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[发明专利]对LED光源闪烁免疫的图像传感器像素结构及成像系统-CN201810172634.3有效
发明人：任冠京;莫要武;徐辰;张正民;高哲;谢晓;邵泽旭;马伟剑;石文杰 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H04N5/353 文献下载
摘要：本发明公开了一种对LED光源闪烁免疫的图像传感器像素结构及成像系统，该像素结构的复位晶体管的一端耦接至第一电压源，其另一端通过双转换增益控制单元耦接至浮动扩散节点；其大面积光电二极管通过第一传输晶体管耦接至浮动扩散节点，其小面积光电二极管一路通过第一控制晶体管耦接至第一电压源，另一路通过第一曝光传输单元与第二曝光传输单元的并联电路耦接至浮动扩散节点。由于采用两种不同大小面积的光电二极管组合，利用大面积光电二极管持续曝光来捕获弱光信息，利用小面积光电二极管间断性地曝光来捕捉LED光源信号(高亮信号)，从而使得该像素结构不仅能防止过曝，而且能避免LED光源信息丢失，可以将LED信号完整保留。
led 光源闪烁免疫图像传感器像素结构成像系统

[发明专利]像素单元及其成像方法和成像装置-CN201810130550.3有效
发明人：莫要武;徐辰;邵泽旭;张正民;马伟剑;任冠京;石文杰;高哲;谢晓 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明提供像素单元及其成像方法和成像装置。像素单元包括：第一光电二极管，第一转移晶体管，耦合至浮动扩散区域并将第一光电二极管产生的电荷转移到浮动扩散区域；第二光电二极管，第二转移晶体管，耦合至浮动扩散区域并将第二光电二极管产生的电荷转移到浮动扩散区域，其中第二光电二极管的感光面积与所述第一光电二极管的感光面积不同；电容，其第一极耦合至指定电压；增益控制晶体管，耦合在电容第二极和浮动扩散区域之间，对电容和浮动扩散区域进行隔离控制；复位晶体管，耦合至电容的第二极和增益控制晶体管，经复位控制信号重置电容第二极和增益控制晶体管的耦合点电位；及源极跟随晶体管，耦合至浮动扩散区域，放大输出所述像素信号。
像素单元及其成像方法装置

[实用新型]暗景全彩功能图像传感器-CN202021139400.8有效
发明人：俞恩杰;石文杰;谭炳辉 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H04N5/335 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有暗景全彩功能的图像传感器，包括：若干感光元件，设置在半导体衬底中；若干滤光片，设置在所述感光单元的受光面上，所述若干滤光片包括不同光响应的彩色滤光片及全光谱响应的白色滤光片；以及红外抑制膜，设置在所述彩色滤光片及所述感光元件之间，以抑制红外光进入所述感光元件。本实用新型通过在彩色滤光片下方设置红外截止膜，并改变滤色片阵列模式，引入全光谱响应的白色滤色片，从而只用一颗图像传感器芯片，也可达到暗光场景的全彩效果。
全彩功能图像传感器

[实用新型]焦平面红外传感器-CN202021698101.8有效
发明人：任冠京;李跃;莫要武;陈鹏 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本申请提供一种焦平面红外传感器，包括：运算放大器；盲元电路，包括若干盲元电阻，用于根据所述运算放大器的偏置产生暗场电流；敏感元电路，包括若干敏感元电阻，用于根据所述运算放大器的偏置产生热电流；其中，所述盲元电阻与所述敏感元电阻具有相同的电路结构；减法电路，用于将所述暗场电流与所述热电流做减法以产生电流差，其中，所述减法电路还包括一选择电路，所述选择电路选择性导通以使所述盲元电路或所述敏感元电路根据所述运算放大器的偏置产生所述暗场电流或热电流；以及积分电路，用于在积分周期内对所述电流差进行积分。
平面红外传感器

[发明专利]像素单元、图像传感器及电子设备-CN201911063473.5在审
发明人：张盛鑫;徐辰;邵泽旭 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种像素单元、图像传感器及电子设备，其中像素单元包括：光电二极管、传输晶体管、浮动扩散点，复位晶体管、转换增益控制晶体管以及增益控制电容；其中浮动扩散点靠近传输晶体管设置并连接至传输晶体管；转换增益控制晶体管连接在浮动扩散点和复位晶体管之间；增益控制电容的第一极包括连接部和拓展部，连接部为复位晶体管与转换增益控制晶体管两者的连接点，拓展部由该连接点凸伸至按列方向相邻的两个光电二极管之间；采用连接部和拓展部结合以构成增益控制电容，进而达到更低的低增益值，以提升图像传感器的增益比率和在高光场景下的工作性能。
像素单元图像传感器电子设备

