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[发明专利]CMOS器件寿命预测方法、装置、电子设备及介质-CN202211039166.5有效
发明人：赵东艳;梁英宗;陈燕宁;邵瑾;张东嵘;鹿祥宾;付振;刘芳 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种CMOS器件寿命预测方法、装置、电子设备及介质。其中CMOS器件寿命预测方法包括：获取CMOS器件在加速应力试验下电参数的时间序列样本数据集，所述时间序列样本数据集包括表征所述CMOS器件寿命的电参数退化量的时间序列样本数据；基于所述时间序列样本数据集得到训练集；用所述训练集训练时序模型，获得寿命预测模型；用所述寿命预测模型预测所述CMOS器件的失效时间。上述技术方案减少了现有技术中因对CMOS器件进行完整的加速应力试验以确定其使用寿命的时间成本，提高了产品质检效率，缩短了CMOS器件的生产周期，解决了CMOS器件生产效率低的问题。
cmos 器件寿命预测方法装置电子设备介质

[发明专利]半导体器件失效时刻预测方法、装置、设备及介质-CN202210740098.9有效
发明人：赵东艳;王于波;梁英宗;陈燕宁;鹿祥宾;张东嵘;付振;刘芳;闫振华;张庆平;夏绪卫 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网宁夏电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种半导体器件失效时刻预测方法、装置、设备及介质。本公开实施例提供的半导体器件失效时刻预测方法，包括：获取所述半导体器件的静态参数的第一阶段测试数据，其中，所述测试数据为时间序列数据；基于所述第一阶段测试数据和预先构建的差分整合移动平均自回归ARIMA模型得到所述半导体器件的第二阶段预测数据；基于所述半导体器件的第二阶段预测数据确定所述半导体器件的失效时刻。本公开实施例的技术方案解决了现有的HCI测试耗时过长，无法满足工业生产过程中产品数量大、工期紧的需求的技术问题，大幅缩短了半导体器件失效时刻的获取时长，降低了测试成本，提高了测试效率。
半导体器件失效时刻预测方法装置设备介质

[发明专利]MOS器件寿命预测方法、装置、电子设备、介质及程序产品-CN202211036892.1有效
发明人：赵东艳;王于波;梁英宗;陈燕宁;张东嵘;鹿祥宾;付振;刘芳 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种MOS器件寿命预测方法、装置、电子设备、介质及程序产品。所述MOS器件寿命预测方法包括：获取MOS器件在老化实验条件下的指标参数偏离初始值预定范围的参数退化量数据，并建立参数退化量时间序列；根据时间序列分解算法处理所述参数退化量时间序列得到分解后的数据；将所述分解后的数据作为样本数据，并利用所述样本数据训练Holt‑Winters模型；利用训练后的所述Holt‑Winters模型对所述MOS器件进行寿命预测。上述技术方案减少了现有技术中因对MOS器件进行完整的加速应力实验以确定其使用寿命的时间成本，提高了产品质检效率，缩短了MOS器件的生产周期，解决了MOS器件生产效率低的问题。
mos 器件寿命预测方法装置电子设备介质程序产品

[发明专利]存储电路、芯片、数据处理方法和电子设备-CN202110750668.8在审
发明人：张俊谋;张东嵘;卢山;王剑 -专利权人：脸萌有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种存储电路、芯片、数据处理方法和电子设备。存储电路包括：输入控制电路和存储器。输入控制电路被配置为：接收n个输入数据和输入控制信号；基于输入控制信号，对n个输入数据进行第一数据处理，以得到与n个输入数据一一对应的n个中间数据；将n个中间数据和与n个输入数据对应的标志信号写入存储器；存储器被配置为存储n个中间数据和标志信号；标志信号的不同值分别表示第一数据处理的不同类型，n为正整数。
存储电路芯片数据处理方法电子设备

