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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]收集残留物的半导体设备和方法-CN202210079064.X在审
发明人：林秉辰;忻斌一;李清顺;黄柏翰;涂正宗 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种用于收集可固化材料的残留物的半导体设备和方法。半导体设备包括包含晶片匣的腔室以及设置在腔室中以用于在腔室中收集可固化材料的残留物的收集模块。收集模块包括设置在腔室的顶板下面的导流结构、设置在导流结构下面的挡板结构以及设置在晶片匣上的托盘。导流结构包括第一中空区，挡板结构包括第二中空区，托盘与晶片匣一起移动以穿过挡板结构的第二中空区并定位成覆盖导流结构的第一中空区。
收集残留物半导体设备方法

[发明专利]制造半导体晶片封装的方法-CN201811137301.3在审
发明人：张富程;黄震麟;陈文明;陈师彦;蔡睿义;忻斌一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明一些实施例揭露一种用于制造半导体晶片封装的方法，其包含：提供在晶片的第一侧上具有裸片的半导体封装；通过将模塑料安置于所述晶片的所述第一侧上来部分模塑所述裸片，在完成所述部分模塑时，所述第一侧的周边无模塑料；和从所述晶片的所述第一侧将所述半导体封装与载体接合。本发明一些实施例还揭露一种半导体晶片封装，其包含：裸片，其位于晶片的第一侧上；模塑料，其囊封所述裸片且通过从所述晶片的所述第一侧的周边缩进来部分定位于所述晶片的所述第一侧上；和密封结构，其位于所述晶片的所述第一侧的所述周边上。
晶片裸片半导体晶片封装半导体封装模塑料密封结构载体接合囊封无模制造塑料安置

[发明专利]集成芯片工艺工具-CN201610908974.9在审
发明人：李建法;刘旭水;白峻荣;忻斌一;郭守文;林成芝 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-19 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种集成芯片工艺工具及相关方法。集成芯片工艺工具具有管芯交换器，用以自动地转移多个集成芯片管芯于管芯托盘与管芯晶舟之间。所述集成芯片工艺工具具有管芯交换器，用以接收包括多个集成芯片管芯的管芯托盘。管芯交换器用以自动地转移多个集成芯片管芯于管芯托盘与管芯晶舟之间。集成芯片管芯工艺工具用以从管芯交换器接收管芯晶舟，且用以对管芯晶舟内的多个集成芯片管芯进行工艺步骤。藉由操作管芯交换器以自动地转移集成芯片管芯于管芯托盘与管芯晶舟之间，可减少转移时间且可减轻有关于人工转移集成芯片管芯的污染及/或损坏风险。
集成芯片工艺工具

[实用新型]集成电路的电容结构-CN200420049907.9无效
发明人： 忻斌一;魏正泉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-04-21 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种集成电路的电容结构。一基底，其上具有一第一导体层。一第一绝缘层，形成于基底上并覆盖第一导体层。一沟槽，形成于部分第一绝缘层中。一下电极，形成于沟槽的侧壁上。一顺应的介电层，形成于下电极与槽沟的底部上。一上电极，形成于介电层上，并填满沟槽。一内联机结构，形成于第一绝缘层中，并电性连接下电极与第一导体层。
集成电路电容结构

[发明专利]改善热载子注入效应的方法-CN200410071331.0有效
发明人：简财源;忻斌一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-07-20 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种改善热载子注入效应(Hot Carrier InjectionEffect；HCI Effect)的方法，包括步骤：提供一基材；以及形成一焊垫层位于部分的该基材上，其中该焊垫层包括所需的多个电路图案以及多个空置图案(Dummy Patterns)，且该焊垫层具有一图案密度。该方法在半导体的铜工艺中，于蚀刻铝焊垫(AlPad)时，设置多个空置图案(Dummy Patterns)，以缩短铝焊垫的蚀刻时间。因此，可降低蚀刻的等离子体对元件的伤害，进而可延长元件的热载子注入的退化时间。
改善热载子注入效应方法

[发明专利]集成电路的电容结构及其制造方法-CN200410032793.1有效
发明人： 忻斌一;魏正泉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-04-21 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路的电容结构及其制造方法。提供一基底，其上具有一第一导体层。形成一第一绝缘层于基底上，并覆盖第一导体层。形成一沟槽于部分第一绝缘层中。形成一下电极于沟槽的侧壁上。形成一顺应的介电层于下电极与槽沟的底部上。形成一双镶嵌开口于第一绝缘层中，该开口底部是露出第一导体层。将一导体材料填满沟槽与双镶嵌开口，而同时形成一上电极与一内联机结构。其中，下电极是借由内联机结构而电性连接第一导体层。
集成电路电容结构及其制造方法

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