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[发明专利]基于X光图像的违禁物品检测方法-CN202310690253.5在审
发明人：姬光;张恩宁;张恩伟;尹宇鹤 -专利权人：北京声迅电子股份有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G06V10/764 文献下载
摘要：本发明提供一种基于X光图像的违禁物品检测方法，包括：获取待检测X光图像和对应的等效原子序数图像；将待检测X光图像输入特征单元检测模型得到第一检测图像；当第一检测图像包括至少一个用于表征违禁物品基本单元的目标特征单元时，基于待检测X光图像和各目标特征单元确定第二检测图像；第二检测图像包括各目标特征单元对应的候选像素区域；候选像素区域内的各像素点均为预测的表征违禁物品基本单元的像素点；基于等效原子序数图像，在所有候选像素区域中确定至少一个目标候选像素区域；将包括至少一个目标候选像素区域的第三检测图像输入霍夫森林模型，得到包括框选各违禁物品的目标区域的第四检测图像。本方法能提高检测的准确度。
基于图像违禁物品检测方法

[发明专利]基于金属携带量数据的人员安检方法-CN202310316415.9有效
发明人：张恩伟;高武;姬光;施隆玺;曹云;谢群;张恩宁 -专利权人：北京声迅电子股份有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06F16/2458 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于金属携带量数据的人员安检方法，该方法包括：获取待检测人员的当前金属携带量；在预设数据库中包括所述待检测人员的情况下，从所述预设数据库中获取所述待检测人员的历史金属携带量轨迹，所述历史金属携带量轨迹中的每个轨迹点表征在第一历史时刻采集的历史金属携带量，所述轨迹点和所述第一历史时刻一一对应；在所述轨迹点的数量大于或等于第一数量的情况下，基于所述当前金属携带量和每个所述历史金属携带量，确定所述待检测人员的安检结果。本发明提供的基于金属携带量数据的人员安检方法可以提高人员安检的效率。
基于金属携带数据人员安检方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210242754.2在审
发明人： 张恩宁;赵振阳;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底上具有复合结构；在复合结构上形成若干相互分立的掩膜结构；以若干掩膜结构为掩膜，对复合结构进行若干次循环处理，在基底上形成相互分立的若干鳍结构，鳍结构包括交替堆叠的若干牺牲层和若干沟道层，每次循环处理后，在相邻掩膜结构之间和复合结构内形成若干中间沟槽，每次循环处理的方法包括：在前次循环处理形成的中间沟槽侧壁面形成第一侧墙；以若干掩膜结构为掩膜，刻蚀所述第一侧墙、以及暴露的若干初始牺牲层和若干初始沟道层中的至少一层，增加所述前次循环处理形成的中间沟槽的深度。从而，提高了半导体结构的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202210243381.0在审
发明人：赵振阳;张恩宁;付宇;纪世良 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底包括第一区和第二区且表面具有第一掩膜层；对第一掩膜层进行改性处理，在第一区上的第一掩膜层内形成若干改性区；在第二区上的第一掩膜层上形成若干第一掩膜结构；以若干第一掩膜结构和改性区为掩膜，刻蚀第一掩膜层，形成若干第二掩膜结构和若干第三掩膜结构；以第二掩膜结构图形化第二区，并以第三掩膜结构图形化第一区，在第一区形成若干第一鳍，在第二区形成若干第二鳍。所述方法提高了形成的半导体结构的性能和可靠性。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种出行事件确定方法、安检方法以及事件管理方法-CN202211384507.2有效
发明人：张恩伟;姬光;尹宇鹤;张恩宁;谢群;蒙移发 -专利权人：北京声迅电子股份有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06V20/52 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种出行事件确定方法、安检方法以及事件管理方法，该出行事件确定方法包括：根据包含待测包裹的采集图像，确定所述待测包裹对应的目标物品信息；其中，所述目标物品信息表征所述待测包裹中的目标物品；根据所述目标物品信息，确定在所述目标物品组合存在时各预设出行事件的目标发生概率；根据各预设出行事件的目标发生概率，从所有预设出行事件中选择所述待测包裹对应的目标出行事件。本实施例根据各预设出行事件的目标发生概率，能够精准地确定上述待测包裹对应的目标出行事件，该出行事件综合了上述待测包裹中的几种目标物品的组合影响，反映出相关用户对应的出行场景。
一种出行事件确定方法安检以及管理