[发明专利]一种成像系统及其形成方法-CN201810579595.9有效
发明人：莫要武;徐辰;高秉强;邵泽旭 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明涉及一种成像系统及其形成方法。该成像系统具有相位检测和全阵列读出模式的四元共享像素。该像素单元具有四个无掩模相位检测光电二极管，所述四个无掩模相位检测光电二极管共享一个读出放大器，一个微透镜和一个滤色器。所述四个光电二极管被设置成相邻两对进行工作，其中所述相邻两组对光电二极管通过一个导光结构分隔，且所述相邻两对光电二极管位于所述微透镜下方，从而使沿第一方向的入射光收集在所述两对光电二极管的第一对光电二极管中，沿第二方向的入射光收集在所述两对光电二极管的第二对光电管中。所述微透镜具有平凸形状，其能够使光从两个方向入射到位于所述微透镜下方两侧每一侧的光电二极管上。
一种成像系统及其形成方法

[发明专利]TOF图像传感器像素结构及TOF成像系统-CN201810172632.4有效
发明人：张正民;莫要武;徐辰;任冠京;高哲;谢晓;邵泽旭;马伟剑;石文杰 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明公开了一种TOF图像传感器像素结构及TOF成像系统，该像素结构包括光电二极管、第一读取控制单元、第二读取控制单元；第一读取控制单元与第二读取控制单元均分别包括传输晶体管、双转换增益控制单元、复位晶体管及输出单元；其中，复位晶体管的一端耦接至第一电压源，其另一端通过双转换增益控制单元耦接至对应的浮动扩散节点；光电二极管通过传输晶体管耦接至对应的浮动扩散节点；输出单元耦接至对应的浮动扩散节点。该像素结构特别适合于TOF成像系统并且能够支持滚动曝光模式。并且由于使用了双转换增益控制单元，使得本发明的像素结构可以支持DCG，从而具有高动态范围特性。
tof 图像传感器像素结构成像系统

[发明专利]具有LED闪烁衰减的HDR图像传感器像素结构及成像系统-CN201810173062.0有效
发明人：莫要武;徐辰;张正民;任冠京;高哲;谢晓;邵泽旭;马伟剑;石文杰 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有LED闪烁衰减的HDR图像传感器像素结构及成像系统，该像素结构的复位晶体管的一端耦接至第一电压源，其另一端通过双转换增益控制单元耦接至浮动扩散节点；其大面积光电二极管通过第一传输晶体管耦接至浮动扩散节点，其小面积光电二极管一路通过滚动曝光传输单元耦接至浮动扩散节点或复位晶体管与双转换增益控制单元之间的节点，另一路通过全局曝光传输单元耦接至浮动扩散节点。由于采用两种不同大小面积的光电二极管组合，利用大面积光电二极管持续曝光来捕获弱光信息，利用小面积光电二极管间断性地曝光来捕捉LED光源信号(高亮信号)，从而使得该像素结构能衰减LED光源频闪，从而使得该像素结构能够适用于拍摄含有LED光源的物体。
具有 led 闪烁衰减 hdr 图像传感器像素结构成像系统

[发明专利]具有增益补偿的HDR图像传感器、读出电路及方法-CN201811303591.4有效
发明人：侯金剑;莫要武;徐辰;任冠京 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H04N5/378 文献下载
摘要：本发明提出一种具有增益补偿的HDR图像传感器，包括像素阵列，控制电路及读出电路。控制电路根据控制以顺序读取所述像素阵列输出的低转换增益的复位信号、高转换增益的复位信号、高转换增益的图像信号及低转换增益的图像信号；读出电路包括选择开关，低转换增益模数转换电路和高转换增益模数转换电路。选择开关控制选择所述读出电路半行读取像素阵列的像素输出及低转换增益模数转换电路和高转换增益模数转换电路的切换；低转换增益模数转换电路用于量化在低转换增益下输出的复位信号和图像信号；高转换增益模数转换电路用于量化在高转换增益下输出的复位信号和图像信号。本发明还提供一种具有增益补偿的HDR图像传感器读出电路及实现方法。
具有增益补偿 hdr 图像传感器读出电路方法

[实用新型]光电二极管及TOF测距装置-CN202022223841.2有效
发明人：戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开一种光电二极管及TOF测距装置，该光电二极管包括衬底、第一电极层、第一电极、第二电极层、第二电极和辅助电极，所述第一电极层设于所述衬底上，所述第一电极设于所述第一电极层上，所述第二电极层设于所述衬底上，所述第二电极设于所述第二电极层上，所述辅助电极接电位或悬空，以产生与所述第一电极层和所述衬底之间的电场方向相对抗的电场，或者对所述第一电极层和所述衬底之间的电场形成屏蔽。本实用新型的光电二极管及TOF测距装置中，由于辅助电极产生与第一电极层和衬底之间的电场方向相对抗的电场，或者辅助电极对第一电极层和衬底之间的电场形成屏蔽，因此能降低第一电极层边沿的电场，从而起到降低暗计数的作用。
光电二极管 tof 测距装置

