出速度，整体提高图像传感器的性能。
图像传感器电子设备

[实用新型]一种时钟信号控制电路及图像传感器-CN202222554356.2有效
发明人：刘浩杰;汤黎明 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H04N25/70 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种时钟信号控制电路及图像传感器，其中时钟信号控制电路包括信号处理模块、若干第一延时模块、若干第二延时模块和信号输出模块，通过若干第一延时模块和若干第二延时模块依次对信号处理模块输出的时钟输入信号进行处理，再通过对延时处理后的信号合成为时钟输出信号，时钟输出信号的频率为所述时钟脉冲信号的2n倍，n为大于或等于1的正整数，从而在不增加电路体积和功耗的前提下，实现数字信号的倍频效果。
一种时钟信号控制电路图像传感器

[发明专利]像素结构、像素结构的制作方法及共享像素布局结构-CN202111092728.8在审
发明人：王倩 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种像素结构、像素结构的制作方法及共享像素布局结构，像素结构包括：衬底；光电转换区，位于衬底中；电荷收集区，布置于衬底中；第一导流结构，自衬底的第一面朝第二面延伸至衬底内部，电荷收集区及光电转换区设置于第一导流结构的同侧；第二导流结构，设置于衬底的第一面，与第一导流结构连接且延伸至电荷收集区；电隔离层，设置于第一导流结构、第二导流结构与衬底之间的界面；导流辅助层，至少设置于所述光电转换区与所述第一导流结构之间，其电势自衬底的第一面朝第二面的方向变小。本发明可使光电转换区获得更高的满阱容量同时可以更好的兼容紧凑的共享像素布局结构。
像素结构制作方法共享布局

[发明专利]像素结构、像素结构的制作方法及共享像素布局结构-CN202111092729.2在审
发明人：王倩 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种像素结构、像素结构的制作方法及共享像素布局结构，像素结构包括：衬底；光电转换区，位于衬底中；电荷收集区，布置于衬底中；第一导流结构，自衬底的第一面朝第二面延伸至衬底内部，所述电荷收集区及所述光电转换区设置于所述第一导流结构同侧；第二导流结构，设置于衬底的第一面，与第一导流结构连接且延伸至电荷收集区；电隔离层，设置于第一导流结构、第二导流结构与衬底之间的界面。本发明可使光电转换区获得更高的满阱容量及光电转换区感度的同时可以更好的兼容紧凑的共享像素布局结构。
像素结构制作方法共享布局

[实用新型]一种携带大负载电容的低压差线性稳压电路及电子设备-CN202223361900.8有效
发明人：王运琦;汤黎明 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本申请描述了一种携带大负载电容的低压差线性稳压电路及电子设备，包括：功率开关，输入端连接供电电源，输出端作为稳压电路输出电压的输出端；负载电容，第一端与功率开关的输出端连接，第二端接地；基准电路，用于输出基准电压；第一比较电路，第一输入端接收基准电压，第二输入端接收反馈电压，并将基准电压与反馈电压进行比较以反馈输出误差电压至功率开关的控制端；反馈电路，用于获取功率开关的输出电压，以基于输出电压反馈输出反馈电压至第一比较电路，并基于误差电压实现自身输出稳定。在本申请中，添加反馈电路分离输出级与第一比较电路，消除了环路极点与大负载电容的关系，增加了相位裕度和环路带宽，使稳压电路能够具备高瞬态响应。
一种携带负载电容低压线性稳压电路电子设备

[实用新型]光电转换元件及图像传感器-CN202222624994.7有效
发明人：高巍;王倩 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光电转换元件及图像传感器，光电转换元件包括：光电转换区；传输晶体管，设置于光电转换区的侧边区域和/或角区域；反掺杂调制区，设置于光电转换元件的光电转换区中，至少包括远离传输晶体管的第一调制区及靠近传输晶体管的第二调制区，本实用新型可以使光电转换区中远离传输晶体管区域的电势不高于靠近传输晶体管区域的电势，以提高光电转换区所产生的电荷的传输效率，优化光电转换区的满阱容量。
光电转换元件图像传感器

[实用新型]信号处理装置-CN202223237803.8有效
发明人：王冠然;王锋奇 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H04N25/70 文献下载
摘要：本申请提供一种信号处理装置，通过图像传感器芯片接收并识别信号发生器输出的第一脉冲信号和第二脉冲信号，当图像传感器芯片识别到第一脉冲信号时，根据第二脉冲信号的N个脉冲波段的信号值或第二脉冲信号的高电平脉冲数量将第二脉冲信号读出为对应的逻辑信号；当图像传感器芯片再次识别到第一脉冲信号时，停止对第二脉冲信号的读出，从而可以更为快捷地读出信号发生器提供的信号，有效提高图像传感器芯片的利用率。
信号处理装置

