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[发明专利]具有偶极衬里的弱垂直传输场效应晶体管-CN202180086125.9在审
发明人： A·雷兹尼彻;苗欣;李忠贤;张婧芸 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种半导体结构可以包括底部源漏、顶部源漏、栅极堆叠。顶部源漏在栅极堆叠上方，而底部源漏在栅极堆叠下方。半导体结构还可以包括底部隔离物和顶部隔离物。栅极堆叠在底部隔离物和顶部隔离物之间。底部隔离物和顶部隔离物各自包括偶极衬里。偶极衬里包括第一层和第二层。第二层可以与第一层直接接触。第二层可以由与第一层不同的材料制成。第一层可以由氧化硅制成。第二层可以由氮化硅或氧化铝制成。第一层可以与栅极堆叠、顶部源漏和底部源漏直接接触。
具有衬里垂直传输场效应晶体管

[发明专利]使用场效应晶体管结构中的随机阈值电压变化作为物理不可克隆功能的安全芯片识别-CN202180075766.4在审
发明人： C·J·欧特瑞;A·雷茨尼采克;B·海克马特少塔巴瑞;张婧芸;谢瑞龙 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种半导体结构可以包括一个或多个金属栅极、在一个或多个金属栅极下方的一个或多个沟道、将一个或多个金属栅极与一个或多个沟道分离的栅极电介质层、以及嵌入在栅极电介质层中的高k材料。高k材料和栅极电介质层两者都可以与一个或多个沟道直接接触。高k材料可在一个或多个金属栅极中提供阈值电压变化。高k材料是第一高k材料或第二高k材料。半导体结构可以仅包括嵌入在栅极电介质层中的第一高k材料。半导体结构可以仅包括嵌入在栅极电介质层中的第二高k材料。半导体结构可以包括嵌入在栅极电介质层中的第一高k材料和第二高k材料两者。
使用场效应晶体管结构中的随机阈值电压变化作为物理不可克隆功能安全芯片

[发明专利]具有N/P边界结构的纳米片半导体器件-CN202180084350.9在审
发明人：谢瑞龙;张婧芸;苗欣;A·雷茨尼采克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造纳米片场效应晶体管(FET)器件的方法。该方法包括在衬底上形成多个纳米片堆叠，这些纳米片堆叠包括第一类型牺牲层和有源半导体层的交替层。该方法包括：在这些纳米片堆叠的侧壁上形成该第一类型牺牲层；然后在相邻的纳米片堆叠的该第一类型牺牲层的侧壁部分之间形成电介质柱；并且然后去除该第一类型牺牲层。该方法还包括在通过去除纳米片堆叠中的第一个纳米片堆叠的第一类型牺牲层而形成的空间中形成PWFM层，并且包括在通过去除纳米片堆叠中的相邻的第二个纳米片堆叠的第一类型牺牲层而形成的空间中形成NWFM层。
具有边界结构纳米半导体器件

[发明专利]具有非对称阈值电压的垂直传输CMOS晶体管-CN202180077867.5在审
发明人：安藤崇志;李忠贤;张婧芸;A·雷兹尼采克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/165 文献下载
摘要：提供了一种用于沿着垂直传输场效应晶体管(VTFET)的沟道触发不对称阈值电压的半导体结构。该半导体结构包括：第一组鳍状物，包括SiGe层和形成在SiGe层上的第一材料层；第二组鳍状物，包括SiGe层和形成在SiGe层上的第二材料层；第一高κ金属栅极，设置在第一组鳍状物上方；以及第二高κ金属栅极，设置在第二组鳍状物上方。在第一组和第二组鳍状物的底部处限定的区域中，沿着VTFET的沟道存在非对称阈值电压，并且第二材料层的Ge含量高于SiGe层的Ge含量。
具有对称阈值电压垂直传输 cmos 晶体管

[发明专利]一种基于基因干扰提高柑橘对溃疡病抗性的方法-CN202211563639.1在审
发明人：彭爱红;张婧芸;何永睿;陈善春;李强;姚利晓 -专利权人：西南大学
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C12N15/113 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于基因干扰提高柑橘对溃疡病抗性的方法，通过将柑橘属植物中长链脂肪醇氧化酶CsFAO3基因的部分编码序列即如SEQ ID NO:3所示的序列作为干扰序列，导入干扰载体中，通过农杆菌介导的遗传转化法整合到柑橘基因组中，有效提高柑橘对溃疡病的抗性。本发明的方法可对引起柑橘溃疡病的致病细菌的大部分进行了直接抑制，且所干扰的基因在大大提高柑橘对溃疡病的抗性的同时，最大程度上减少了对柑橘已知品质和性能的不良影响，开辟了柑橘抗溃疡病育种的另外一条途径，促进了柑橘抗溃疡病育种的发展。
一种基于基因干扰提高柑橘溃疡抗性方法

[发明专利]一种利用CsEXPA8基因表达提高柑橘对溃疡病抗性的方法-CN202310450920.2在审
发明人：彭爱红;张婧芸;陈志毅;何永睿;姚利晓;雷天刚 -专利权人：西南大学
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C12N15/84 文献下载
摘要：本发明涉及分子生物学领域，具体涉及一种利用CsEXPA8基因表达提高柑橘对溃疡病抗性的方法；所述方法为降低柑橘属植物中CsEXPA8基因的转录水平，其中降低柑橘属植物中CsEXPA8基因的转录水平是通过RNA干扰（RNAi）实现的。通过这种方法获得的转基因柑橘的叶片接种溃疡细菌部位的病菌细胞的数量降低至现有野生型对照柑橘的16.9%，显著抑制了转基因柑橘中溃疡细菌入侵部位溃疡病菌的生长，提高了柑橘对溃疡病的抗性。
一种利用 csexpa8 基因表达提高柑橘溃疡抗性方法

