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[实用新型]视镜装置和还原炉-CN202222009349.4有效
发明人：孙强;贠俊辉;万烨;严大洲;杨涛;张超;陈辉;张邦洁 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种视镜装置，视镜装置包括筒体、第一视镜和堵件，筒体具有相对的第一端和第二端，筒体的第一端用于和还原炉的视窗管可拆卸地相连，第一视镜安装于筒体内，堵件与筒体相连并位于第一视镜背离还原炉的一侧，堵件用于封堵筒体的第二端开口。本实用新型提供的视镜装置具有能够减少充压气体的浪费和保证还原炉的运行效率的优点。
装置还原

[实用新型]区熔硅棒切割装置-CN202220079960.1有效
发明人：陈辉;张邦洁;严大洲;万烨;张征;贠俊辉;孙强;张晓伟 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本实用新型的实施例提出一种区熔硅棒切割装置。该区熔硅棒的切割装置包括支撑架、旋转固定机构和切割机构。所述旋转固定机构包括固定套筒组件和驱动支撑组件，所述固定套筒组件通过所述驱动支撑组件可转动地设置在所述支撑架上，所述切割机构沿第一预设方向在切割位置和空挡位置之间可移动地设置。因此，本实用新型实施例的区熔硅棒的切割装置具有降低切割过程中因应力集中出现炸裂的技术问题，具有提高区熔硅棒的切割时成品的合格率、降低切割成本的优点。
区熔硅棒切割装置

[发明专利]区熔硅棒切割方法和切割装置-CN202210020029.0在审
发明人：陈辉;张邦洁;严大洲;万烨;张征;贠俊辉;孙强;张晓伟 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明的实施例提出一种区熔硅棒的切割装置和切割方法。其中，本发明的实施例的区熔硅棒的切割装置包括支撑架、旋转固定机构和切割机构。所述旋转固定机构包括固定套筒组件和驱动支撑组件，所述固定套筒组件通过所述驱动支撑组件可转动地设置在所述支撑架上；所述切割机构沿第一预设方向在切割位置和空挡位置之间可移动地设置。因此，本发明实施例的区熔硅棒的切割装置具有降低切割过程中因应力集中出现炸裂的技术问题，具有提高区熔硅棒的切割时成品的合格率、降低切割成本的优点。
区熔硅棒切割方法装置

[实用新型]还原炉用硅芯、硅芯组件及还原炉-CN202121553022.2有效
发明人：尹杏;刘帆;尚保卫;陈辉;张邦洁;张巧红;李珂;万烨 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种还原炉用硅芯、硅芯组件及还原炉，属于多晶硅生产技术领域，包括轴体，所述轴体包括第一轴段、第二轴段、第三轴段，所述第一轴段连接在所述第二轴段的第一端，所述第三轴段连接在所述第二轴段的第二端，所述第一轴段的横截面积大于所述第二轴段的横截面积，所述第三轴段的横截面积大于所述第二轴段的横截面积。本实用新型在不降低与电极连接的强度的同时，还能够减小硅芯截面在多晶硅棒中的截面占比，进而可减小硅芯杂质对多晶硅品质的影响。
还原炉用硅芯组件

[实用新型]硅芯制备设备-CN202120510365.4有效
发明人：孙强;张邦洁;尹杏;陈辉;万烨;张晓伟 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司;洛阳中硅高科技有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅芯制备设备，包括：硅芯炉，硅芯炉包括底座和硅芯筒体，硅芯筒体安装在底座上，硅芯筒体具有硅芯炉腔、进气口和出气口，进气口和出气口与硅芯炉腔连通；籽晶提拉装置，籽晶提拉装置与硅芯炉腔滑动连接，籽晶提拉装置的一端从硅芯炉腔上端伸入到硅芯炉腔内；原料棒座，原料棒座位于硅芯炉腔内；感应线圈，感应线圈安装在硅芯炉腔内，底座上设有电器控制装置，感应线圈与电器控制装置电连接；第一真空发生器，真空发生器通过抽空管道与出气口连通。通过利用根据本实用新型实施例的硅芯制备设备，从而可以有效地降低硅芯中的P元素的含量，有效地提高硅芯的电阻率。
制备设备

[发明专利]硅芯制备方法和硅芯制备设备-CN202110259705.5在审
发明人：孙强;张邦洁;尹杏;陈辉;万烨;张晓伟 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司;洛阳中硅高科技有限公司
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种硅芯制备方法和硅芯制备设备，硅芯制备方法包括以下步骤：A)将硅芯原料棒和籽晶安装在硅芯炉腔内，关闭所述硅芯炉腔；B)对所述硅芯炉腔进行持续地抽真空，使得所述硅芯炉腔内的压强小于标准大气压；和C)加热所述硅芯原料棒产生熔区，利用所述籽晶拉制所述硅芯原料棒以便得到硅芯。因此，通过利用根据本发明实施例的硅芯制备方法，从而可以有效地降低硅芯中的P元素的含量，有效地提高硅芯的电阻率。
制备方法设备

[实用新型]多晶硅清洗机-CN202020127798.7有效
发明人：陈辉;曲宏波;刘应全;张潼;蔡爱梅;张征;张邦洁 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了多晶硅清洗机。该多晶硅清洗机包括：本体和惰性气体喷吹装置，本体内设有机械手和顺序布置的酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽、第二快速冲洗槽和纯水过渡槽；惰性气体喷吹装置包括输气管道和多个风刀喷口，输气管道伸入本体内并延伸至酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽上方；多个风刀喷口设在输气管道上并沿输气管道的走向间隔分布，且多个风刀喷口分别独立地朝向酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽区域。该多晶硅清洗机结构简单、安装方便、投资小、见效快，能有效解决多晶硅物料在酸洗过程中酸与空气接触而造成的多晶硅物料二次污染的问题，保证清洗质量和清洗效果。
多晶清洗

