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[发明专利]一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法-CN201110423372.1有效
发明人：韩德栋;蔡剑;王薇;王亮亮;王漪;张盛东;任奕成;刘晓彦;康晋锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-12-16 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。本发明在顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备过程中，将沟道区、栅介质层和栅电极层一起剥离，工艺步骤简单，且沟道层、栅绝缘介质层和栅电极层这三层是在真空条件下连续生长的，节约制造成本，且减小了空气、灰尘等外界杂质对各层薄膜的污染，有效提高氧化锌薄膜晶体管器件的性能。
一种氧化锌薄膜晶体管制备方法

[发明专利]具有交叉阵列结构的阻变存储器及制备方法-CN201110452944.9无效
发明人：高滨;康晋锋;刘力锋;刘晓彦 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有交叉阵列结构的阻变存储器及制备方法，涉及半导体集成电路及其制造技术领域，所述存储器包括：硅衬底，在所述硅衬底上设有第一隔离层，在所述第一隔离层上设有至少一个与其垂直的纳米柱，绕所述纳米柱的侧壁一周设有阻变氧化层，绕所述阻变氧化层的外侧壁一周设有从下至上间隔设置的金属层和第二隔离层，所述纳米柱的材料为金属。本发明通过按照一定的结构设置，实现了在不增加工艺复杂度的情况下，提供了一种适合于三维集成的阻变存储器。
具有交叉阵列结构存储器制备方法

[发明专利]一种氧化锌基肖特基薄膜晶体管-CN201010547529.7无效
发明人：韩德栋;王漪;张盛东;孙雷;张韬;任奕成;康晋锋;刘晓彦;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-11-17 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化锌基肖特基薄膜晶体管，属于半导体技术领域。该氧化锌基肖特基薄膜晶体管包括一栅电极，一栅绝缘介质层，一半导体导电沟道区，一源区和一漏区，所述栅电极位于玻璃或者塑料衬底之上，所述栅绝缘介质层位于玻璃和栅电极之上，所述半导体导电沟道层位于覆盖栅电极的栅介质之上，面积小于栅介质面积。所述源区和漏区在沟道区两端并与沟道区相交叠，所述源区和漏区的金属接触为肖特基金-半接触，并且源区和漏区的金属使用的材料不同，在氧化锌薄膜晶体管的源端形成高肖特基势垒，漏端形成低肖特基势垒。本发明可以有效地降低氧化锌薄膜晶体管的关态电流并提高开态电流。
一种氧化锌基肖特基薄膜晶体管

[发明专利]神经元器件和神经网络-CN201010519997.3有效
发明人： 康晋锋;高滨;陈冰;张飞飞;陈沅沙;刘力锋;刘晓彦;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本申请提供了一种神经元器件及神经网络，该神经元器件包括底电极层、顶电极层、以及夹在底电极层和顶电极层之间的阻变材料层，其中，神经元器件在施加恢复脉冲时转变为正常态，而在施加刺激脉冲时转变为兴奋态。神经元器件具有对刺激脉冲的幅度、宽度及个数的综合响应，提供权重部分和运算部分的功能。该神经元器件结构简单，便于集成，并且与传统硅基CMOS工艺兼容，非常适合大规模生产，可以实现多种生物功能和复杂的逻辑运算。
神经元器件神经网络

[发明专利]一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法-CN201110401730.9有效
发明人：王漪;蔡剑;王薇;韩德栋;王亮亮;任奕成;张盛东;刘晓彦;康晋锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法。本发明的方法仅需要3块掩膜版，利用三次光刻制备出氧化锌薄膜晶体管；采用自对准方法将沟道区外的栅介质层和栅电极的这两层光刻胶一起剥离，然后对暴露出的沟道区两端的半导体层进行处理减小其电阻以形成低电阻的源区和漏区。本发明由于实现栅介质层和栅电极的自对准，从而有效地减小寄生电容、寄生电阻，提高栅控能力，对提高薄膜晶体管器件自身性能和实现高速薄膜晶体管电路等具有积极效果，同时大大的降低了工艺难度，节约制造成本，提高成品率。
一种对准氧化锌薄膜晶体管制备方法