[发明专利]一种对5′-鸟嘌呤核苷酸和5′-胞嘧啶核苷酸的分离方法-CN201910429106.6有效
发明人：焦朋飞;张婧芸;李文瑜;韦宇平;张鑫;贠佳琦;刘慧敏 -专利权人：南阳师范学院
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C07H19/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种对5′‑鸟嘌呤核苷酸和5′‑胞嘧啶核苷酸的分离方法，涉及超高交联吸附树脂对5′‑鸟嘌呤核苷酸和5′‑胞嘧啶核苷酸的分离技术领域，为解决目前CMP和GMP的分离均采用离子交换法，存在酸碱消耗量大、分离所得产品需要脱盐处理的问题。首先通过不同溶液pH条件下CMP和GMP在超高交联吸附树脂上的吸附平衡实验，选取2.0作为后续固定床分离的上样pH，pH2.0的盐酸作为CMP的洗脱剂，去离子水作为GMP的洗脱剂。然后将CMP和GMP的混合液通入到超高交联吸附树脂固定床中进行吸附，固定床高径比为10:1～25:1，上样量为1mg/g树脂～20mg/g树脂。进而进行CMP和GMP的洗脱，洗脱流速为0.5BV/h～3BV/h，在固定床出口处分别收集CMP和GMP。
一种嘌呤核苷酸胞嘧啶分离方法

[发明专利]相变材料开关及其制造方法-CN202180021718.7在审
发明人：沈添;谢瑞龙;K·布鲁;吴恒;张婧芸 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种相变材料开关，包括设置在金属衬垫上的相变层。栅极介电层设置在所述相变层上。金属栅极衬垫设置在所述栅极介电层上。
相变材料开关及其制造方法

[发明专利]使用PCM材料的多个堆叠体的相变存储器-CN202180010901.7在审
发明人：沈添;吴恒;K.布鲁;张婧芸 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：提出了一种用于改进相变存储器(PCM)单元结构的线性度的方法。所述方法包含：在衬底(10)上方形成底部电极(12)；在所述底部电极(12)上方构造包含多个PCM层的PCM堆叠体(20)，所述PCM层中的每一者具有不同结晶温度；以及在所述PCM堆叠体(20)上方形成顶部电极(32)。结晶温度从底部电极(12)到顶部电极(32)以升序变化。
使用 pcm 材料堆叠相变存储器

[发明专利]纳米片的多阈值电压-CN202111435501.9在审
发明人： 张婧芸;安藤崇志;李忠贤;A·雷茨尼采克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构。该半导体结构包括在衬底上的纳米片堆叠，每个纳米片堆叠包括牺牲半导体材料和半导体沟道材料的交替层以及围绕纳米片堆叠的第一子组的半导体沟道层的结晶化栅极电介质层、在结晶化栅极电介质的顶部上并且包围纳米片堆叠的第一子组的半导体沟道材料层的偶极层、以及由围绕纳米片堆叠的第二子组的半导体沟道层的扩散的偶极材料改性的栅极电介质。一种方法，包括在衬底上形成纳米片堆叠，每个纳米片堆叠包括牺牲半导体材料和半导体沟道材料的交替层，去除纳米片堆叠的组的牺牲半导体材料层，形成围绕纳米片堆叠的半导体沟道层的栅极电介质，以及结晶化纳米片堆叠的子组的栅极电介质。
纳米阈值电压

[发明专利]与电阻式存储器结构组合的垂直传输鳍式场效应晶体管-CN202080007813.7在审
发明人：李忠贤;安藤崇志;A·雷茨尼采克;张婧芸;P·哈什米 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2020-01-28 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：提供了一种电阻式存储器结构。该电阻式存储器结构包括衬底上的垂直鳍部，其中，垂直鳍部的侧壁各自具有{100}晶面。该电阻式存储器结构还包括垂直鳍部上的鳍部模板、以及垂直鳍部上的栅极结构。该电阻式存储器结构还包括在垂直鳍部的相对侧壁上的顶部源极/漏极，以及在顶部源极/漏极上的底部电极层，其中，底部电极层在鳍部模板的相对侧上。该电阻式存储器结构还包括在底部电极层的一部分上的第一中间电阻层、在第一中间电阻层上的顶部电极层及在底部电极层的一部分上的第一电触点。
电阻存储器结构组合垂直传输场效应晶体管

[发明专利]一种油桃复合果蔬功能饮料及制备方法-CN201710438813.2在审
发明人：田龙;张婧芸;王丽 -专利权人：南阳师范学院
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： A23L2/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种油桃复合果蔬功能饮料及制备方法，属饮料生产领域，传统方法制作的油桃饮料不耐存放，营养单调，成本较高，本发明以油桃汁为主料，辅以黄瓜汁、香蕉汁、山楂汁、柠檬汁、猕猴桃汁、南瓜汁并添加中草药、海藻粉、海藻酸钠等调配而成。与传统工艺相比，本工艺生产的饮料配方合理，清香自然，酸甜可口，具有油桃、黄瓜、香蕉、山楂、柠檬、猕猴桃、南瓜的复合风味，原料来源广、价格低、生产简单可行；用巴士杀菌代替高温杀菌，能有效减少营养及风味的损失；添加的海藻粉和中草药含人体必需高不饱和脂肪酸二十碳五烯酸、二十二碳六烯酸等，可降血脂、抗衰老、提高人体免疫力。
一种油桃复合功能饮料制备方法

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