[实用新型]多晶硅还原炉供料系统-CN201921342009.5有效
发明人：陈辉;万烨;孙强;张晓伟;张邦洁;王浩;聂冬冬 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C01B33/027 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅还原炉供料系统，包括雾化装置和管道式挥发器，雾化装置限定有雾化腔且设有与雾化腔连通的三氯氢硅液体进口、氢气进口和雾出口，雾化装置用于将进入雾化腔的三氯氢硅液体和氢气进行均匀雾化，产生雾气并经过雾出口排出；管道式挥发器包括内管和加热组件，内管一端与雾化装置的雾出口连通，另一端与还原炉连通；加热组件位于内管的外周并沿内管长度方向延伸；加热组件用于对从雾出口进入内管的雾气加热汽化形成混合气，以向还原炉供入混合气。本实用新型的多晶硅还原炉供料系统稳定性高，配比精度高，配比调节灵活，多晶硅产品质量高。
多晶还原供料系统

[实用新型]多晶硅还原炉-CN201921396516.7有效
发明人：陈辉;万烨;孙强;张晓伟;张邦洁;王浩;张征 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C01B33/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶硅还原炉，多晶硅还原炉包括：底盘，底盘上设有进气管和出气管；高阻值硅芯，设在底盘上；还原炉筒体，适于罩设在底盘上，还原炉筒体内限定有空腔；气体加热器，气体加热器上形成有气体进口和气体出口；物料系统换热器，物料系统换热器上形成有物料系统进口和物料系统出口；气体管道，气体管道被构造成与气体出口和物料系统出口中的其中一个连通；其中，经气体加热器加热后的气体适于经由气体管道和进气管进入空腔内以加热高阻值硅芯。根据本实用新型的多晶硅还原炉，通过气体加热器对气体进行加热，通过热态气体将还原炉内的高阻值硅芯预热，整个系统属于密闭系统，同时气体纯度能够保证，操作简便，安全可靠。
多晶还原

[发明专利]多晶硅清洗机和清洗多晶硅的方法-CN202010062867.5在审
发明人：陈辉;曲宏波;刘应全;张潼;蔡爱梅;张征;张邦洁 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明公开了多晶硅清洗机和清洗多晶硅的方法，其中，多晶硅清洗机包括：本体和惰性气体喷吹装置，本体内设有机械手和顺序布置的酸腐蚀槽、第一快速冲洗槽、第二快速冲洗槽和纯水过渡槽；惰性气体喷吹装置包括输气管道和多个风刀喷口，输气管道伸入本体内并延伸至酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽上方；多个风刀喷口设在输气管道上并沿输气管道的走向间隔分布，且多个风刀喷口分别独立地朝向酸腐蚀槽和第一快速冲洗槽区域。该多晶硅清洗机结构简单、安装方便、投资小、见效快，能有效解决多晶硅物料在酸洗过程中酸与空气接触而造成的多晶硅物料二次污染的问题，保证清洗质量和清洗效果。
多晶清洗方法

[发明专利]多晶硅还原炉及其启炉方法-CN201910790996.3在审
发明人：陈辉;万烨;孙强;张晓伟;张邦洁;王浩;张征 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅还原炉及其启炉方法，多晶硅还原炉包括：底盘，底盘上设有进气管和出气管；高阻值硅芯，设在底盘上；还原炉筒体，适于罩设在底盘上，还原炉筒体内限定有空腔；气体加热器，气体加热器上形成有气体进口和气体出口；物料系统换热器，物料系统换热器上形成有物料系统进口和物料系统出口；气体管道，气体管道被构造成与气体出口和物料系统出口中的其中一个连通；其中，经气体加热器加热后的气体适于经由气体管道和进气管进入空腔内以加热高阻值硅芯。根据本发明的多晶硅还原炉，通过气体加热器对气体进行加热，通过热态气体将还原炉内的高阻值硅芯预热，整个系统属于密闭系统，同时气体纯度能够保证，操作简便，安全可靠。
物料系统气体加热器底盘多晶硅还原炉气体管道还原炉硅芯加热换热器进气管出口密闭系统气体出口气体纯度气体进口出气管预热空腔启炉热态筒体连通体内进口保证

[发明专利]多晶硅还原炉供料系统-CN201910760915.5在审
发明人：陈辉;万烨;孙强;张晓伟;张邦洁;王浩;聂冬冬 -专利权人：洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C01B33/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅还原炉供料系统，包括雾化装置和管道式挥发器，雾化装置限定有雾化腔且设有与雾化腔连通的三氯氢硅液体进口、氢气进口和雾出口，雾化装置用于将进入雾化腔的三氯氢硅液体和氢气进行均匀雾化，产生雾气并经过雾出口排出；管道式挥发器包括内管和加热组件，内管一端与雾化装置的雾出口连通，另一端与还原炉连通；加热组件位于内管的外周并沿内管长度方向延伸；加热组件用于对从雾出口进入内管的雾气加热汽化形成混合气，以向还原炉供入混合气。本发明的多晶硅还原炉供料系统稳定性高，配比精度高，配比调节灵活，多晶硅产品质量高。
内管雾化装置雾出口多晶硅还原炉供料系统加热组件雾化腔连通三氯氢硅液体管道式还原炉挥发器混合气雾气长度方向延伸多晶硅产品加热汽化配比调节氢气进口氢气均匀雾排出配比外周灵活进口

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