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[实用新型]平面结构白光LED芯片-CN201220226500.3有效
发明人：万远涛;张昊翔;金豫浙;封飞飞;高耀辉;李东昇;江忠永 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种平面结构白光LED芯片，该平面结构白光LED芯片包括：非导电衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面；外延层，所述外延层设置于所述衬底的第一表面上；荧光粉混合层，所述荧光粉混合层设置在所述外延层上；第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极设置在所述外延层上并与所述外延层相连，所述第一电极和所述第二电极用于对所述外延层施加电压；电极金属球，所述电极金属球位于所述荧光粉混合层中的第一电极和第二电极上，所述电极金属球用于将所述第一电极和第二电极电流的引出。本实用新型得到色温一致的平面结构白光LED芯片，并在芯片级出射白光，大大提高了白光的生产效率。
平面结构白光 led 芯片

[实用新型]用于LED芯片的衬底-CN201220408508.1有效
发明人：丁海生;李东昇;马新刚;江忠永;张昊翔;王洋;李超 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种用于LED芯片的衬底，该用于LED芯片的衬底包括主体，所述主体上设置有若干分区；每一所述分区上均具有用于控制反射光相位分布的三维纳米阶梯结构，所述三维纳米阶梯结构具有若干不同深度的阶梯。本实用新型制备的用于LED芯片的衬底解决了现有的衬底不能控制反射光相位分布等问题，提高了LED芯片的出光量，提高了LED芯片的亮度。
用于 led 芯片衬底

[实用新型]直接出射线偏振光的发光二极管-CN201220310674.8有效
发明人：丁海生;李东昇;马新刚;江忠永;张昊翔;王洋;李超 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种直接出射线偏振光的发光二极管，所述发光二极管在衬底上形成旋光阵列结构，并在外延层上形成偏振分光阵列结构，所述偏振分光阵列结构用于对自然偏振光产生分光作用，以透射一类型偏振光，反射另一类型偏振光，所述旋光阵列结构用于将所述偏振分光阵列结构反射的另一类型偏振光再次反射，并将其转换为与偏振分光阵列结构透射类型相同的偏振光后，再经过偏振分光阵列结构射出，从而不需要引入外置偏振片即可实现直接出射线偏振光的目的，为后续二次光学设计提供了便利，也缩小相应领域应用产品的体积，降低了其生产成本，且光能得到充分利用、基本无能量损失，同时本实用新型所述发光二极管的制造方法工艺成熟且易实施。
直接射线偏振光发光二极管

[实用新型]一种垂直结构的LED芯片-CN201220287204.4有效
发明人： 张昊翔;封飞飞;万远涛;金豫浙;李东昇;江忠永 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种垂直结构的LED芯片，包括：外延层；形成于所述外延层的表面上的第一基板以及形成于所述第一基板上的第二基板。通过调整第一基板和第二基板的膨胀系数可以有效的调整外延层所受的应力，使得外延层在衬底剥离步骤中应力能够得到适当的释放，减小因此产生的外延层龟裂现象，从而提高衬底剥离良率，减小芯片漏电，提高芯片可靠性。
一种垂直结构 led 芯片

[实用新型]激光剥离LED衬底的系统-CN201220225992.4有效
发明人：高耀辉;张昊翔;金豫浙;封飞飞;万远涛;李东昇;江忠永 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： B23K26/36 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种激光剥离LED衬底的系统，所述系统包括：飞秒脉冲种子激光源；倍频晶体，对所述飞秒脉冲种子激光源发出的飞秒脉冲激光进行多倍频，倍频系数大于等于2，该倍频晶体优选为三倍频晶体；激光扩束聚焦装置，对所述倍频晶体出射的飞秒脉冲激光进行扩束和线聚焦，输出线状光斑，所述线状光斑的长度大于等于LED衬底的直径；承载部件，用于承载所述LED衬底，所述LED衬底包括衬底和位于所述衬底上的外延层，所述线状光斑聚焦在所述外延层和衬底的交界面处。本实用新型能够避免剥离工艺中的热损伤，而且有利于提高生产效率。
激光剥离 led 衬底系统

