“徐宋曼”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]三维存储器件及其制作方法-CN201880005094.8有效
发明人：周成;袁彬;刘庆波;徐宋曼;刘思莹;龚睿;赵治国;唐兆云;夏志良;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本公开揭露了一种用于形成3D存储器件的方法。该方法包括：在周边区域(110)中的基板(100)上形成第一绝缘层(114)，第一绝缘层(114)在基底(100)的周边区域(110)和核心区域(120)之间的边界附近具有斜坡；在基底(100)和第一绝缘层(114)的斜坡上形成交替导电/绝缘体堆叠层(250)，交替导电/绝缘体堆叠层(250)的横向部分沿着核心区域(120)中的基底(100)的顶表面延伸，交替导电/绝缘体堆叠层(250)的倾斜部分沿着第一绝缘层(114)的斜坡延伸；以及形成多个接触以电接触交替导电/绝缘体堆叠层(250)的倾斜部分中的多个导电层(310)。
三维存储器件及其制作方法

[发明专利]三维存储器件及其制作过程的器件保护方法-CN201810204063.7有效
发明人： 徐宋曼;刘思莹;周成;赵治国 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种器件保护方法，用于三维存储器件的制作过程，所述方法包括以下步骤：提供半导体结构，所述半导体结构包括核心区和周边区；在所述半导体结构上形成堆叠层，所述堆叠层覆盖所述核心区和所述周边区，其中所述堆叠层具有交替堆叠的第一材料层和第二材料层，且最顶层和最底层为第一材料层；以及刻蚀所述核心区的所述堆叠层中最底层以上的层以形成第一阶梯结构，且去除所述周边区的所述堆叠层中最底层以上的层，保留所述最底层作为器件保护层。所述器件保护方法可以在核心区的后续工艺中保护周边区的器件不受核心区的反应气体的渗透。
堆叠层核心区周边区最底层半导体结构器件保护三维存储器件第一材料制作过程第二材料层器件保护层反应气体后续工艺交替堆叠阶梯结构最顶层刻蚀去除保留覆盖

[发明专利]三维存储器及其制作方法-CN201710770822.1有效
发明人：周成;袁彬;刘庆波;徐宋曼;刘思莹;龚睿;赵治国;唐兆云;夏志良;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本申请提供一种三维存储器及其制作方法，所述制作方法包括：在外围区域以及存储区域沉积氧化层后，去除核心区域的氧化层；沉积第一子叠层和第二子叠层组成的叠层结构，使核心区域的叠层结构的表面与外围区域的氧化层表面齐平；去除外围区域的叠层结构，仅保留最底层的第一子叠层作为阻挡层；平坦化外围区域和核心区域至外围区域的阻挡层；去除阻挡层；将第一子叠层替换为金属，形成栅极叠层；制作金属线与栅极叠层一一对应电性连接。由于采用叠层结构的倾斜部分代替台阶，避免了台阶工艺制作过程中，因台阶尺寸不易控制，造成的金属线与栅极叠层的连接出现漏电或栅极叠层被击穿的问题。同时无需通过多次光刻形成台阶，从而能够降低制作成本。
三维存储器及其制作方法

[发明专利]一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法-CN201510053331.6有效
发明人： 徐宋曼;刘欢;罗真;李袁开;宋志龙;张文楷;邵刚;王阳 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体电阻式气体传感器及其制备方法。气体传感器包括绝缘衬底、信号电极和气敏层；气敏层由半导体纳米晶复合材料和石墨烯构成。利用胶态法合成半导体纳米晶溶液，能在室温下直接成膜，不需要经过高温处理，能耗小，且不会造成纳米颗粒的团聚，能够最大限度地发挥纳米颗粒比表面积大的优势，有利于气体吸附，提高传感器的灵敏度，使传感器能在较低的工作温度甚至常温下检测低浓度目标气体。制备方法简单，易于实现大规模批量生产。
一种半导体电阻气体传感器及其制备方法

[发明专利]一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法-CN201510067819.4有效
发明人：罗真;刘欢;徐宋曼;罗家俊;刘铁峰;李康华;李敏;唐江;周印华 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种无电极式半导体气体传感器及其制备方法。采用无电极式设计，利用灵敏度高、导电性能好的胶态纳米晶复合材料制作气敏层，将其于室温下涂覆在绝缘衬底上形成器件，无需使用额外的信号电极，器件结构和工艺步骤简单，且利于降低成本，适于批量生产，而且适于制作成柔性气体传感器。本发明的气体传感器具有轻、薄、短、小和便携性好的特点，而且工作温度低，具有良好的应用前景。
一种电极半导体气体传感器及其制备方法