[发明专利]脉冲信号宽度测量装置、方法、系统和介质-CN202110736084.5在审
发明人：张俊谋;张东嵘;卢山;王剑 -专利权人：脸萌有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G01R29/02 文献下载
摘要：提供脉冲信号宽度测量装置、方法、系统和介质。该装置包括：缓冲器链路，包括N个第一缓冲器、一输入端连接脉冲信号且另一输入端连接相应第一缓冲器的输出的N个第一与门、和与每个第一与门的输出端耦合的相应的N个触发器，而且N个第一缓冲器首尾相连；路径时延调节电路，其中路径时延调节电路的输入端接收脉冲信号，路径时延调节电路的输出端连接到第一个缓冲器的输入端；控制装置，在每次调节时根据预设调节步长控制路径时延调节电路产生的延时从预设时延减少至少一个预设调节步长，直到第P个触发器的输出改变；测量装置，至少根据各个触发器的输出端输出的结果和每个第一缓冲器的延时、路径时延调节电路的延时，来测量脉冲信号的宽度。
脉冲信号宽度测量装置方法系统介质

[发明专利]供电电压检测器、供电电压检测装置、系统和介质-CN202110480175.7在审
发明人：张俊谋;张东嵘;卢山;王剑 -专利权人：脸萌有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：提供供电电压检测装置、系统、检测器和检测方法。该装置连接到集成电路电源网络上，包括：供电电压检测器，包括：N个缓冲器，其中第一缓冲器的输入端连接到时钟信号，其他缓冲器的输出端和紧挨的缓冲器的输入端互相连接；N条锁存器链，每条包括M个锁存器，每个锁存器的时钟输入端连接到时钟信号，每条锁存器链的第一锁存器的D端连接到对应的缓冲器的输出端，其他锁存器的Q和紧挨的锁存器的D端互相连接，M、N是正整数，每个锁存器的D端连接到集成电路电源网络中要检测供电电压的区域，每个锁存器的接地端连接到地；和电压调节模块，连接到每个锁存器的Q端，被配置为检测每个锁存器的数据输出来确定供电电压的大小。
供电电压检测器检测装置系统介质

[发明专利]器件击穿电压确定方法、装置、芯片、电子设备及介质-CN202210944521.7有效
发明人：赵东艳;付振;梁英宗;王于波;陈燕宁;张东嵘;成睿琦;王凯;杨剑;杜艳 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国网山东省电力公司营销服务中心（计量中心）;国家电网有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种器件击穿电压确定方法、装置、芯片、电子设备及介质，所述器件击穿电压确定方法包括：获取器件在不同条件下的多条击穿电压特性曲线；获取所述多条击穿电压特性曲线对应的时间序列数据Y；基于普雷斯科特HP滤波法对所述时间序列数据Y进行滤波，得到所述时间序列数据Y中的周期项C；基于匹配算法确定所述周期项C的特征点；基于所述特征点确定所述器件击穿电压的置信区间。采用本公开实施例的技术方案，能够解决现有技术中人工提取击穿电压参数时效率低、误差大的技术问题，实现了器件击穿电压的自动提取，提取效率高、精度高。
器件击穿电压确定方法装置芯片电子设备介质

[发明专利]防止集成电路和知识产权核剽窃的动态混淆封装接口-CN201810581098.2有效
发明人： 张东嵘;苏东林 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： G06F21/85 文献下载
摘要：一种防止集成电路和知识产权核剽窃的动态混淆封装接口,其特征在于：动态混淆封装接口(1A)由功能单元输入封装接口(10A)、功能单元输出封装接口(10B)、扫描链输入封装接口(10C)、扫描链输出封装接口(10D)、有限状态机集合(10E)和混淆逻辑单元集合(10F)构成；动态混淆封装接口(1A)受到内部密钥寄存器(20D)和外部密钥寄存器(20E)的控制，只有当来自内部密钥寄存器(20D)和外部密钥寄存器(20E)的信号使得动态混淆封装接口(1A)输入输出信号完全一致时，动态混淆封装接口(1A)才会被正确解锁，使用者才能使用IP核或集成电路进行测试或者激活。
防止集成电路知识产权剽窃动态混淆封装接口

[发明专利]防止集成电路知识产权剽窃的动态混淆封装接口控制单元-CN201810581099.7有效
发明人： 张东嵘;苏东林 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： G06F21/85 文献下载
摘要：一种防止集成电路知识产权剽窃的动态混淆封装接口控制单元，其特征在于，包括：指纹生成器(20A)、线性移位寄存器(20B)、结果验证单元(20C)、内部密钥寄存器(20D)和外部密钥寄存器(20E)；对动态混淆封装接口(1A)进行控制，并验证IP核或者集成电路的测试结果；动态混淆封装接口(1A)受到内部密钥寄存器(20D)和外部密钥寄存器(20E)的控制，只有当来自内部密钥寄存器(20D)和外部密钥寄存器(20E)的信号使得动态混淆封装接口(1A)输入输出信号完全一致时，所设计的动态混淆封装接口(1A)才会被正确解锁，使用者才能使用IP核或集成电路进行测试或者激活。
防止集成电路知识产权剽窃动态混淆封装接口控制单元