[实用新型]一种线偏振LED灯-CN201220316881.4有效
发明人：丁海生;李东昇;马新刚;江忠永;张昊翔;王洋;李超 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： F21S8/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种线偏振LED灯，包括若干平行排列的支撑结构；若干具有分光作用的偏振分光膜和对可见光波段具有高反射性的宽带高反介质膜，所述偏振分光膜与所述宽带高反介质膜均黏合于相邻的支撑结构之间，且所述偏振分光膜与所述宽带高反介质膜间隔设置；若干半波片，所述半波片黏合于奇数次序的支撑结构的上表面或偶数次序的支撑结构的上表面。本实用新型所述线偏振光的LED灯可在不损失光能的前提下，将发光二极管发出的光完全转换成所需方向的线偏振光；本实用新型能够应用于机动车辆照明，在不影响自身照明的前提下，避免对他人造成强光眩目，减少交通事故的产生。
一种偏振 led

[实用新型]LED外延片-CN201220325566.8有效
发明人：高耀辉;张昊翔;封飞飞;金豫浙;万远涛;李东昇;江忠永 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2012-07-05 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种LED外延片，该LED外延片包括：衬底；图形层，所述图形层具有纳米凸起图形，所述纳米凸起图形之间具有空隙间隔，所述图形层设置于所述衬底上；外延层，所述外延层设置在所述图形层上。本实用新型提供的LED外延片，可以能够提高外延层晶格质量，改善LED芯片出光效率，同时针对需要剥离的垂直结构的LED芯片，避免了使用价格昂贵的激光剥离设备，并且剥离面的质量得到保证。
led 外延

[实用新型]可用于制作光子晶体掩膜层的多光束曝光系统-CN201220288250.6有效
发明人：丁海生;李东昇;马新刚;江忠永;张昊翔;王洋;李超;熊展;章帅 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2012-06-15 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种可用于制作光子晶体掩膜层的多光束曝光系统，包括沿着主光轴方向由前至后依次设置的激光光源、扩束准直系统、分束合光装置以及用于承载晶片的晶片固定装置，激光光源发出的光束经扩束准直系统后进入分束合光装置，分束合光装置将接收到的光束分光后再汇集到晶片固定装置上。本实用新型结构简单，其利用光束干涉原理曝光，无需掩膜版，故具有较高的成本优势；其通过控制各电动快门的开关和各反射镜的角度能够实现任意数量光束的多光束曝光，增强系统功能；其既可用于简单的光子晶体的制作，又可通过增加分束合光装置的数量和相应的光强衰减器及电动快门以满足更复杂结构的光子晶体的制作。
用于制作光子晶体掩膜层光束曝光系统

[实用新型]图形化衬底及用于制作所述衬底的掩膜版-CN201220315633.8有效
发明人：丁海生;李东昇;马新刚;江忠永;张昊翔;王洋;李超;逯永建;黄捷 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2012-07-02 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种图形化衬底，包括衬底及位于衬底上方的周期性图形，所述周期性图形由从下至上阶梯型依次堆叠的m+1个圆台或椭圆台或多棱台组成，或由从下至上阶梯型依次堆叠的m个圆台或椭圆台或多棱台和1个圆锥或椭圆锥或多棱锥组成，通过周期性图形微结构可降低由GaN等外延层与衬底之间晶格失配而造成的应力以及GaN等外延层中的位错密度，提高GaN等外延层的晶体质量，更好地改善LED的发光亮度；本实用新型还提供一种由圆形阵列或椭圆形阵列或多边形阵列组成掩模版，阵列中的每一圆形或椭圆形或多边形区域内部都包含m+1个透光率不同的同心圆环或同心椭圆环或同心多边形环；利用所述掩模版制作所述图形化衬底，易于实现且成本低。
图形衬底用于制作掩膜版

[实用新型]便于打线的LED芯片-CN201220322732.9有效
发明人：丁海生;李东昇;马新刚;江忠永;张昊翔;王洋;李超 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种便于打线的LED芯片，该LED芯片包括：衬底；外延层，所述外延层具有第一电极制备区和第二电极制备区，所述第一电极制备区上具有第一电极粗化区，所述第二电极制备区上具有第二电极粗化区；第一电极，所述第一电极设置于所述第一电极制备区上；第二电极，所述第二电极设置于所述第二电极制备区上。本实用新型制备的LED芯片解决了电极与外延层的黏附性差，电极易脱落和打线困难等问题，提高了打线成功的概率。
便于 led 芯片