[发明专利]利用RRAM器件实现逻辑运算的方法-CN201110341491.2有效
发明人：刘力锋;于迪;黄鹏;陈冰;高滨;马龙;康晋锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用RRAM器件实现逻辑运算的方法，包括：将两个RRAM器件相互串联或并联连接；将所述两个RRAM器件串联或并联后的两端作为电阻网络端口；对所述两个RRAM器件的电极端施加逻辑运算信号；由所述两个电阻网络端口之间的电阻状态参量得到逻辑运算结果。本发明提供了一种利用RRAM器件实现逻辑运算的新技术，将可以简化逻辑电路，提高电路集成度。
利用 rram 器件实现逻辑运算方法

[发明专利]测试阻变随机访问存储器件的数据保持特性的方法-CN201010275600.0有效
发明人：刘力锋;张浩炜;高滨;康晋锋;刘晓彦;王漪;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种测试RRAM器件的数据保持特性的方法，包括以下步骤：a)控制样品台的温度，将RRAM器件保持为预定的温度；b)将RRAM器件设置为高阻态或低阻态；c)向RRAM器件施加预定的测试电压，使其发生电阻态失效，以测量数据保持时间；d)重复步骤a)-c)，进行多次测量；e)利用多次测量的数据保持时间，计算出RRAM器件的电阻态失效概率F(t)；以及f)对电阻态失效概率F(t)进行拟合，并利用拟合得到的参数进一步计算出预期数据保持时间tE。优选地，利用电压加速和温度加速相结合预测RRAM器件的数据保持时间。该测试方法可以准确且快速地评估RRAM器件的数据保持特性。
测试随机访问存储器件数据保持特性方法

[发明专利]一种塑料衬底上制备薄膜晶体管的制备方法-CN201110406897.4无效
发明人：韩德栋;王薇;蔡剑;王漪;张盛东;王亮亮;任奕成;刘晓彦;康晋锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种在塑料衬底上制备薄膜晶体管的制造方法，该方法首先在塑料衬底上引入一层隔离层可以避免外界湿气等环境影响，然后在隔离层上引入一层绝缘层可以屏蔽外界环境对薄膜晶体管电学特性的干扰。本发明在塑料衬底上制备薄膜晶体管的方法有效的抑制了外界环境的影响，对提高薄膜晶体管器件的性能具有积极效果，改善了器件性能，提高了成品率。
一种塑料衬底制备薄膜晶体管方法

[发明专利]大面积制备染料敏化太阳能电池中复合金属网格与背电极的隔离方法-CN201110195043.6无效
发明人： 康晋锋;王旭;陆自清;杨飞;刘力锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明提供一种大面积制备的染料敏化太阳能电池中复合金属网格与背电极的隔离方法。其包括以下步骤：1)在透明导电玻璃上溅射Ti和Al的复合金属网格；2)利用TiO2浆料采用丝网印刷的方法在透明导电基底上制备TiO2纳米颗粒薄膜；3)将印刷了TiO2浆料的基底加热，使得TiO2浆料中的有机物充分挥发或氧化，利用复合金属网格上层Ti金属的氧化物作为隔离层。本发明提供的方法有效地解决了染料敏华太阳能电池封装中Al金属网格与电解液的隔离，避免了DSSC内部短路的问题；并且采用了价格低廉的Al、Ti金属替代了现有工艺中的Pt、Au等贵重金属，为DSSC进行工业化大生产奠定了坚实的基础。
大面积制备染料太阳能电池复合金属网格电极隔离方法

[发明专利]多阻态阻变存储器及利用其实现多阻态的方法-CN201110279718.5无效
发明人：刘力锋;于迪;高滨;陈冰;张飞飞;康晋锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种多阻态阻变存储器，自上而下包括：顶电极、阻变层和底电极，其中所述阻变层为氧化物。本发明还提供了一种利用上述存储器实现多阻态的方法。本发明多阻态阻变存储器是一种基于SiO2材料的MIM结构的器件，在适当的操作方法下该器件可以产生多级电阻态，能够在一个单元内实现多位存储，且能提高存储器的存储密度。多阻态阻变存储器的阻变层采用基于SiO2的材料，具有工艺简单，与CMOS工艺兼容性好的优点。
多阻态阻变存储器利用实现多阻态方法

