专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种用于VLSI设计的Huffman编码系统-CN201720439745.7有效
  • 魏榕山;张鑫刚;张晟;马智愚;胡志杰 - 福州大学
  • 2017-04-25 - 2017-12-05 - H04N19/91
  • 本实用新型涉及一种用于VLSI设计的Huffman编码系统,系统包括复位信号检测单元、开始信号检测单元、输入数据扫描单元、输入数据缓存单元、码字频数缓存单元、数据拼接单元、拼接数据缓存单元、Huffman树节点生成单元、Huffman树节点缓存单元、构造Huffman树并编码单元、识别叶子节点单元、去掉根节点编码位单元、建立Huffman码表单元、编码输出单元、编码输出结束标志单元、返回开始信号检测单元。本实用新型的系统提高了编码的可读性和可维护性,节约了电路面积。
  • 一种用于vlsi设计huffman编码系统
  • [实用新型]一种基于忆阻器的模数转换电路-CN201620448015.9有效
  • 魏榕山;李睿;张鑫刚 - 福州大学
  • 2016-05-17 - 2016-10-05 - H03M1/12
  • 本实用新型涉及一种基于忆阻器的模数转换电路,利用忆阻器随电流规律变化的特点,采用电压脉冲Vp产生稳定电流改变忆阻器阻值,电流源读出每次脉冲后忆阻器阻值的变化量;同时,结合比较器读出每个输出模拟信号需要的电压脉冲次数,对电压脉冲次数进行编码,输出数字信号。本实用新型可根据需求调节电压脉冲Vp的幅度、周期、占空比,可改变模拟信号进行数字编码的区间宽度,实现大范围模拟信号到数字信号的转换。
  • 一种基于忆阻器转换电路
  • [实用新型]一种基于Memristor/MOSFET的可编程电路-CN201620100513.4有效
  • 魏榕山;李睿;林汉超;张鑫刚 - 福州大学
  • 2016-02-01 - 2016-06-29 - G11C13/00
  • 本实用新型涉及一种基于Memristor/MOSFET的可编程电路,包括忆阻器阻值控制模块、忆阻器、系统电路;所述忆阻器阻值控制模块包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4,所述第一NMOS管M1的栅极与所述第一NMOS管M1的漏极、所述第二NMOS管M2的栅极相连并作为所述忆阻器阻值控制模块的第一编程输入端口,所述第三NMOS管M3的栅极与所述第四NMOS管M4的栅极、所述第四NMOS管M4的漏极相连,所述第一NMOS管M1的源极与所述第三NMOS管M3的漏极相连,所述第二NMOS管M2的漏极与所述第四NMOS管M4的源极相连。通过忆阻器(Memristor)与MOS管结合使用,使编程电压能够产生改变忆阻器阻值的稳定电流,发挥忆阻器阻值可变及非易失特性,达到可编程的效果。
  • 一种基于memristormosfet可编程电路

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