[发明专利]基于多人脸识别模块的人脸识别方法-CN202310484728.5在审
发明人：谢群;张恩伟;曹云;姬光;张恩宁;焦亚男;厉中军 -专利权人：北京声迅电子股份有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G06V40/16 文献下载
摘要：本发明提供一种基于多人脸识别模块的人脸识别方法，该方法包括：获取待识别图像；将所述待识别图像分别输入至少两个人脸识别模块中，得到各所述人脸识别模块各自输出的至少一个人脸匹配结果；所述人脸匹配结果用于表征所述待识别图像中包括目标人脸的概率；基于各所述人脸识别模块对应的历史置信概率、以及至少一个所述人脸匹配结果确定目标人脸标识；所述历史置信概率用于表征对应人脸识别模块识别人脸的准确度。本发明提供的方法通过多个人脸识别模块分别对待识别图像进行人脸识别，基于各人脸识别模块输出的人脸匹配结果及各人脸识别模块对应的历史置信概率确定出目标人脸标识，可以提高人脸识别的准确度。
基于多人脸识别模块方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111594658.6在审
发明人： 张恩宁;付宇鑫;赵秦亿;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括第一隔离区、器件区和第二隔离区，第一隔离区和第二隔离区宽度不同；在器件区上形成第一初始掩膜结构、若干第二掩膜结构和第三初始掩膜结构，第一初始掩膜结构与第一隔离区相邻，第三初始掩膜结构与第二隔离区相邻，若干第二掩膜结构位于第一初始掩膜结构和第三初始掩膜结构之间；进行若干次循环处理，以减小第一初始掩膜结构的宽度和第三初始掩膜结构的宽度的宽度差，形成第一掩膜结构和第三掩膜结构；以第一掩膜结构、若干第二掩膜结构和第三掩膜结构为掩膜，刻蚀第一隔离区、器件区和第二隔离区，形成衬底、以及位于衬底上的若干鳍部。从而，可形成电学特性均一、稳定的半导体结构。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111621557.3在审
发明人： 张恩宁;宋佳;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供基底，所述基底上具有若干初始复合层，每层初始复合层包括初始牺牲层、初始沟道层；在若干初始复合层上形成相互分立的若干鳍掩膜结构；基于所述鳍掩膜结构，对所述若干初始复合层进行若干次循环处理，以在所述基底上形成相互分立的若干第一鳍结构，所述第一鳍结构包括在基底表面的法线方向上重叠的若干第一复合层，每层第一复合层包括第一牺牲层、以及位于所述第一牺牲层上的第一沟道层，每次所述循环处理的方法包括：对预设数量层的初始复合层进行刻蚀处理以及原位钝化处理。从而，改善了半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种改善机械设备检修系统复杂性的方法-CN201811011081.X有效
发明人：孙继武;王亚辉;周建全;汪祖民;张恩宁;贾幼磊 -专利权人：周建全
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善机械设备检修系统复杂性的方法，通过对示警运动副安全剩余寿命t01的计算，避免了规格外虚发及漏发两种警报错误引发的寻找并不存在异因的损失及故障停机事故的损失。可以统计预报出机械设备在多少天内不坏以及多少天内必坏，避免了抢修事件的发生，解决了现有技术中不能量化示警运动副安全剩余寿命的问题。通过感知节点的数目m最大的计算，实现示警运动副数目与感知节点数目一一对应的简约配比，以一代多、以简代繁，解决了现有技术中感知节点繁杂、保运成本过高的问题。通过备品备件标准存储库距s标的计算，实现存储库系统配置标准化，解决了现有技术中机械设备买卖双方备品备件存储库错综繁杂冗余的问题。使得原设计要求在维修过程中得到保证。
一种改善机械设备检修系统复杂性方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010420659.8有效
发明人：张海洋;赵振阳;张恩宁 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成堆叠材料结构；在堆叠材料结构内形成若干凹槽，凹槽的底部位于所述第一材料层内，形成初始堆叠结构，初始堆叠结构包括初始第一层、位于初始第一层上的初始第二层以及位于初始第二层上的初始第三层；对初始第三层进行刻蚀，形成若干过渡第三层，若干过渡第三层沿平行于衬底表面的第二方向排列，第二方向与第一方向垂直；形成过渡第三层之后，去除初始堆叠结构在第二方向两侧的部分初始第一层和部分初始第二层，形成堆叠结构，堆叠结构包括第一层、位于第一层上的第二层以及位于第二层上的过渡第三层；形成栅极结构。所述方法形成的半导体结构性能较好。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种基于改进演化博弈模型的多阶段网络防御决策方法-CN202210949423.2在审
发明人： 张恩宁;王刚;郭方;陈彬;李媛;唐剑;蔡丽珍 -专利权人：中国人民解放军空军工程大学
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：本公开是关于一种基于改进演化博弈模型的多阶段网络防御决策方法。该方法包括：构建改进演化博弈模型，并将所述改进演化博弈模型模型中的参数和步长初始化；根据所述改进演化博弈模型中的攻防动态博弈过程，构造复制动态方程并进行求解，得到演化稳定防御策略；重复上述所有步骤，遍历求解所有所述演化稳定防御策略，得到最优防御纯策略集合。本公开能够提高网络防御决策的响应时效性和对观测误差的适应性。
一种基于改进演化博弈模型阶段网络防御决策方法

