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[发明专利]半导体装置-CN201810011510.7有效
发明人： 廖文甲;刘滢溱;江承庭 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置包含主动层、源极电极、漏极电极、栅极电极、源极垫、漏极垫与至少一源极外部连接元件。源极电极、漏极电极与栅极电极置于主动层的主动区上。源极垫电性连接至源极电极，并包含本体部、多个分支部与至少一电流分散部。本体部至少部分置于主动区并沿着第一方向延伸。分支部沿着第二方向延伸，第二方向不同于第一方向。电流分散部连接本体部与分支部，并沿着第一方向延伸。电流分散部的宽度大于任一分支部的宽度且小于本体部的一半宽度。漏极垫电性连接至漏极电极。源极外部连接元件置于本体部上且与电流分散部分开。
半导体装置

[发明专利]半导体结构-CN201810449892.1有效
发明人： 廖文甲;刘滢溱;江承庭 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体结构，包括：半导体装置、第一导电层以及栅极通路。半导体装置包括上表面、栅极端、源极端以及漏极端。第一导电层放置上表面且耦接至源极端。栅极通路与第一导电层相互重叠且耦接至栅极端，栅极通路以及第一导电层用以产生栅极端以及源极端之间的寄生电容。
半导体结构

[发明专利]具有减小的导通电阻的横向功率器件-CN201980068467.0在审
发明人： 廖文甲;曹建军;刘芳昌;M·沙玛 -专利权人：宜普电源转换公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种具有用于低导通电阻的金属互连布局的横向功率半导体器件。金属互连布局包括第一、第二和第三金属层，每个金属层包括源极条和漏极条。第一、第二和第三金属层中的源极条电连接。第一、第二和第三金属层中的漏极条电连接。在一个实施例中，第一金属层和第二金属层是平行的，并且第三金属层垂直于第一金属层和第二金属层。在另一个实施例中，第一金属层和第三金属层是平行的，并且第二金属层垂直于第一金属层和第三金属层。非导电层确保焊接凸点仅电连接至源极条或仅电连接至漏极条。因此，存在多个可用路径，并使电流能够采用多个可用路径中的任何一个。
具有减小通电横向功率器件

[发明专利]半导体装置-CN201510386621.2有效
发明人： 廖文甲 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置包含基板、主动层、源极、漏极、栅极、场板、第一保护层与金属层。主动层置于基板上。源极与漏极分别电性连接主动层。栅极置于源极与漏极之间，并置于主动层上方。场板置于主动层上方，且置于栅极与漏极之间。第一保护层覆盖栅极与场板。金属层置于第一保护层上，置于栅极与场板上方，且电性连接源极。本发明的半导体装置通过金属层以调整栅极‑源极电容(Cgs)。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201911147883.8在审
发明人： 廖文甲 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。该半导体装置包含基板、沟道层、间隔层、阻挡层、氧化披覆层、源极与漏极、栅极以及保护层。沟道层置于基板上或上方并具有二维电子气通道。间隔层置于沟道层上。阻挡层置于间隔层上。氧化披覆层置于阻挡层上，材质为氮氧化物。源极与漏极置于阻挡层上或上方。栅极至少置于氧化披覆层上或上方并位于源极与漏极之间。保护层置于氧化披覆层上。本发明的半导体装置中，披覆层的缺陷可减少，因此披覆层的表面为平坦表面，更进一步地，氧化工艺可将披覆层去极化，如此一来，氧化披覆层的缺陷可进一步地被减少，再加上，因氧化披覆层被去极化，因此其表面为平坦表面，成长于氧化披覆层上的其他层的品质也可被改善。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201510430964.4有效
发明人： 廖文甲 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种半导体装置包含基板、主动层、晶体管与电容。主动层置于基板上。主动层区隔出第一部分与第二部分。晶体管包含主动层的第一部分、源极、漏极与栅极。源极与漏极分别电性连接第一部分。栅极置于第一部分上并置于源极与漏极之间。电容包含主动层的第二部分、第一电极、第一绝缘层与第二电极。第一电极电性连接第二部分与晶体管的源极。第一绝缘层置于第二部分上。第二电极置于第一绝缘层上并电性连接晶体管的栅极。本发明实施例的技术方案通过电容以增加晶体管的栅极‑源极电容，从而降低半导体装置的米勒比例，使半导体装置的操作状态更佳，较容易实现高频工作，且可最小化击穿电流值。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201510341383.3有效
发明人： 廖文甲 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2015-06-18 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置包含基板、有源层、源极、漏极、栅极、第一金属层与第二金属层。有源层置于基板上。源极与漏极分别电性连接有源层。栅极置于有源层上并置于源极与漏极之间。栅极具有第一延伸部，往漏极延伸。第一金属层部分置于栅极的第一延伸部与有源层之间，并往漏极延伸，使得另一部分的第一金属层突出于第一延伸部。第一金属层与源极电性连接。第二金属层置于栅极的第一延伸部上方，并往漏极延伸，使得另一部分的第二金属层突出于第一延伸部。第二金属层与源极电性连接。本发明的半导体装置通过增加栅极与源极之间的电容值，以降低半导体装置的米勒因子。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201510274081.9有效
发明人： 廖文甲 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了半导体装置，包含第一晶体管与第二晶体管。第一晶体管包含第一电极、第二电极以及控制电极。第二电极用以接收第一预定电压。控制电极用以接收输入信号。第二晶体管包含第一电极、第二电极、控制电极以及控制垫。第二晶体管的第一电极用以接收第二预定电压。第二晶体管的第二电极电性耦接至第一晶体管的第一电极。控制垫设置于第二晶体管的第一电极与第二晶体管的控制电极之间，并用以接收第一调整信号。此半导体装置在电路使用上可被等效成一由两元件构成的串叠电路，上述串叠电路可提通过多个设置方式调整等效栅极‑漏极电容，因此可被广泛地利用于对导通损失有不同需求的应用上。
晶体管第一电极第二电极控制电极半导体装置预定电压控制垫串叠电路接收输入信号导通损失等效栅极电路使用电性耦接调整信号设置方式电容漏极并用应用

