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[发明专利]一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构-CN201410196612.2有效
发明人：魏武;刘鹏;赵红军;张俊业;童玉珍;张国义 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
申请日： 2014-05-10 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构，包括第一通道、第二通道。所述第一通道为等直径或变直径圆柱形通道，所通反应物气体为GaCl；所述第二通道位于第一通道中心位置，所通气体可以是N₂也可以是GaCl与N₂的混合气体；所述第二通道可以为一段圆柱形通道，也可由两段组成，上段为圆柱形，下段为圆台形或倒圆台形，两段相连处直径相等。本发明一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构，通过最佳化两通道中气体流量大小，来改善反应物GaCl在衬底上方附近径向分布的均匀性，以满足较大面积衬底上GaN晶体材料均匀生长之需求。
一种可控反应物均匀分布双通道喷口结构

[发明专利]一种化合物半导体大面积气相外延用喷口分布方式-CN201410110962.2无效
发明人： 张俊业;刘鹏;左然;赵红军;魏武;张国义;童玉珍 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种化合物半导体大面积气相外延（VPE）用的气体喷头喷口交叉密排式分布结构，其特征为：利用惰性气体喷口将第一前驱物喷口和第二前驱物喷口隔离开来，使不同的前驱物在喷口附近相互分离，防止它们在喷口附近发生混合起化学反应导致喷口污染；各个喷口相互独立并且相互交叉排布，使两种前驱物喷出进入混合起反应区域后，便较快均匀混合，形成均匀浓度、流场。从而显著地改善化合物半导体大面积气相外延沉积的均匀性，同时也扩大了外延生长工艺的调空范围，便于调控。
一种化合物半导体大面积外延喷口分布方式

[实用新型]平板零件组合玩具-CN201320842581.4有效
发明人：洪佳文;张俊业 -专利权人：洪佳文;张俊业
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： A63H3/16 文献下载
摘要：一种平板零件组合玩具，是由平面板材经切压机具制成数个不同形状的平板零件，包括至少一身体零件、与至少一肢体零件。在身体零件上，设有至少一个扣环可以和肢体零件相连在一起，在扣环外侧设有切槽，在扣环的环圈上设有窄段部与宽段部。在肢体零件上，设有至少一个密封环，或至少一个与上述结构相同的扣环。肢体零件的密封环可以从身体零件上扣环外侧的切槽扣入扣环的窄段部或宽段部上，当密封环位于窄段部的位置上时，肢体零件可以自由的摆动，当密封环位于宽段部的位置上时，肢体零件可成为一固定角度，并可依操作者的喜好来调整成为其它不同的角度。
平板零件组合玩具

[发明专利]一种用于氢化物气相外延的反应器-CN201410031343.4有效
发明人：魏武;刘鹏;赵红军;张俊业;童玉珍;张国义 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明公开一种用于立式氢化物气相外延（HVPE）的反应器，包括轴对称圆柱型腔体、前驱物通道、衬底、石墨圆盘及支撑杆；其中前驱物通道从上至下依次由第一圆筒、过渡段、第二圆筒、裙体扩展段、第三圆筒组成；该反应器还包括设置在第二圆筒中间位置的第二整流板，设置在第三圆筒内部具有周向阵列折流板的第一折流装置；包括设置在通道第一、第二、第三圆筒内部的第一、第二、第三整流板，以及设置在石墨盘径向外围的第二折流装置；包括对反应式腔体外壁进行径向扩充；包括设置在通道第一、第二圆筒内部的第一、第二整流板，设置在第三圆筒内部与石墨盘径向外围的第一、第二折流装置，以及反应气体的径向出口。
一种用于氢化物外延反应器

[发明专利]一种化合物半导体大面积气相外延用圆环形喷口分布方式-CN201410029034.3在审
发明人： 张俊业;刘鹏;左然;赵红军;魏武;张国义;童玉珍 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
申请日： 2014-01-22 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种化合物半导体大面积气相外延（VPE）用气体喷头喷口的交叉密排式排布结构，其特征为：各同心圆环形喷口采用独立、交叉排布方式，用外环惰性气体喷口隔开第一前驱物喷口和第二前驱物喷口，使各喷口喷出的不同前驱物在喷口附近被相互隔离，防止它们在喷口附近发生混合起化学反应致使喷口污染；而喷口的密集排布结构，使两种前驱物喷出后一离开喷口附近，进入混合起反应区域便较快均匀混合，形成均匀浓度、流场。从而显著地改善化合物半导体大面积气相外延沉积的均匀性，同时也扩大了外延生长工艺的调空范围，便于调控。
一种化合物半导体大面积外延圆环喷口分布方式