[实用新型]一种LED芯片-CN201220271608.4有效
发明人：封飞飞;张昊翔;金豫浙;万远涛;李东昇;江忠永 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2012-06-06 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种LED芯片，包括：衬底；位于所述衬底上的外延层、欧姆接触层、第一粘结层、第一钎料阻挡层及混合层；位于所述混合层上的第二钎料阻挡层、第二粘结层及基板。在本实用新型提供的LED芯片中，避免或减少了贵金属的使用，从而降低了LED芯片制造成本，提供了价格低廉的LED芯片。此外，在本实用新型提供的LED芯片中，通过稳定的混合层作为键合连接的膜层，从而获得较佳的键和界面，得到了高质量的LED芯片。
一种 led 芯片

[实用新型]一种垂直LED芯片-CN201220162102.X有效
发明人：封飞飞;张昊翔;万远涛;金豫浙;高耀辉;李东昇;江忠永 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型提出一种垂直LED芯片，至少包括：外延层，以及所述外延层上由下至上依次形成的接触层、反射镜层、粘合层和喷涂基板；其中，所述外延层自下而上依次包含有N型氮化镓层、发光层和P型氮化镓层，所述N型氮化镓层上制作有N电极，所述喷涂基板上制作有P电极。本实用新型提供的垂直LED芯片，可以解决制作基板的过程中对外延层造成影响，缓解外延层受到的应力，以及避免大量使用贵金属，降低了垂直LED芯片制作成本。
一种垂直 led 芯片

[发明专利]用于LED芯片的衬底及其制备方法-CN201210292875.4有效
发明人：丁海生;李东昇;马新刚;江忠永;张昊翔;王洋;李超 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明揭示了一种用于LED芯片的衬底及其制备方法，该用于LED芯片的衬底包括主体，所述主体上设置有若干分区；每一所述分区上均具有用于控制反射光相位分布的三维纳米阶梯结构，所述三维纳米阶梯结构具有若干不同深度的阶梯。同时本发明提供该衬底的制备方法，包括：提供无图形衬底；以所述分区为单位，设计具有控制反射光相位分布的仿真微结构；将所述仿真微结构转化为仿真三维纳米阶梯结构；将设计好的仿真三维纳米阶梯结构制备到所述无图形衬底的各分区上，形成用于LED芯片的衬底。本发明制备的用于LED芯片的衬底解决了现有的衬底不能控制反射光相位分布等问题，提高了LED芯片的出光量，提高了LED芯片的亮度。
用于 led 芯片衬底及其制备方法

[实用新型]半导体发光二极管器件-CN201220186889.3有效
发明人： 张昊翔;金豫浙;封飞飞;万远涛;高耀辉;李东昇;江忠永 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体发光二极管器件，包括：有源层；P型半导体层和N型半导体层，分别位于所述有源层的两侧；与所述P型半导体层电性连接的正电极焊接层；与所述N型半导体层电性连接的负电极焊接层；所述正电极焊接层和/或负电极焊接层的材料为铝合金材料。本实用新型能够更好地满足LED器件对电极焊接层的需求，能够提高在大电流下的抗电迁移性，提升器件的热稳定性，与常规的铝材料相比提高器件使用寿命，并有利于产业化成本的控制。
半导体发光二极管器件

[发明专利]基于空间光调制器的无掩膜图形曝光系统-CN201210294808.6无效
发明人：丁海生;李东昇;马新刚;江忠永;张昊翔;李超 -专利权人：杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明揭示了一种基于空间光调制器的无掩膜图形曝光系统，沿光轴方向依次包括：照明光源，与所述照明光源配套的光束整形系统，空间光调制器，与所述空间光调制器配套的偏振光学器件，投影透镜及晶片支撑架；所述晶片支撑架上固定待曝光的晶片，所述空间光调制器与所述晶片支撑架关于所述投影透镜满足物象共轭关系，照明光源发出的光经光束整形系统整形成为适合空间光调制器尺寸大小的均匀照明光束，照亮所述空间光调制器，在所述配套的偏振光学器件的配合作用下，所述空间光调制器可通过计算机的控制显示各种图形结构，后续再经投影透镜投影成像到晶片上，便可对晶片实施无掩膜曝光。
基于空间调制器无掩膜图形曝光系统