“微芯片技术股份有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果310个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有改进的线路瞬变抑制的DC-DC转换器-CN202180086271.1在审
发明人： A·蒙德尼克 -专利权人： 微芯片技术股份有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种仿真峰值电流模式控制(EPCMC)同步降压转换器设备，该设备可包括：具有电感器、高侧开关和低侧开关的转换器，以及EPCM控制器。该控制器可包括：PWM锁存器，用于交替地接通和关断该高侧开关和该低侧开关；电流感测元件，用于基于电感器电流来输出电流感测电压；以及前馈电路，用于生成前馈电压。该电流感测元件在该低侧开关接通时输出第一电流感测电压，并且在该低侧开关关断时输出第二电流感测电压。该前馈电压基于表示该第一电流感测电压与该第二电流感测电压之间的差值的电压差来生成，并且该PWM锁存器基于该前馈电压交替地接通和关断该高侧开关和该低侧开关。
具有改进线路抑制 dc 转换器

[发明专利]高分辨率角感应传感器及相关联的使用方法-CN202180081585.2在审
发明人： G·沙加 -专利权人： 微芯片技术股份有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01D5/20 文献下载
摘要：本公开提供了一种角位置传感器，该角位置传感器包括两个环形传感器，一个环形传感器用于在存在可旋转感应耦合元件的情况下生成粗略分辨率时变信号，并且另一个环形传感器用于在存在可旋转感应耦合元件的情况下生成精细分辨率时变信号。该可旋转感应耦合元件包括第一环形部分和第二环形部分，该第一环形部分包括至少一个环形导电扇区和至少一个环形非导电扇区，该第二环形部分包括至少一个环形导电扇区和至少一个环形非导电扇区，其中第一环形部分和第二环形部分的环形导电扇区的数量不同。具体地，环形部分的环形导电扇区可占环形部分的总面积的50％或75％。
高分辨率感应传感器相关使用方法

[发明专利]用于低延时网络交换的系统和方法-CN202180081814.0在审
发明人： M·特斯特鲁普 -专利权人： 微芯片技术股份有限公司
申请日： 2021-10-03 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H04L49/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种网络交换机和用于建立通过网络的低延时传输路径的操作的相关联的方法，该低延时传输路径绕过交换机构架的分组队列和调度器。如果多个数据分组中的每个数据分组被识别为通过该低延时传输路径从入站端口传输到目的地出站端口，则该网络交换机通过低延时传输将该数据分组传输到所识别的目的地出站端口，并且如果该数据分组未被识别为该通过低延时传输路径从该入站端口传输到该目的地出站端口，则该网络交换机通过该分组队列和调度器将该数据分组传输到该目的地出站端口。
用于延时网络交换系统方法

[发明专利]用于执行神经网络运算的方法和装置-CN202180081817.4在审
发明人： L·佐罗;R·米歇罗尼 -专利权人： 微芯片技术股份有限公司
申请日： 2021-10-03 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：一种用于执行神经网络运算的方法包括接收深度神经网络(DNN)的权重值和偏差值。该DNN的单层的特征值阵列、偏差值和一组权重值耦接到神经网络引擎。在一个或多个乘法累加电路(MAC)处对该单层执行乘法累加运算以获得对应于该单层中的每个神经元的总和。对应于该单层中的每个神经元的层输出值耦接到该MAC的对应输入。重复耦接偏差值和一组权重值、执行乘法累加运算以及耦接层输出值以生成对应于每个输出层神经元的输出层总和，并且对每个输出层总和执行激活函数以生成DNN输出值。
用于执行神经网络运算方法装置