[发明专利]一种基于阻变器件的加法器电路-CN201110179215.0有效
发明人：刘力锋;于迪;陈冰;高滨;张飞飞;陈沅沙;刘晓彦;康晋锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明涉及半导体集成电路技术领域，公开了一种基于阻变器件的加法器电路。本发明利用具有多个阻态的阻变器件来构建加法器电路，减少了由进位信号产生的额外电路，减少电路实现面积和延时，降低电路成本；此外，经过简单的电路改动即可同时实现减法操作，具有极强的实用效果。本发明获得了性能良好的加法器电路并拓展了阻变器件的应用领域。
一种基于器件加法器电路

[发明专利]电荷泵-CN201110162462.X有效
发明人：丁健平;王源;杜刚;康晋锋;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-06-16 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种电荷泵，涉及集成电路技术领域。该电荷泵包括：第一电荷泵电路，以电源电压以及两相时钟信号为输入，用于将电源电压提升至第一设定电压值并输出；时钟信号电压转换电路，以所述第一电荷泵电路的输出电压以及所述两相时钟信号为输入，用于将所述两相时钟信号的摆幅提升至所述输出电压，并输出提升后的两相时钟信号；第二电荷泵电路，以所述第一电荷泵电路的输出电压、所述两相时钟信号以及所述提升后的两相时钟信号为输入，用于将所述输出电压提升至第二设定电压值并输出。本发明的电荷泵采用两级结构，提高后一级电荷泵电路的时钟幅度，从而提高了电荷泵整体输出电压上升速度，并能提供更高的输出电压。
电荷

[发明专利]阻变随机访问存储器件及制造方法-CN201010207339.0有效
发明人： 康晋锋;高滨;陈沅沙;孙兵;刘力锋;刘晓彦;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-06-13 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种阻变随机访问存储器件及其制造方法，该阻变随机访问存储器件包括设置在位线和字线之间的存储单元，所述存储单元包括阻变元件，以及肖特基二极管，所述肖特基二极管与所述阻变元件串联连接，其中，所述肖特基包括彼此接触的金属层和半导体层，并且金属层与半导体层之间的界面呈非平面的形状。该阻变随机访问存储器件可以减小在芯片上的占用面积并提供大的驱动电流，从而提高了存储密度。
随机访问存储器件制造方法

[发明专利]阻变随机访问存储器件及其制造和操作方法-CN201010198033.3有效
发明人： 康晋锋;高滨;陈沅沙;孙兵;刘力锋;刘晓彦;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-06-03 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种阻变随机访问存储器件及其制造和操作方法，该阻变随机访问存储器件包括阻变存储元件，所述阻变存储元件包括两个电极以及夹在两个电极之间的阻变材料层，并且具有双极阻变特性；以及肖特基二极管，所述肖特基二极管包括彼此接触的金属层和半导体层，其中，所述肖特基二极管的金属层与所述阻变存储元件的一个电极连接。本发明实现了按照双极方式工作的1D-1R配置的阻变随机访问存储器件。
随机访问存储器件及其制造操作方法

[发明专利]包含电阻器的存储单元的制造方法-CN201010198025.9无效
发明人：刘力锋;康晋锋;郝跃;刘晓彦;陈沅沙;高滨;王漪;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-06-03 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种包含电阻器的存储单元的制造方法，包括以下步骤：a)在绝缘衬底上形成底电极层；b)通过MOCVD在底电极层上形成阻变材料层；c)在阻变材料上形成顶电极层；以及d)对顶电极层和阻变材料层进行图案化，以形成分隔开的存储单元。利用MOCVD法可以制造厚度、组分精确可控且具有良好均匀性的阻变材料层，从而可以获得界面特性优良的MOM结构的RRAM的存储单元。
包含电阻器存储单元制造方法