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[发明专利]一种多结半导体器件光学检测设备和光学检测方法-CN202111229474.X在审
发明人： 张宇荧;莫晓亮;褚君浩;王伟明 -专利权人：江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种多结半导体器件的光学检测设备和方法。所述多结半导体器件光学检测设备包括：移动工作台，用于放置待测多结半导体器件并能够沿第一方向和第二方向移动；多个激发光源，适于同时照射所述多结半导体器件，以使所述多结半导体器件的每一结半导体材料分别产生光致发光；多个图像记录装置，适于分别捕获所述多结半导体器件的每一结半导体材料被激发后发出的辐射光并形成每结半导体材料的图像。根据本申请的多结半导体器件的光学检测设备和光学检测方法，实现了通过一次性检测获得多结半导体器件中的每一结半导体材料的性质，极大地减少了检测的工作量，提高了工作效率。
一种半导体器件光学检测设备方法

[发明专利]一种激光电池及其制备方法-CN202211496537.2有效
发明人： 张宇荧;苟于单;王俊;张玉国;赵武;张立晨;廖新胜 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：一种激光电池及其制备方法，激光电池包括：半导体衬底层；晶格变异缓冲结构；晶格变异缓冲结构包括自下至上依次层叠的第一缓冲单元至第N缓冲单元、以及位于第N缓冲单元背离半导体衬底层一侧的第N+1组分步进层；第一缓冲单元至第N缓冲单元中的任意第n缓冲单元包括自下至上层叠的第n组分步进层和第n组分回调层；第一组分步进层至第N+1组分步进层、第一组分回调层至第N组分回调层中均包含相同的元素组；第一组分步进层至第N+1组分步进层中的晶格调节元素的组分含量逐渐递增；第一组分回调层至第N组分回调层中的晶格调节元素的组分含量逐渐递增；光吸收层。所述激光电池能发射出需要波长，且能实现成本较低、质量较好。
一种激光电池及其制备方法

[发明专利]一种二极管器件结构及其制备方法-CN202110976180.7在审
发明人：王俊;王伟明;张宇荧 -专利权人：江苏宜兴德融科技有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种二极管器件结构及其制备方法，所述二极管器件结构包括：PN结层，所述PN结层包括P型半导体层、N型半导体层和位于P型半导体层、N型半导体层之间的耗尽区；其中，在所述耗尽区内具有多量子阱结构，所述多量子阱结构包括周期性排列的多个量子阱单元，每个量子阱单元包括阱层和垒层；并且所述多量子阱结构中的各个阱层材料的禁带宽度小于所述P型半导体层和N型半导体层材料的禁带宽度。本申请的二极管器件结构及其制备方法，通过在PN结中引入抑制反向漏电流的多量子阱结构，能够在PN结材料的禁带宽度相对较低的情况下实现高的反向击穿电压，同时具有较低的正向导通电压。
一种二极管器件结构及其制备方法

[发明专利]侧向光模式调控高功率半导体器件及其制备方法-CN202211240158.7有效
发明人：谭少阳;刘武灵;张立晨;王俊;郭路安;张宇荧;廖新胜;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：一种侧向光模式调控高功率半导体器件及其制备方法，侧向光模式调控高功率半导体器件包括：位于有源层背离半导体衬底层一侧的热补偿层，热补偿层中具有主开口和沿着慢轴方向分别位于所述主开口两侧副开口组，副开口组与主开口贯通，副开口组包括沿着出光方向排布的若干个副开口；沿着慢轴远离主开口的方向上，副开口的宽度递减，所述副开口的宽度平行于出光方向；正面电极层，正面电极层包括电极注入区，电极注入区位于热补偿层背离半导体衬底层一侧表面、以及主开口和所述副开口组中；热补偿层的导热率小于所述正面电极层的导热率。半导体器件兼顾出光亮度高、光束质量高且成本低、集成度高。
侧向模式调控功率半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法-CN202210812724.0有效
发明人：苗霈;王俊;肖垚;刘恒;张宇荧;郭路安 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直腔面发射半导体发光结构及其制备方法，其中半导体器件包括：半导体衬底层；位于半导体衬底层上的第一布拉格反射镜；位于第一布拉格反射镜背向半导体衬底层一侧的有源层；位于有源层背向第一布拉格反射镜一侧的第二布拉格反射镜，第二布拉格反射镜的反射率大于第一布拉格反射镜的反射率；位于第二布拉格反射镜、有源层和第一布拉格反射镜中的若干开口，相邻的开口之间构成发光柱，发光柱的数量为若干个；光栅层，光栅层位于半导体衬底层背向第一布拉格反射镜的一侧，光栅层至少位于若干个发光柱的底部以及相邻的发光柱之间区域的底部。所述垂直腔面发射半导体发光结构的阵列光束为单模相干且其相位分布可控。
一种垂直发射半导体发光结构及其制备方法

[发明专利]一种纵向载流子调制高功率半导体发光芯片及其制备方法-CN202210477824.2有效
发明人：谭少阳;王俊;张立晨;张宇荧;赵武;赵润;邓国亮;杨火木;周昊;张弘;廖新胜 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;四川大学
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供一种纵向载流子调制高功率半导体发光芯片及其制备方法，其中纵向载流子调制高功率半导体发光芯片包括：有源层；位于有源层上的第一半导体单元层，第一半导体单元层包括接触掺杂层，第一半导体单元层包括至少位于接触掺杂层中且在慢轴方向上排布的若干个电流阻挡区，相邻的电流阻挡区之间的第一半导体单元层作为电流注入区；有源层中的电流密度函数满足：；；其中：，；在腔长方向上任意位置处对应的各所述电流注入区和各所述电流阻挡区的平均电阻率满足：，为的系数。纵向载流子调制高功率半导体发光芯片的阈值电流小，电光转换效率高。
一种纵向载流子调制功率半导体发光芯片及其制备方法

[发明专利]一种超晶格有源层及半导体发光结构的制作方法-CN202210401562.1有效
发明人：程洋;赵武;王俊;郭银涛;谭少阳;张宇荧;于涛 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种超晶格有源层及半导体发光结构的制作方法，在形成任意单层的InxGa1‑xAs膜的过程中采用第一路镓源气体和第二路镓源气体，第二路镓源气体的流量远小于第一路镓源气体的流量；对于厚度不同的多层InxGa1‑xAs膜，第二路镓源气体的平均流量随着InxGa1‑xAs膜的厚度的增加而增加；和/或，在形成任意单层的InyAl1‑yAs膜的过程中采用第一路铝源气体和第二路铝源气体，第二路铝源气体的流量远小于第一路铝源气体的流量；对于厚度不同的多层InyAl1‑yAs膜，所述第二路铝源气体的平均流量随着InyAl1‑yAs膜的厚度的增加而增加。
一种晶格有源半导体发光结构制作方法

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