[发明专利]形成具有焊料增强引线框端子的表面安装式集成电路封装的方法-CN202180081591.8在审
发明人： W·科维索丰;R·基特纳龙;E·肯加南塔农;P·普尔苏普;W·诺克德;C·俊爵翁 -专利权人： 微芯片技术股份有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：形成具有焊料可润湿引线框端子的扁平无引线集成电路(IC)封装。管芯被安装在管芯附接焊盘上，被键合到相邻的引线框端子结构，并且被封装在模制化合物中。激光开槽工艺从沿着一行引线框端子结构延伸的引线框端子槽中去除模制化合物。沿着该引线框端子槽的锯阶切割部分地延伸穿过引线框厚度以限定锯阶切割槽。将包括通过该锯阶切割暴露的表面在内的暴露的引线框表面用焊料增强材料镀覆。沿着该锯阶切割槽执行切单切割，以限定端面镀覆有该焊料增强材料的引线框端子。该激光开槽工艺可改善该锯阶切割的结果，并且该锯阶切割可去除该激光开槽工艺未去除的模制化合物。
形成具有焊料增强引线端子表面安装集成电路封装方法

[发明专利]决策反馈均衡分接头系统以及相关装置和方法-CN202180076784.4在审
发明人： J·G·兰西恩;R·索尼 -专利权人： 微芯片技术股份有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H04L25/03 文献下载
摘要：本发明公开了决策反馈均衡(DFE)分接头系统以及相关装置和方法。一种装置包括用于提供输出信号的输出节点、电连接至该输出节点的互补金属氧化物半导体(CMOS)DFE分接头，以及电连接至该输出节点的电流积分求和器。该电流积分求和器用于将该输出节点重置到共模电压电位。
决策反馈均衡接头系统以及相关装置方法

[发明专利]用于LC电路的扩频调整-CN202280007868.7在审
发明人： A·库玛 -专利权人： 微芯片技术股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H03K3/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于控制具有电路频率的LC电路的电容的控制器和方法，该控制器包括：可变电容器，其作为LC电路的一部分用于与外部电感器耦合；目标值；扩频函数，其用于生成调整值；和电路，其用于轮询该目标值、调用该扩频函数，以及基于该目标值和该调整值的总和来设置该可变电容器的电容。
用于 lc 电路调整

[发明专利]包括多个引线框架的半导体器件封装件及相关方法-CN202180082736.6在审
发明人： J·A·科瓦茨 -专利权人： 微芯片技术股份有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件封装件，该半导体器件封装件可包括半导体管芯，该半导体管芯包括附连并电连接到第一引线框架的第一主表面。第二引线框架可附连并电连接到位于该半导体管芯的与该第一主表面相对的一侧上的第二主表面。模制材料可包封半导体管芯以及该第一引线框架和该第二引线框架的至少部分。
包括引线框架半导体器件封装相关方法

[发明专利]多协议USB自适应充电-CN202280007605.6在审
发明人： V·克里希纳莫尔蒂;A·格什;R·卡图坎丹;P·拉维塞尔万 -专利权人： 微芯片技术股份有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种系统，该系统包括电源、通用串行总线(USB)类型C端口和多协议自适应电路。该多协议自适应电路可被配置为确定USB元件已附接到USB类型C端口，确定将USB类型C充电协议应用于该USB元件还是将传统USB类型A充电协议应用于该USB元件，以及从该电源向该USB元件提供电力。
协议 usb 自适应充电

[发明专利]针对矮脉冲的自动保护-CN202280006984.7在审
发明人： Y·元永斯戈;S·鲍林;P·奥瓦勒 -专利权人： 微芯片技术股份有限公司
申请日： 2022-01-03 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H03K5/04 文献下载
摘要：本公开涉及一种装置，该装置包括调节电路，该调节电路被配置为接收脉宽调制(PWM)输入、基于该PWM输入来生成经调节的PWM信号并且确定该PWM输入的第一脉冲短于矮脉冲信号极限。该调节电路被配置为：在该经调节的PWM信号中，基于该PWM输入短于该矮脉冲信号极限的该确定来扩展该PWM输入的该第一脉冲，并且将该经调节的PWM信号输出到电子设备。
针对脉冲自动保护

[发明专利]使用其电容式测量区分燃料与水-CN202280007521.2在审
发明人： A·阿普尔多恩 -专利权人： 微芯片技术股份有限公司
申请日： 2022-04-04 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01F23/263 文献下载
摘要：一种设备，该设备包括测量电路，该测量电路耦合到容器的竖直位置处的传感器电极。该容器包括两种流体。该测量电路基于该传感器电极的电容式测量来确定流体中的一者相对于流体中的另一者的高度。
使用电容测量区分燃料