[发明专利]一种氮化物半导体材料气相外延用反应器设计及方法-CN201410028993.3有效
发明人：魏武;刘鹏;熊欢;张俊业;赵红军;童玉珍;张国义 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
申请日： 2014-01-22 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体材料气相外延（HVPE）用反应器设计。包括轴对称圆柱型反应腔体、同心圆环喷头、加热器、石墨舟及衬底等；石墨舟及衬底采用电阻丝或红外光照射加热；所述腔体底端外壁的切向设置三至六个矩形横截面的气体出口通道；在该出口通道与腔体内壁之间设置一同心圆环缓冲带；在该出口通道外围设置一同心圆环集流通道；所述各出口通道与集流通道均贯通。本发明反应器设计，使反应物气体在衬底有效生长区域形成一种微旋流，从而显著改善外延生长厚度及其组分均匀性；因省去现有反应器中的石墨舟旋转装置及附属组件，既简化装置、节能、便于维护，还去除旋转运动不稳定对外延生长的不利影响。
一种氮化物半导体材料外延反应器设计方法

[发明专利]一种可控前驱物通道-CN201310601124.0有效
发明人：刘鹏;魏武;赵红军;张俊业;童玉珍;张国义 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
申请日： 2013-11-25 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种氢化物气相外延（HVPE）喷头设计，更具体地是提供了一种可控前驱物通道。所述通道位于悬挂立式或倒置支撑HVPE系统中，该通道包括前驱物进气口、通道顶部固定端、中心控制棒及通道外壁。所述进气口位于通道顶部与通道外壁顶端之间；所示通道顶部内嵌有一竖直螺柱；所述通道中心位置为控制棒，该控制棒分为上、下两段，上段为顶端带内螺纹套孔的圆柱体，下段为圆锥、圆台、倒圆台或圆柱控制端中的一种；所述通道外壁至少包括直径不相同的两个及以上圆筒，其中第一圆筒直径小于第二圆筒直径，两圆筒之间为过渡段，第二圆筒与裙体扩展段的一端相连。本发明提供的可控前驱物通道能使前驱物在衬底表面的径向分布最佳化，同时扩展前驱物流场调控手段。
一种可控前驱通道

[发明专利]一种前驱物流场控制棒-CN201310542018.X有效
发明人：刘鹏;魏武;张俊业;赵红军;童玉珍;张国义 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
申请日： 2013-11-06 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种氢化物气相外延（HVPE）喷头设计，更具体地是提供了一种用于控制前驱物流场的控制棒。在一立式HVPE生长系统的前驱物通道中，所述控制棒包括始段圆环结构，中段实心圆柱体，末段控制端，所述三段同轴。所述圆环结构分为内外两侧，并包含复数个圆形通孔，所述复数个圆形通孔至少一个穿过圆环结构的内外两侧。该圆环结构外径与中段圆柱体直径相等；与中段圆柱体毗邻的末段控制端为圆锥、圆台、倒圆台或圆柱体结构中的一种，所述控制端与中段圆柱体相连处其直径相同。本发明提供的前驱物控制棒能使前驱物径向流场分布的均匀性最佳化，并扩展前驱物流场调控手段。
一种前驱物流控制棒

[实用新型]气相外延材料生长多腔分步式处理装置-CN201220573278.4有效
发明人：袁志鹏;刘鹏;张俊业;王健辉;王永旺;张国义;童玉珍;孙永健 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种气相外延材料生长多腔分步式处理装置，增加反应腔体，针对性制造不同反应腔体，细化利用各种反应腔喷头。本实用新型包含有一个及以上的工艺处理腔，工艺处理腔侧面设有两个及以上的分步HVPE外延生长腔，工艺处理腔与分步HVPE外延生长腔之间设有一个及以上的装载/卸载晶片室，工艺处理腔、装载/卸载晶片室与分步HVPE外延生长腔之间设有传递作用的一个及以上的联动传递结构。本实用新型解决晶体材料生长步骤中热力学、化学反应动力学和不同生长条件沉积速率与反应腔喷头流速控制精度匹配等问题，以高效率批量获得高质量GaN衬底。
外延材料生长分步处理装置