[实用新型]镜头安装调试装置-CN202223105812.1有效
发明人：杨建设;张雅凯;杨小浩 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H04N23/55 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种镜头安装调试装置，包括：安装手柄、穿设于安装手柄中的固定杆以及与固定杆连接并且露出安装手柄外的镜头夹爪；安装手柄具有夹持端和操作端；镜头夹爪具有围绕镜头夹爪的中心布置的多个爪部，爪部具有用于与夹持端配合使爪部相对镜头夹爪的中心收拢或者张开的导向斜面；固定杆能够在夹持端和操作端之间移动以驱使导向斜面抵于或者脱离夹持端，进而驱使多个爪部收拢或者张开。通过采用上述技术方案，多个爪部围绕镜头夹爪的中心布置，这样，当夹取芯片测试镜头时可以采用罩设在芯片测试镜头上的方式，使得多个爪部能够抵于芯片测试镜头的外周边缘，防止松脱，提升夹取效率，进而降低芯片测试镜头因跌落而受损的可能。
镜头安装调试装置

[实用新型]芯片测试装置-CN202223035443.3有效
发明人：杨建设;张雅凯;彭磊 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种芯片测试装置，包括测试盒、转接电路板和芯片座，所述芯片座设置于所述转接电路板上，芯片座具有用于容纳芯片的芯片容纳腔，且所述芯片置于所述芯片容纳腔中并与所述转接电路板电性连接，所述测试盒设置于所述转接电路板上，且所述测试盒与所述转接电路板电性连接。本实用新型提供的芯片测试装置，采用转接电路板替代了芯片座电路板、排线、测试盒转接板以及上述三者之间的连接结构，减少了测试装置的零部件，使测试装置的结构更加稳定，测试的稳定性也更好，测试装置的人员维护成本也较低。
芯片测试装置

[发明专利]图像传感器及其制作方法-CN202111045366.7在审
发明人：孙赛;石文杰 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器及制作方法，图像传感器包括电路连接层、光学结构层以及位于电路连接层和光学结构层之间的半导体结构层，半导体结构层包括第一半导体衬底以及设于第一半导体衬底与光学结构层之间的第二半导体衬底，第一半导体衬底靠近第二半导体衬底的一侧或/和第二半导体衬底靠近第一半导体衬底的一侧设有第一调光结构，第二半导体衬底靠近光学结构层的一侧设有第二调光结构，第一调光结构和第二调光结构构成调制单元，调制单元用于调制不同波长的光线，第一凹槽结构内填充有第一介质结构层，第二凹槽结构内填充有第二介质结构层。可以增加对不同光线的探测效率，而且还能降低光线在第二半导体衬底表面上的反射。
图像传感器及其制作方法

[发明专利]图像传感器及其制作方法-CN202111046221.9在审
发明人：孙赛;石文杰 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器及其制作方法，该制作方法包括：在第一半导体衬底上制作电路连接层；在第一半导体衬底背离电路连接层的表面制作若干个间隔排布的第一介质结构单元，第一介质结构单元朝向第一半导体衬底一侧的表面宽度大于第一介质结构单元远离第一半导体衬底一侧的表面宽度；在第一半导体衬底上形成第二半导体衬底；半导体结构层内具有多个感光像素区，感光像素区与第一介质结构单元对应；在第二半导体衬底远离第一半导体衬底的表面制作光学结构层。通过在两层半导体衬底之间设有介质结构单元并用于光路调制，从而可以提高光线在半导体结构层内的光程，以增强对光线的探测效率，而且还为图像传感器的设计提供了较大的自由度。
图像传感器及其制作方法

[发明专利]像素结构、图像传感器、设备及图像处理方法、控制方法-CN202111038543.9在审
发明人：张盛鑫;徐辰;任冠京;汪小勇;侯佳庆 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H04N25/59 文献下载
摘要：本发明提出一种像素结构、图像传感器、设备及图像处理方法、控制方法，像素结构包括多个第一像素和多个第二像素，第一像素中采用阵列排布的高灵敏度的第一光电转换元件，第二像素中采用阵列排布的低灵敏度的第二光电转换元件，从而实现图像传感器兼容识别高亮信息和弱光信息的目的，提高动态范围；第一光电转换元件和第二光电转换元件采用独立的输出电路的设计方式，实现电信号的单独输出，互不干扰，提高了识别的可靠性及信号利用的灵活性；基于本发明像素结构的布局设计，还可以有效提高图像传感器的整体性能。
像素结构图像传感器设备图像处理方法控制

[发明专利]图像传感器及其制备方法-CN202111013021.3在审
发明人：张盛鑫 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器及其制备方法，包括半导体结构层，半导体结构层内具有呈阵列分布的感光像素区以及将多个感光像素区间隔开的沟槽隔离结构，沟槽隔离结构内设有第一电容极板和第二电容极板，第一电容极板和第二电容极板共同形成电容，电容电性连接于转换增益控制晶体管和复位晶体管之间。通过将电容设于沟槽隔离结构内，电容的设计不受像素大小及版图布局的限制，电容值可以做得更大，在降低低增益数值的同时，保持了像素高增益数值的特点，以得到更高的高低增益比例，为更好的HDR性能提供可能性，而且也不会影响沟槽隔离结构的性能。
图像传感器及其制备方法