[发明专利]一种燃料电池尾气引射器-CN202210281983.5有效
发明人：祝银海;陈思坤;李子臻;张恩宁;梅晰洁;赵羽彤 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： F04F5/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种燃料电池尾气引射器，包括壳体、喷嘴和储水器，壳体内设有相互连接的吸入室和混合室，壳体一端设有引射器一次流入口，另一端设有引射器出口；引射器出口与混合室连接；壳体的上壁设有引射器二次流入口，引射器二次流入口与吸入室连接；喷嘴，嵌设在吸入室内，喷嘴与引射器一次流入口连接；喷嘴的喷口位于吸入室和混合室连接处；储水器，设于壳体的下部，与吸入室连接；吸入室内设有套设在喷嘴外壁的液气分离组件，用于分离二次流中的气体和液体，气体经过液气分离组件进入混合室，液体进入储水器；引射器能将引射、汽液分离、尾气冷却三个功能集成到一个装置中，体积小、紧凑，节省了空间。
一种燃料电池尾气引射器

[发明专利]一种基于X光图像的利器检测方法-CN202211513633.3在审
发明人：张恩伟;姬光;张恩宁;尹宇鹤;曹云;张雷雷;谢群;蒙移发 -专利权人：北京声迅电子股份有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种基于X光图像的利器检测方法，包括：根据包含刀具的采集图像，确定在所述采集图像中所述刀具对应的刀具区域；其中，所述采集图像为X光图像；根据所述刀具区域中各像素点的像素坐标以及各像素点的目标颜色分量，确定所述刀具的拟合刀刃角度；以及，根据所述刀具区域中各像素点的目标颜色分量，确定所述刀具的开刃信息；根据所述刀具的拟合刀刃角度以及开刃信息，确定所述刀具是否为利器。上述方案，通过确定出反映在刀刃部分厚度变化的拟合刀刃角度，以及表征上述刀具是否开刃的开刃信息；由于上述两项参数表征了刀具的刀刃部分的危害性，因此根据上述两项参数可以精准地确定出该刀具是否是有危害性的利器。
一种基于图像利器检测方法

[实用新型]一种数控铣床夹具-CN202223094940.0有效
发明人：肖楠;任鹏;鲍明岩;武春晓;张恩宁;李泽源 -专利权人：沈阳工程学院
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： B23Q3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种数控铣床夹具，包括：铣床壳体、基座、轴零件固定机构、盘零件固定机构、块零件固定机构以及切换机构；基座外侧设有第一安装面、第二安装面以及第三安装面，基座前后两侧均活动安装于铣床壳体内壁面；轴零件固定机构固定安装于第一安装面外侧壁面；盘零件固定机构固定安装于第二安装面外侧壁面；块零件固定机构固定安装于第三安装面外侧壁面，通过基座外壁面的第一安装面、第二安装面以及第三安装面连接轴零件固定机构、盘零件固定机构以及块零件固定机构，并通过切换机构使基座旋转，通过基座的旋转使第一安装面、第二安装面以及第三安装面表面的轴零件固定机构、盘零件固定机构以及块零件固定机构进行切换。
一种数控铣床夹具

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110765209.7在审
发明人：谭程;张恩宁;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底内形成第一凹槽，沿平行于所述衬底表面方向上，所述第一凹槽底部尺寸小于顶部尺寸，所述第一凹槽侧壁表面和底部表面之间具有墙角面；在所述第一凹槽侧壁形成有保护层，所述保护层暴露出所述墙角面和所述第一凹槽底部；形成所述保护层后，对所述墙角面进行第一刻蚀工艺刻蚀，以使第一凹槽形成第二凹槽；在所述第二凹槽内形成外延层。所述保护层用于减少对所述第一凹槽侧壁的损伤，减少对所述第一凹槽侧壁的横向刻蚀，利于形成侧壁相对于底部较为垂直的第二凹槽，优化所述第二凹槽的形貌，提高所形成的器件的性能。
半导体结构及其形成方法

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