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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有应力保护结构的半导体结构与其形成方法-CN201210108912.1有效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有应力保护结构的半导体结构，包括有基底、应力产生元件以及应力保护装置。基底具有第一表面以及第二表面，两个相对设置。应力产生元件设置在基底中。应力保护结构，设置在基底第一表面的一侧，应力保护结构包围应力产生元件，且应力保护结构内部具有密封的空气空间。本发明还提供了一种形成具有应力保护结构的半导体结构的方法。
具有应力保护结构半导体与其形成方法

[发明专利]接触孔的制作方法-CN201210112924.1有效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的制作方法。首先提供衬底，衬底上包括层间介质层；在层间介质层上形成抗反射层；在抗反射层上涂布光刻胶层；进行光刻工艺，在光刻胶层中形成第一开口；进行第一次干蚀刻工艺，经由所述第一开口蚀刻抗反射层及层间介质层，形成具有第一深度的沟槽；将所述光刻胶层中的第一开口缩小成为第二开口；以及进行第二次干蚀刻工艺，经由所述第二开口蚀刻所述层间介质层，形成具有第二深度的通孔。优点在于：仅需要进行单次的光刻工艺，配合一次的RELACS光刻胶扩大以及两次干蚀刻工艺，就可以形成接触孔，因此步骤上较为简单，而且省略了一道光掩膜，成本因此降低许多。
接触制作方法

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN201210107541.5有效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构，具有位在电容器导电材料和半导体底材间的导电阻挡层。导电阻挡层又被包围电容器导电材料的电介质层围绕，且直接接触电容器导电材料和半导体底材。导电阻挡层作为电连接电容器导电材料和半导体底材的缩减埋藏式连接带结构。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]存储装置-CN201210107973.6有效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储装置，包括一存储阵列以及至少一阱电压提取区。存储阵列，包括多个垂直晶体管，分别电耦合至相应的字线与埋藏位线，其中字线沿着第一方向延伸，而埋藏位线沿着第二方向延伸。此外，阱电压提取区沿着第二方向穿越存储阵列，将存储阵列区隔成第一次存储阵列区及第二次存储阵列区。
存储装置

[发明专利]掺杂轮廓的形成方法-CN201210107778.3有效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂轮廓的形成方法，其步骤包括：提供半导体基底，以及对半导体基底进行离子注入工艺。在进行离子注入工艺时，施加浮动脉冲偏压在半导体基底，用以在半导体基底中形成多个具有不同深度或不同浓度的掺杂区。
掺杂轮廓形成方法

[发明专利]穿硅通孔与其形成方法-CN201210128469.4有效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种穿硅通孔，包含有基底、第一开孔、第二开孔、第一导电层以及第二导电层。基底具有第一表面以及第二表面。第一开孔设置在基底的第一表面的一侧。第二开孔，设置在基底的第二表面的一侧，第一开孔与第二开孔连接。第一导电层设置在第一开孔中。第二导电层设置在第二开孔中。本发明还公开了一种穿硅通孔的形成方法。
穿硅通孔与其形成方法

[发明专利]半导体芯片与封装结构以及其形成方法-CN201210118196.5有效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片，包含基底、穿硅通孔结构、上凸块以及绝缘结构。基底具有上表面以及相对于上表面的下表面。通孔设置于基底中，贯穿上表面以及下表面。穿硅通孔结构设置于通孔中，包含第一通孔金属与第二通孔金属。上凸块设置于上表面上，与穿硅通孔结构电性连接，并包含第一凸块金属与第二凸块金属。绝缘结构设置于基底中并远离上表面，而围绕第二通孔金属。本发明另外还提供了一种封装结构与其形成方法。
半导体芯片封装结构及其形成方法

[发明专利]形成开口的方法-CN201210129107.7有效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成开口的方法。首先提供一基板，然后在基板上依次形成抗反射层以及光致抗蚀剂层。接着在光致抗蚀剂层中形成第一开口，以及在抗反射层中形成第二开口。后续对第二开口进行一平滑处理步骤。最后通过第一开口与第二开口以图案化基板，以在基板中形成第三开口。
形成开口方法

[发明专利]半导体芯片与封装结构以及其形成方法-CN201210118960.9有效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开了本发明公开了一种半导体芯片，包含基底、穿硅通孔、上凸块、下凸块以及热敏光敏胶层。基底具有上表面以及相对于上表面的下表面。穿硅通孔设置于基底中，贯穿上表面以及下表面。上凸块设置于上表面上，并与穿硅通孔电性连接。下凸块设置于下表面上，并与穿硅通孔电性连接。热敏光敏胶层设置于上表面上，包围上凸块具有开孔，且开孔与下凸块的宽度大致相同。本发明另外还提供了一种封装结构与其形成方法。
半导体芯片封装结构及其形成方法