[发明专利]一种提升高性能集成电路产出的速度分级优化结构及方法-CN201610675912.8有效
发明人：王晓晓;张东嵘;苏东林;谢树果 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2016-08-16 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种提升高性能集成电路产出的速度分级优化结构及方法，该结构内嵌在集成电路中，其特征在于：集成电路芯片包含N条关键路径，关键路径A、关键路径B、……及关键路径N，它们共同构成一个关键路径集合{A,B...N}，这N条路径的时延决定了集成电路的速度等级。所采用的方法为：1、选择关键路径；2、集成电路速度分级优化结构的插入；3、在频率分界F_i下对集成电路芯片进行测试；4、获得原始的速度分级结果；5、进行速度分级优化；6、在频率分界F_i下重新进行测试；7、重新划分被测集成电路芯片的速度等级；8、决定速度等级并计算速度分级优化率；9、标定集成电路芯片的速度等级以及工作频率。
关键路径速度分级集成电路芯片优化结构集成电路高性能集成电路分界测试工作频率标定内嵌时延优化集合

[发明专利]防止利用扫描链攻击集成电路芯片的动态混淆扫描链结构-CN201611168906.X有效
发明人：王晓晓;张东嵘;苏东林;陈爱新 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： G01R31/3167 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止利用扫描链攻击集成电路芯片的动态混淆扫描链结构，该结构由控制单元(1A)，线性反馈移位寄存器(1B)，遮蔽链(1C)和异或门集合(1D)构成。该结构是纯数字元器件构成，内嵌在集成电路中，能够混淆集成电路芯片中的扫描链结构，从而测试者拿到的输入激励和输出响应都是经过混淆的，攻击者难以得知真正的测试输入输出以及扫描链结构，达到保护集成电路芯片的目的。本发明所公开的结构可以保护集成电路芯片免受基于扫描链的非破坏芯片式的攻击，防止芯片内部敏感信息泄露，同时其所需要的额外面积和功耗很低，对原有集成电路芯片的设计及测试流程影响很小，不会增加测试时间。
集成电路芯片扫描链结构混淆扫描链攻击测试线性反馈移位寄存器测试流程敏感信息输出响应输入激励纯数字非破坏面积和芯片式异或门元器件功耗内嵌遮蔽集成电路集合泄露芯片输出

[发明专利]一种新型集成电路芯片的片上电源噪声自主调节系统及其调节方法-CN201510496135.6有效
发明人：苏东林;张东嵘;王晓晓 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型集成电路芯片的片上电源噪声自主调节系统及调节方法，该系统由调节触发器、数据选择器和自适应控制模块组成，调节触发器与数据选择器连接在延时敏感路径上，自适应控制模块与数据选择器连接。该系统能够根据实时的电源噪声对延时敏感路径进行调节，从而避免因为电源噪声造成的路径输出错误。本发明设计的片上电源噪声自主调节系统对芯片的影响较小，且调节方便，能够用来在片上实时调节削弱电源噪声对芯片的影响，保证芯片正常运行。
一种新型集成电路芯片电源噪声自主调节系统及其方法

[发明专利]一种适用于集成电路芯片的片上电源噪声峰值测量系统及其测量方法-CN201510496187.3有效
发明人：王晓晓;张东嵘;苏东林 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2015-08-13 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： G01R31/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于集成电路芯片的片上电源噪声峰值测量系统及测量方法，该电源噪声峰值测量系统通过电阻分压、反相器放大、触发器采样产生数字签名的过程，来实时测量集成电路芯片上的电源网络中的各个区域的电源噪声峰值，并配合自适应控制模块对测量峰值进行调节处理，从而降低电源噪声对集成电路芯片性能的影响。本发明设计的电源噪声峰值测量系统测量精度较高、对芯片影响较小，因而可以单独用作芯片监测或者测试使用，降低电源噪声对芯片的干扰。
一种适用于集成电路芯片电源噪声峰值测量系统及其测量方法

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