[发明专利]电源半导体装置及其制造方法-CN201410376769.3有效
发明人：林立凡;廖文甲 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明提供一种电源半导体装置及其制造方法。上述电源半导体装置包括一基板；一主动层，设置于上述基板上；一栅极，设置于上述主动层上；一第一电极和一第二电极，设置于上述主动层上，且位于上述栅极的二个相对侧；一第一金属图案，耦接至上述第一电极；一第二金属图案，耦接至上述第二电极；一第一绝缘层，设置于上述第一金属图案和上述第二金属图案上；一第三金属图案，覆盖上述第一绝缘层，耦接至上述第二金属图案，其中上述第三金属图案和上述第一绝缘层之间的一界面为一实质平坦表面。
电源半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置封装体-CN201410161971.4有效
发明人：林立凡;廖文甲 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种半导体装置封装体包含基板、晶体管与导线架。晶体管置于基板上。晶体管包含有源层、至少一源极、至少一漏极、至少一栅极、第一绝缘层、第一源极垫、第一漏极垫、至少一源极插塞与至少一漏极插塞。源极、漏极皆位于有源层上。源极与漏极在有源层上的正投影分别形成源极区域与漏极区域。第一绝缘层至少覆盖部分源极与部分漏极。第一源极垫位于第一绝缘层上，且第一源极垫在有源层上的正投影形成源极垫区域。源极垫区域与漏极区域至少部分重叠。第一漏极垫位于第一绝缘层上。导线架置于基板相对晶体管的一侧，且电性连接栅极。
半导体装置封装

[发明专利]半导体装置与其制造方法-CN201610581300.2在审
发明人：薛清全;彭柏瑾;廖文甲;陈世鹏 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置与其制造方法。该半导体装置包含基板、多个三五族氮化物半导体层、源极、栅极、漏极以及掺杂层。三五族氮化物半导体层置于基板上，且二维电子气通道形成于三五族氮化物半导体层中。源极、栅极与漏极置于三五族氮化物半导体层上。栅极位于源极与漏极之间，源极与漏极电性连接至二维电子气通道，且自源极至漏极定义一水平方向。掺杂层置于栅极与三五族氮化物半导体层之间。掺杂层包含多个掺杂物，且掺杂物的浓度沿着水平方向变化。
半导体装置与其制造方法

[发明专利]照明装置及产生白光的方法-CN201210112291.4有效
发明人： 廖文甲;林立凡;薛清全;陈世鹏 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种照明装置及产生白光的方法，该照明装置包含第一发光元件、第二发光元件以及第三发光元件。第三发光元件所发出的光与第一发光元件和第二发光元件所发出的光选择性地混合，以形成色度座标点大致位于黑体曲线上的白光，其中第三发光元件所发出的光颜色由第一发光元件及第二发光元件的发光波长与白光色温的相应座标点的线性关系所决定。本发明可防止白光的颜色有明显偏差的情形发生。
照明装置产生白光方法

[发明专利]半导体装置-CN201310410699.4有效
发明人：林立凡;廖文甲 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2013-09-10 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：一种半导体装置包括有源层、至少一源极、至少一漏极、至少一栅极、第一绝缘层、第一源极垫、第一漏极垫、至少一源极插塞与至少一漏极插塞。源极与漏极皆位于有源层上，且源极与漏极在有源层上的正投影分别形成源极区域与漏极区域。第一绝缘层至少覆盖部分源极与部分漏极。第一源极垫与第一漏极垫皆位于第一绝缘层上，且第一源极垫在有源层上的正投影形成源极垫区域。源极垫区域与漏极区域至少部分重叠，且源极垫区域与漏极区域形成的重叠面积小于或等于40%的漏极区域的面积。
半导体装置

[发明专利]半导体装置与其的制造方法-CN201510274000.5在审
发明人： 廖文甲 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包含基板、沟道层、间隔层、阻挡层与氧化披覆层。沟道层置于基板上。间隔层置于沟道层上。阻挡层置于间隔层上。氧化披覆层置于阻挡层上。氧化披覆层的材质为氮氧化物。本发明的半导体装置中，披覆层的缺陷可减少，因此披覆层的表面为平坦表面，更进一步地，氧化工艺可将披覆层去极化，如此一来，氧化披覆层的缺陷可进一步地被减少，再加上，因氧化披覆层被去极化，因此其表面为平坦表面，成长于氧化披覆层上的其他层的品质也可被改善。
半导体装置与其制造方法

[发明专利]半导体装置与其的制造方法-CN201510288705.2在审
发明人： 廖文甲 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种半导体装置包含基板、有源层、源极、漏极、P型掺杂层、栅极、第一保护层以及场板。有源层置于基板上。源极与漏极置于有源层上。P型掺杂层置于有源层上且置于源极与漏极之间。P型掺杂层具有第一厚度。栅极置于P型掺杂层上。第一保护层至少覆盖栅极与有源层。场板置于第一保护层上且电性连接至源极。场板包含场分散部，置于栅极与漏极之间。第一保护层于场分散部与有源层之间具有第二厚度。第二厚度小于第一厚度。
半导体装置与其制造方法

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