本发明提出一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)及其制造方法。HEMT包含：基板、第一氮化镓层、P型氮化镓层、第二氮化镓层、阻障层、栅极、源极与漏极。其中，第一氮化镓层形成于基板上，由剖视图视之，第一氮化镓层具有阶梯轮廓，且P型氮化镓层形成于阶梯轮廓的上阶表面上，其具有增强侧壁；第二氮化镓层形成于P型氮化镓层上，阻障层形成于第二氮化镓层上，以使二维电子云(2-D electron gas,2DEG)形成于阻障层与第二氮化镓层间。栅极形成于增强侧壁外，用以接收栅极电压，进而导通或不导通HEMT。
本发明提出一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，HEMT)及其制造方法。高电子迁移率晶体管包含：半导体层，其具有半导体层能带间隙；阻障层，形成于半导体层上，其具有阻障层能带间隙；压电层，形成于阻障层上，其具有压电层能带间隙，其中，压电层能带间隙、阻障层能带间隙、与半导体层能带间隙之间，相互间具有一部分相互重叠与另一部分相互不重叠；栅极，形成于压电层上，用以接收栅极电压，进而导通或不导通HEMT；以及源极与漏极，分别形成于栅极两侧；其中，于除压电层下方外的半导体层与阻障层的至少一部分接面，形成二维电子云(2-D electron gas,2DEG)，且该二维电子云与源极及漏极电连接。
