专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种配网情况确定方法、系统及相关装置-CN202011233101.5有效
  • 张朋林 - 深圳市晨北科技有限公司
  • 2020-11-06 - 2022-12-20 - H04L41/0823
  • 本申请提供一种配网情况确定方法,包括:获取预设时间段内的配网样本数据,预设时间段包括至少两个子时间段,配网样本数据包括每个子时间段内出现第一目标值的第一数量和出现第二目标值的第二数量;根据配网样本数据中第一目标值的第一总数量和第二目标值的第二总数量,确定配网样本数据的平均目标值;根据配网样本数据中各目标值与平均目标值的差值,确定配网样本数据的配网现状值;若配网现状值超过第一预设阈值,确定存在配网波动。本申请有助于暴露配网缺陷并优化配网系统,提高配网质量,能够有效提高确定配置质量的效率。本申请还提供一种配网情况确定系统、计算机可读存储介质和网络设备,具有上述有益效果。
  • 一种情况确定方法系统相关装置
  • [发明专利]一种多孔有机半导体薄膜的制备方法-CN201810740497.9有效
  • 张新安;蒋俊华;张朋林;郑海务;张伟风 - 河南大学
  • 2018-07-07 - 2020-05-26 - H01L51/40
  • 本发明公开了一种多孔有机半导体薄膜的制备方法,将有机半导体材料与高分子聚合物溶解在有机溶剂中,混合均匀,形成前驱体溶液。将前驱溶液旋涂在基底上,由于气息图案原理,形成多孔有机半导体薄膜。由于高分子聚合物的掺入,抑制了有机半导体材料的聚集和结晶,促进了多孔薄膜结构的形成。同时,高分子聚合物的掺入有利于提高有机半导体材料的电学稳定性。本发明工艺简单、重复性好、对设备和环境条件要求低,适用于大部分多孔有机半导体薄膜的制备,在新型有机半导体器件制备中有广阔的应用前景。
  • 一种多孔有机半导体薄膜制备方法
  • [实用新型]一种通用型光学镜片压紧结构-CN201921622856.7有效
  • 王金忠;张朋林 - 成都晶华光电科技股份有限公司
  • 2019-09-27 - 2020-05-19 - G02B7/00
  • 本实用新型属于光学技术领域,尤其为一种通用型光学镜片压紧结构,包括操作台,所述操作台的顶部固定安装有两个立板,两个立板对称设置,两个立板的顶部固定安装有同一个顶板,所述顶板的底部固定安装有推杆电机,所述推杆电机的输出轴上固定安装有横杆,所述横杆的两端均固定安装有矩形块,两个矩形块上转动安装有同一个螺纹杆,所述螺纹杆上开设有两端旋向相反的螺纹,所述螺纹杆上螺纹安装有两个安装块,两个安装块对称设置。本实用新型操作简单,使用方便,本装置中对光学镜片进行压紧的结构可根据光学镜片的直径进行调节,因此能够适用不同直径的光学镜片,适用范围较为广泛,具有一定的通用性。
  • 一种通用型光学镜片压紧结构
  • [发明专利]一种高稳定性氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法-CN201710988060.2有效
  • 张新安;刘献省;郑海务;李爽;张朋林;张伟风 - 河南大学
  • 2017-10-21 - 2020-04-03 - H01L29/06
  • 一种高稳定性氧化物半导体薄膜晶体管,包括衬底、栅电极、绝缘层、有源层和源漏电极,所述绝缘层为掺杂硼或硅的绝缘膜,所述有源层为掺杂硼或硅的半导体薄膜,一种高稳定性氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法,包括选择重掺杂硅衬底或ITO导电玻璃为衬底,同时作为栅电极;采用磁控溅射法在衬底上制备绝缘层,所述绝缘层为掺杂硼或硅的绝缘膜;采用磁控溅射在绝缘层上制备有源层,所述有源层为掺杂硼或硅的半导体薄膜;采用热蒸发镀膜法在有源层上制备金属Al薄膜作为源漏电极。本发明采用掺杂易与氧空位结合的硼(B)或硅(Si),减少绝缘层和有源层界面处的氧空位,提高薄膜晶体管的稳定性,从而提高器件的稳定性和可靠性。
  • 一种稳定性氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法
  • [发明专利]薄膜晶体管及其制备方法-CN201610993713.1有效
  • 张新安;蒋俊华;敖天勇;张朋林;张伟风 - 河南大学
  • 2016-11-11 - 2019-09-13 - H01L29/786
  • 本发明提供一种薄膜晶体管,它包括分别作为源极和漏极的源漏电极层,作为栅极的导电薄膜层,作为有源层的金属氧化物半导体薄膜层,以及设置在所述导电薄膜层和所述金属氧化物半导体薄膜层之间的同时充当绝缘层和衬底层的绝缘衬底层,在所述薄膜晶体管结构中,所述绝缘衬底层同时起到了衬底和绝缘薄膜的作用,大大简化了薄膜晶体管的制备工艺,降低了制备成本。本发明还提供制备所述薄膜晶体管的方法,该方法工艺简单、成本低廉,在大面积电子电路中有广阔的应用前景。
  • 薄膜晶体管及其制备方法
  • [发明专利]一种透明柔性异质PN结二极管及其制备方法-CN201710806150.5在审
  • 张新安;张朋林;李爽;郑海务;张伟风 - 河南大学
  • 2017-09-08 - 2018-01-23 - H01L29/861
  • 本发明涉及一种透明柔性异质PN结二极管及其制备方法,属于透明柔性电子电路技术领域。该透明柔性异质PN结二极管包括由下往上依次设置的透明柔性衬底、透明柔性正电极薄膜、透明柔性非晶态P型半导体薄膜、透明柔性非晶态N型半导体薄膜和透明柔性负电极薄膜,透明柔性非晶态N型半导体薄膜为以IZO、TZO、IGZO中的任意一种为靶材在有氧氛围下通过溅射制得;透明柔性非晶态P型半导体薄膜为以NiO、CuO、SnO中的任意一种为靶材在有氧氛围下通过溅射制得。本发明中由于异质PN结采用了非晶态氧化物半导体,避免了晶粒间界在机械形变下产生的电学不稳定性,从而使器件具有优异的柔韧性,可以用作透明柔性电路中的整流单元。
  • 一种透明柔性pn二极管及其制备方法
  • [实用新型]一种攀登电杆的防冰霜脚扣-CN201621464390.9有效
  • 张有科;王纯永;刘爱华;董青春;张旭东;张朋林;邢加勤;王宝利;吕晓霞 - 国网山东省电力公司栖霞市供电公司
  • 2016-12-29 - 2017-08-04 - A63B27/02
  • 本实用新型涉及一种攀登电杆的防冰霜脚扣。它包括弧形主体钩和脚蹬板,脚蹬板上方固定有主防滑板,弧形主体钩的另一端安装有辅防滑板,主防滑板和辅防滑板内侧面上固定有防滑钢丝刷,主防滑板和辅防滑板还设有破冰锥,主防滑板外侧面上设有光敏传感器和压感传感器,主防滑板和辅防滑板上设有电子融化装置。该攀登电杆的防冰霜打滑脚扣,设有主辅防滑板,其上安装防滑钢丝刷,增强防滑效果。同时,防滑板上设有破冰锥,遇到电杆上覆冰半融化情况时可在第一时间破冰,且对电杆无伤害。此外,设有的电子融化装置可根据传感器检测情况,按设定检测要求进行融化操作,保证防滑钢丝刷清洁,利于工作人员安全的顺利登杆。
  • 一种攀登电杆冰霜脚扣

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