[发明专利]接触孔的制作方法-CN201210112848.4有效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔的制作方法。首先提供衬底；在所述衬底上形成第一硬掩膜以及第二硬掩膜；在第二硬掩上涂布光刻胶层；进行光刻工艺，在所述光刻胶层中形成开口；进行第一次干蚀刻工艺，经由所述开口蚀刻第二硬掩膜，形成第一孔洞；将所述第二硬掩膜中的第一孔洞缩小成为第二孔洞；以及进行第二次干蚀刻工艺，经由所述第二孔洞蚀刻所述第一硬掩膜，形成第三孔洞。
接触制作方法

[发明专利]双垂直沟道晶体管-CN201210109073.5有效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种双垂直沟道晶体管，包括音叉型基底，其包括两个尖叉部；埋入式位线，埋入凹槽的底部，其中凹槽位在音叉型基底的两个尖叉部间；第一源/漏极区，位在音叉型基底内并紧邻埋入式位线；第二源/漏极区，位在音叉型基底的两个尖叉部的顶部；至少一绝缘栅极结构，埋入第二凹槽的底部，其中第二凹槽设置在尖叉部的至少一侧，且绝缘栅极结构的顶面高于埋入式位线的顶面；前栅极，位在音叉型基底的第一侧面上；及后栅极，位在音叉型基底相对于第一侧面的第二侧面上。
垂直沟道晶体管

[发明专利]制造金属氧化物半导体存储器的方法-CN201210129157.5有效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造金属氧化物半导体存储器的方法。于半导体基底的多个有源区上形成隧穿层、位于隧穿层上的多个浮置栅极、位于多个浮置栅极上的垫层、和围绕有源区的沟槽。形成第一氧化物层，使它填满沟槽和多个浮置栅极两两间的空间。将垫层移除。于多个浮置栅极上和第一氧化物层上形成氧化物-氮化物-氧化物层(简称ONO层)。于ONO层上依序形成控制栅极材料层及栅极导体层。对栅极导体层、控制栅极材料层、和氧化物-氮化物-氧化物层通过图形化的硬掩模进行蚀刻，以于多个浮置栅极上形成和多个有源区相交的多个栅极导体线和多个控制栅极线。如此，ONO层不沿着浮置栅极侧壁形成，所以没有栏状突出物的问题。
制造金属氧化物半导体存储器方法

[发明专利]垂直沟道晶体管-CN201210107533.0有效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直沟道晶体管，包括基底，包括至少一对相对设置的第一凹槽和第二凹槽；一埋入式位线，设置于第一凹槽的底部；第一源/漏极区，电连接于埋入式位线；第二源/漏极区，紧邻第一凹槽的顶部；一绝缘栅极导线，埋入第二凹槽的底部；一外延层，设置于第二凹槽内且紧邻于绝缘栅极导线；一扩散区，相对于外延层而设置，其中外延层和扩散区间夹有第一绝缘层；前栅极，位于基底的第一侧面上；及后栅极，位于基底相对于第一侧面的第二侧面上。
垂直沟道晶体管

[发明专利]电容的制作方法-CN201210120234.0无效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-04-23 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容制作方法，包括以下步骤：首先，提供一金属下电极，接着以原子层沉积法，沉积至少一层金属氮化层于金属下电极上，再同样以原子层沉积法，沉积至少一层高介电常数金属氧化层于金属氮化层上，最后形成一金属上电极覆盖于高介电常数金属氧化层。
电容制作方法

[发明专利]半导体芯片、半导体封装结构以及其形成方法-CN201210128639.9无效
发明人：陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片，包括基底、贯穿孔、绝缘层、凸点下金属层、穿硅通孔以及凸点。基底具有第一表面以及第二表面。贯穿孔贯穿基底的第一表面以及第二表面。绝缘层设置在基底的第二表面上，绝缘层具有第二开孔对应贯穿孔。凸点下金属层共形且连续地设置在贯穿孔以及第二开孔的表面。穿硅通孔设置在贯穿孔中，而凸点则设置在第二开孔中。本发明另外还提供了形成上述半导体芯片的方法、一种半导体封装结构与其制作方法。
半导体芯片封装结构及其形成方法

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