[发明专利]用于高侧开关的栅极驱动器电路-CN201880011184.8有效
发明人： S·拉玛琳格姆 -专利权人： 微芯片技术股份有限公司
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于驱动高侧开关的栅极驱动器电路。栅极驱动器电路包括样本和电平移位电路。样本和电平移位电路连接到高侧开关。栅极驱动器电路还包括取样电容器。取样电容器被配置为对至少一个放大器的输出电压进行取样。栅极驱动器电路另外包括至少一个电压供应。至少一个电压供应连接到至少一个放大器。取样电容器被配置为对高侧开关的栅极电容充电，并且至少一个放大器被配置为限制高侧开关输出电流。
用于开关栅极驱动器电路

[发明专利]基于磁性的跟踪系统-CN202080071230.0有效
发明人： E·阿莱曼;M·登顿;K·E·库提斯 -专利权人： 微芯片技术股份有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01C21/00 文献下载
摘要：公开了一种车辆移动跟踪系统，该车辆移动跟踪系统采用地板垫，以用于使用磁性条带来生成位置信息，该磁性条带可用该车辆的轮中的磁性传感器检测到。在车辆的轮中有两个传感器。一个传感器感测轮旋转，并且另一个传感器感测磁性。车辆通过地板垫，该地板垫包括位于其上的磁性条带，该磁性条带对垫进行编码并从而指示垫所在的位置。当车辆在该垫上行进时，轮中的磁性传感器检测磁性条带，并且轮旋转传感器检测磁性条带之间的距离。这两个传感器被组合用于创建表示车辆通过的垫的位置字。该位置字存储在非易失性存储器中，然后上载到位置收集站。
基于磁性跟踪系统

[发明专利]具有用于保护浮动栅免受源注入影响的氧化物罩和间隔物层的存储器单元-CN201880051210.X有效
发明人： M·海玛斯;B·陈;G·斯托姆;J·沃尔斯 -专利权人： 微芯片技术股份有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种形成存储器单元例如快闪存储器单元的方法可包括：(a)将多晶硅沉积在基板上方；(b)将掩模沉积在多晶硅上方；(c)在掩模中蚀刻开口以暴露多晶硅的表面；(d)在暴露的多晶硅表面处生长浮动栅氧化物；(e)将附加氧化物沉积在浮动栅氧化物上方，使得浮动栅氧化物和附加氧化物共同限定氧化物罩；(f)移除邻近氧化物罩的掩摸材料；(g)蚀刻掉未被氧化物罩覆盖的多晶硅的剩余部分，其中多晶硅的剩余部分限定浮动栅；以及(h)将间隔物层沉积在氧化物罩和浮动栅上方。间隔物层可包括在浮动栅的至少一个向上指向尖端区上方对齐的屏蔽区，这有助于保护此类尖端区免受随后源注入工艺的影响。
具有用于保护浮动免受注入影响氧化物间隔存储器单元

[发明专利]调节仪表放大器中的增益误差的方法-CN201880023633.0有效
发明人： S·摩托罗尤;J·诺兰 -专利权人： 微芯片技术股份有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：电流反馈仪表放大器(CFIA)包括具有退化的差分对(M1a,M1b)，以用于在存在大共模电压的情况下放大小差分电压。CFIA包括输入跨导器和反馈跨导器以及修调电路(RTAIL,IN,RTAIL,FB)，该修调电路修调每个跨导器中晶体管的反向偏置电压。修调电路(RTAIL,IN,RTAIL,FB)包括设置在每个跨导器中的尾电流的信号路径中的多个可选电阻器。多个可选电阻器中的每个可选电阻器都具有耦接到其的开关。当开关闭合时，只有最多到相应开关的电阻器位于差分晶体管对的体‑源电压的信号路径中。电阻器修调电路(RTAIL,IN,RTAIL,FB)减小了相应差分晶体管对的跨导之间的失配，并且从而减小了CFIA的增益误差。
调节仪表放大器中的增益误差方法