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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]切割金属栅极的方法、半导体器件及其形成方法-CN201810917483.X有效
发明人： 彭辞修;杨凯杰;林志昌;蔡腾群;吴伟豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-13 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种形成半导体器件的方法包括形成栅极堆叠件，其中，栅极堆叠件包括栅极电介质和位于栅极电介质上方的金属栅电极。在栅极堆叠件的相对侧上形成层间电介质。平坦化栅极堆叠件和层间电介质。该方法还包括在栅极堆叠件上形成抑制膜，其中，暴露层间电介质的至少部分；在层间电介质上选择性地沉积介电硬掩模，其中，抑制膜防止在其上形成介电硬掩模；并且进行蚀刻以去除栅极堆叠件的部分，其中，介电硬掩模用作相应的蚀刻掩模的部分。本发明的实施例还提供了切割金属栅极的方法和半导体器件。
切割金属栅极方法半导体器件及其形成

[发明专利]鳍状场效晶体管结构及其形成方法-CN201710173984.7有效
发明人：黄彦钧;彭治棠;彭辞修;黄泰钧;许光源;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：用于切割基板上的鳍状场效晶体管结构的鳍状片段的切割最后的工艺，采用两步工艺。在形成鳍状物后，沉积氧化物材料于鳍状场效晶体管结构的沟槽中。氧化物材料可为浅沟槽隔离氧化物或低应力的虚置填隙材料。通过蚀刻品可移除鳍状片段，并保留凹陷状(如u型或v型)的硅部分于鳍状物底部。当氧化物材料为浅沟槽隔离氧化物时，移除鳍状物后形成的孔洞可填有替换的浅沟槽隔离氧化物。当氧化物材料为虚置的填隙材料时，可移除虚置的填隙材料以置换成浅沟槽隔离氧化物；或者将虚置的填隙材料转变成浅沟槽隔离氧化物，并在上述转变步骤之前或之后填入替换的浅沟槽隔离氧化物。
鳍状场效晶体管结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210079494.1在审
发明人：陈婷婷;何彩蓉;葛宗翰;郑雅如;彭辞修;王振翰;梁顺鑫;上野哲嗣;林耕竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开描述了一种在栅极结构及源极/漏极(source/drain,S/D)接触件结构之间形成中间间隔物结构并移除中间间隔物结构的顶部以形成凹槽的方法。中间间隔物结构包括第一间隔层、第二间隔层、以及位于第一间隔层及第二间隔层之间的牺牲间隔层。方法还包括移除牺牲间隔层以在第一间隔层及第二间隔层之间形成气隙，以及在气隙、第一间隔层及第二间隔层上旋涂介电层以填充凹槽及密封气隙。介电层包括用于旋涂介电材料的原料。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201811131306.5有效
发明人：林经祥;林耕竹;郑双铭;蔡腾群;彭辞修;颜甫庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件及其形成方法。实施例方法包括在半导体鳍上方并且沿着半导体鳍的侧壁沉积第一介电膜，半导体鳍从半导体衬底向上延伸。该方法还包括在第一介电膜上方沉积介电材料；使第一介电膜凹进至半导体鳍的顶面之下以限定伪鳍，伪鳍包括介电材料的上部；以及在半导体鳍和伪鳍上方并且沿着半导体鳍和伪鳍的侧壁形成栅极堆叠件。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202010498643.9在审
发明人：彭羽筠;颜甫庭;陈婷婷;林耕竹;彭辞修 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：此处提供半导体装置与其形成方法。本公开实施例的半导体装置包括第一半导体通道膜，与第二半导体通道膜位于第一半导体通道膜上；以及含硅与氮的多孔介电结构。多孔介电结构夹设于第一半导体通道膜与第二半导体通道膜之间，且多孔介电结构的密度小于氮化硅的密度。
半导体装置

[发明专利]组合FinFET及其形成方法-CN201510075614.0有效
发明人：黄玉莲;彭辞修;李东颖;蔡明桓;万幸仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：鳍式场效应晶体管(FinFET)实施例包括从半导体衬底向上延伸的鳍和栅极堆叠件。该鳍包括沟道区。栅极堆叠件设置在沟道区的侧壁上方并且覆盖沟道区的侧壁。沟道区包括至少两种不同的半导体材料。本发明还提供了组合FinFET及其形成方法。
组合 finfet 及其形成方法

[发明专利]半导体集成电路的制造方法-CN201611244674.1在审
发明人：余德伟;彭辞修;方子韦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体器件的制造方法，该方法包括提供了衬底，该衬底具有位于其上方的硬掩模层。图案化硬掩模层以暴露衬底。通过图案化的硬掩模层蚀刻衬底以形成从衬底延伸的第一鳍元件和第二鳍元件。形成位于第一鳍元件和第二鳍元件之间的隔离部件，其中隔离部件在第一溶液中具有第一蚀刻速率。利用脉冲激光束实施激光退火工艺以照射隔离部件。基于隔离部件的高度调整脉冲激光束的脉冲持续时间。在实施激光退火工艺之后，隔离部件在第一溶液中具有比第一蚀刻速率更低的第二蚀刻速率。本发明实施例涉及半导体集成电路的制造方法。
半导体集成电路制造方法

[发明专利]制造具有覆盖层的半导器件的方法-CN201310164871.2有效
发明人： 彭辞修;陈昭诚;范纯祥;蔡明桓 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造具有覆盖层的半导体器件的方法，包括在半导体衬底的第一区域中形成第一伪栅极结构，以及在半导体衬底的第二区域中形成第二伪栅极结构。在第二伪栅极结构上形成保护层(例如，氧化物和/或氮化硅硬掩模)。在形成保护层之后去除第一伪栅极结构，从而提供第一沟槽。在第一沟槽中形成覆盖层(例如，硅)。可在覆盖层上形成金属栅极结构。在去除第一伪栅极结构期间，保护层可保护第二伪栅极结构。
制造具有覆盖层器件方法

[发明专利]金属栅极finFET器件及其制造方法-CN201210280801.9有效
发明人：杨玉麟;彭辞修;叶致锴;赖理学 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-08-08 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：包括具有鳍的衬底的方法和器件。在鳍上形成金属栅极结构。金属栅极结构包括在鳍上形成的应力金属层，使得应力金属层从STI部件延伸至第一高度，第一高度大于鳍高度。在应力金属层上形成导电金属层。本发明提供了金属栅极finFET器件及其制造方法。
金属栅极 finfet 器件及其制造方法

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