[实用新型]钢轨加热条固定装置-CN201220692526.7有效
发明人：程乃亮;张俊业;隗娜 -专利权人：安徽安泽电工有限公司
申请日： 2012-12-15 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： E01H8/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及钢轨加热条固定装置，由两轨底斜面固定板（2）、长螺栓（5）、短螺栓（6）、侧板（7）、双把手夹（8）构成，其两轨底斜面固定板（2）之间通过长螺栓（5）相连，其右边轨底斜面固定板（2）上方设置一侧板（7），其侧板（7）的左侧设置一双把手夹（8），其侧板（7）与双把手夹（8）之间通过短螺栓（6）相连，本实用新型的有益效果为：节约资源，降低能源消耗，一种卡子可以同时卡数根加热条。而且安装简单，操作简便，施工效率高。
钢轨加热固定装置

[实用新型]新型融雪化冰装置-CN201220692521.4有效
发明人：程乃亮;李义军;张俊业 -专利权人：安徽安泽电工有限公司
申请日： 2012-12-15 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： E01H5/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及新型融雪化冰装置，其特征在于：由控制器（1）、温度传感器（2）、湿度传感器（3）构成，其控制器（1）的上端连接一温度传感器（2）、一湿度传感器（3），其控制器（1）的下端与电源相连，本实用新型的有益效果为：结构简单，应用方便，安全快捷，节省能源。
新型融雪装置

[发明专利]一种材料气相外延用扇形喷头结构-CN201310012409.0有效
发明人： 张俊业;刘鹏;毕绿燕;赵红军;袁志鹏;张国义;童玉珍 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种材料气相外延用扇形喷头结构，使第一前驱物、第二前驱物、各种保护性气体在大面积反应区域内充分混合后形成较为均匀的流场。本发明包含有一个以上进气管道，进气管道上设有检测并控制进气流速和流量的控制器，喷头腔体内设有一个以上扇形的独立隔离区域，隔离区域顶端密封板连接一个进气管道，隔离区域底端的出气挡板上设有一个及以上的气体喷口，喷头下面设有圆形反应腔。本发明实现Ⅲ族-氮化物半导体材料的大批量生产，提高Ⅲ族-氮化物半导体材料的生产效率。
一种材料外延扇形喷头结构

[发明专利]一种材料气相外延用方形喷头结构-CN201310012395.2有效
发明人： 张俊业;刘鹏;毕绿燕;赵红军;袁志鹏;张国义;童玉珍 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种材料气相外延用方形喷头结构，解决在较大的衬底和较大的沉积区域之上提供均匀的前驱物混合问题。本发明方形喷头内设有多个相互独立的隔离区域，隔离区域呈上下结构依层排布，方形喷头顶部设有与隔离区域连通的输入管道，隔离区域底部设有多个气体喷管，气体喷管的喷口设于方形喷头底部。本发明通过方形的喷头结构，独立的隔离区域，以及多个喷头联合使用的方式，可使前驱物以及各种气体混合后均匀沉积在衬底表面，并提高生产效率。
一种材料外延方形喷头结构

[发明专利]一种高温环境下使用的液位控制装置-CN201210559376.7有效
发明人：赵红军;刘鹏;孔健文;毕绿燕;张俊业;张国义;童玉珍;孙永健;廉宗隅 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G05D9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温环境下使用的液位控制装置，其耐高温，结构简单，成本低廉。本发明包含有液源容纳区，液源容纳区通过进液通道连通液槽，液源容纳区的液面高于液槽的液面，进液通道内设有密封模块，密封模块与进液通道可密闭配合，密封模块连接控制模块，控制模块位于液槽内，控制模块将液位信息转化为信号传递到密封模块，控制模块传递给密封模块的的信号是力信号、位置信号、形变信号，控制模块上设有一个及以上可增减或更换的重块。本发明通过选材、原理结构和密封面处理，实现了对高温液体的液位控制。
一种高温环境使用控制装置

[发明专利]一种材料气相外延用同心圆环喷头结构-CN201310012478.1无效
发明人： 张俊业;刘鹏;毕绿燕;赵红军;袁志鹏;张国义;童玉珍 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
申请日： 2013-01-14 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种材料气相外延用同心圆环喷头结构，解决在较大的衬底或多片衬底的晶体生长中，在大面积沉积区域提供前驱物混合气体的均匀流场问题。本发明包含有一个以上独立的进气管道，进气管道上设有监控调节进气流速和流量的控制器，喷头底部设有出气挡板，喷头内设有一个以上同心圆环，各同心圆环之间形成独立腔体并且相互隔离，各同心圆环顶端连接一个独立的进气管道，各同心圆环底端的出气挡板上设有一个及以上的出气孔。本发明通过各路气源彼此隔离并独立管控，以及多个喷头集成使用的方式，明显改善大面积沉底的生长晶体质量，大幅提高生产效率。
一种材料外延同心圆环喷头结构