[发明专利]四元像素结构图像传感器及读取控制方法-CN201910594370.5有效
发明人：徐辰;莫要武;任冠京;侯金剑 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H04N5/235 文献下载
摘要：本发明提供一种四元像素结构图像传感器及读取控制方法，所述图像传感器包括由多个像素单元块排列构成的二维像素阵列，每个像素单元块包括四个像素单元以2×2布局设置构成四元像素结构，每个像素单元采用独立的行选择控制信号及传输控制信号控制。所述图像传感器的像素单元输出经合并的像素信号，读出电路对输出的像素信号进行读取和量化处理。每个像素单元块所包含的四个像素单元可以设置多种合并方式，像素单元的曝光时间可根据合并方式设定相同或不同。本发明同时还提供一种具有共享结构像素单元的四元像素结构图像传感器及读取控制方法。本发明给出的技术方案能有效提升图像传感器像素电路的转换增益，提高图像传感器输出动态范围。
像素结构图像传感器读取控制方法

[实用新型]TOF图像传感器像素结构及测距系统-CN202022223695.3有效
发明人：戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H04N5/341 文献下载
摘要：本实用新型属于图像传感器技术领域，涉及TOF图像传感器像素结构及测距系统，其中，TOF图像传感器像素结构，包括第一读取控制模块、第二读取控制模块及至少两个预设尺寸的小光传感器。第一读取控制模块中包括至少两个第一传输晶体管，且第一读取控制模块通过至少两个第一传输晶体管分别与至少两个预设尺寸的小光传感器一一对应连接。第二读取控制模块中包括至少两个第二传输晶体管，且第二读取控制模块通过至少两个第二传输晶体管分别与至少两个预设尺寸的小光传感器一一对应连接。其中，连接同一个小光传感器的第一传输晶体管和第二传输晶体管对称设置。因此，本实用新型能够提高光生电荷的传输效率，进而能够实现提升测距能力、测距精度的目的。
tof 图像传感器像素结构测距系统

[实用新型]TOF图像传感器像素结构及测距系统-CN202022223965.0有效
发明人：戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H04N5/341 文献下载
摘要：本实用新型属于图像传感器技术领域，涉及一种TOF图像传感器像素结构及测距系统，其中，TOF图像传感器像素结构，包括光传感器及传输电路。光传感器包括电位逐级递减的第一感光区域、第二感光区域及第三感光区域，用于产生电位差，协助自身产生的电荷流向与第三感光区域连接的传输电路。因此，本实用新型通过电位从高到低的第一感光区域、第二感光区域及第三感光区域能够将光传感器产生电荷快速的传输至传输电路，从而能够使得该电荷快速的传输到存储单元(例如存储节点或存储电容)，故而提高了光电二极管产生的电荷的传输效率，进而能够提高测距精度。
tof 图像传感器像素结构测距系统

[实用新型]CMOS图像传感器-CN202021309711.4有效
发明人：王强;石文杰 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，涉及一种CMOS图像传感器，该CMOS图像传感器包括外围逻辑区和像素区，外围逻辑区与像素区均包括衬底及位于衬底上的多层金属层，像素区的金属层高度与外围逻辑区的金属层高度一致，且像素区的多层金属层中包括用作结构补偿的虚拟金属层。因此，本实用新型中的CMOS图像传感器增加了虚拟金属层使得像素区的金属层高度和外围逻辑区的金属层高度一致，从而使得CMOS图像传感器的应力分布均匀，暗电流变小，进而能够改善高温条件下得到的图像的边缘存在阴影的问题。
cmos 图像传感器

[实用新型]TOF图像传感器像素结构及测距系统-CN202022223692.X有效
发明人：戴顺麒;任冠京;莫要武;石文杰;侯金剑 -专利权人： 思特威（上海）电子科技股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H04N5/341 文献下载
摘要：本实用新型属于图像传感器技术领域，涉及TOF图像传感器像素结构及测距系统，TOF图像传感器像素结构，包括电场生成栅极、光传感器及传输电路。传输电路与光传感器的下端连接，用于接收光传感器产生的电荷。电场生成栅极覆盖光传感器的上端，用于在加负压时制造一个恒定的电场，以协助电荷传输至传输电路。因此，本实用新型通过加负压的电场生成栅极，使得光传感器内产生电位差，从而制造一个恒定的电场，进而能够将光传感器产生电荷快速的传输至传输电路，进一步使得该光传感器产生的电荷快速的传输到存储单元(例如存储节点或存储电容)，故而，本实用新型提高了光电二极管产生的电荷的传输效率，进而能够实现提高测距精度的目的。
tof 图像传感器像素结构测距系统