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[发明专利]一种电荷俘获存储器-CN201210117063.6无效
发明人：叶锋;刘晓彦;杜刚;康晋锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种电荷俘获存储器，包括：衬底、源极、漏极、隧穿层、电荷俘获层、阻挡层和包围沟道的多栅极，所述衬底的两端形成源级和漏极，形成于所述衬底之上的隧穿层将所述源极和漏极隔开，在所述隧穿层上面依次为电荷俘获层、阻挡层和包围沟道的多栅极，所述包围沟道的多栅极依次包围隧穿层、电荷俘获层和阻挡层。。本发明的多栅电荷俘获存储可以使在存储器编程、擦除的时间缩短并且可以降低在编程时的电压，提高信息保持时间。
一种电荷俘获存储器

[发明专利]阻变存储器的制备方法及阻变存储器-CN201210084396.3有效
发明人：刘力锋;于迪;陈冰;王琰;傅亦晗;韩德栋;王漪;刘晓彦;康晋锋;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-03-27 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器的制备方法及阻变存储器，所述方法包括以下步骤：A：通过丝网印刷机将配置好的金属浆料氯铂酸印刷到衬底上，再经热处理得到金属字线；B：采用溶胶凝胶法制备金属氧化物浆料；C：采用丝网印刷机将配置好的金属氧化物浆料印刷到衬底和金属字线上，再经热处理得到阻变层；D：采用丝网印刷机将配置好的金属浆料氯铂酸印刷到阻变层上，经热处理得到金属位线。本发明中的制备方法采用溶胶凝胶与丝网印刷相结合的方法制造阻变存储器阵列，不需使用传统半导体制造工艺，因而降低了成本，其对工艺条件要求低，设备简单，工艺过程为低温过程，可与各种衬底材料和工艺兼容，且通过该方法制备的阻变存储器的特性和可靠性较好。
存储器制备方法

[发明专利]氧化物薄膜、薄膜晶体管及其制备方法-CN201210124214.0有效
发明人： 康晋锋;王琰;陆自清;刘晓彦 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物薄膜、薄膜晶体管及其制备方法，涉及薄膜晶体管技术领域。在薄膜晶体管中，氧化物薄膜沟道层的氧化物薄膜的化学通式为Sn-X-Zn-O，X是Si、Ge、La或者Y元素；栅电极设置在基底上方；栅极绝缘层设置在栅电极以及基底未被栅电极所覆盖的部分的上方；氧化物薄膜沟道层设置在栅极绝缘层的上方；源极区设置在氧化物薄膜沟道层的上方的一侧；漏极区设置在氧化物薄膜沟道层的上方的另一侧。本发明基于Sn-X-Zn-O的薄膜晶体管，增强了氧化物薄膜沟道层对于载流子形成的抑制能力，减弱了对薄膜晶体管阈值电压、漏电流Ioff以及开关比的影响，提高了器件制备的一致性；以Sn取代In，降低了成本。
氧化物薄膜薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法-CN201210127626.X无效
发明人：韩德栋;王漪;蔡剑;王亮亮;任奕成;张盛东;孙雷;刘晓彦;康晋锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。本发明采用射频磁控溅射方法形成两层AlZnO薄膜材料作为有源区，且该两层AlZnO薄膜的氧离子含量不同。本发明氧化物半导体薄膜晶体管具有高迁移率，而且本发明制备方法和传统CMOS工艺相兼容，具有较高的实用价值，有望在未来的TFT集成电路中得到应用。
一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种能够实现多进制加法计算的阻变器件及多进制加法计算的方法-CN201110032218.1有效
发明人： 康晋锋;张飞飞;高滨;陈冰;陈沅沙;刘力锋;刘晓彦;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种能够实现多进制加法计算的阻变器件，以及利用阻变器件实现多进制加法计算的方法，所述阻变器件具有从高阻态到低阻态的多个阻值，每个阻值对应于一存储值，通过连续施加具有相同宽度和高度的set脉冲电压使阻变器件的存储值顺序加1，通过施加一reset脉冲电压使阻变器件的存储值置0，同时通过施加一个set脉冲电压使高位阻变器件的存储值加1，由此实现多进制加法计算。通过对阻变器件的操作可以同时实现数据存储和多进制加法运算，从而大大简化了电路结构，便于实现存储和计算的统一应用。
一种能够实现多进制加法计算器件方法

[发明专利]减小阻变存储器转变电流的方法-CN201110435890.5有效
发明人：高滨;康晋锋;刘力锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小阻变存储器转变电流的方法，涉及微电子半导体技术领域，在对存储阵列中所有阻变存储器加热的条件下完成电形成过程。本发明的方法显著减小了阻变存储器的转变电流，从而降低功耗，提高器件的可靠性。还可以有效地控制低阻态电阻值，从而提高器件阻值的均一性。
减小存储器转变电流方法

[发明专利]利用阻变器件实现积分运算方法-CN201110435786.6有效
发明人： 康晋锋;陈冰;高滨;张飞飞;陈沅沙;刘力锋;刘晓彦 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用阻变器件实现积分运算方法，涉及半导体集成电路及其制造技术领域，所述方法包括：S1：对待输入信号进行时间采样；S2：对阻变器件进行复位操作；S3：将时间采样后的待输入信号输入所述阻变器件的阳电极；S4：在所述阻变器件的阳电极上输入预设电压；S5：读取所述阻变器件上的电流值；S6：计算获得所述阻变器件的当前电阻值；S7：计算所述阻变器件的初始电阻值与当前电阻值之间的差值，并根据所述差值与所述待输入信号的电压积分值之间的对应关系，以获得所述待输入信号的电压积分值。本发明利用阻变器件的特性，来实现积分器，具有结构简单、高速、低操作电压和电流、工艺兼容、以及成本低廉的特点。
利用器件实现积分运算方法

[发明专利]敏化太阳能电池封装系统和封装方法-CN201210062615.8无效
发明人： 康晋锋;杨飞;王旭;陆自清;王琰;杜光伟;刘力锋;王漪;张兴 -专利权人：上海北京大学微电子研究院
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01G9/08 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种敏化太阳能电池封装系统和封装方法，该敏化太阳能电池封装系统包括：设置在操作仓内的吸附装置、压力装置、可移动的点胶装置和滴液装置，以及设置在所述操作仓外的控制装置；所述吸附装置包括可移动的上吸附单元和下吸附单元，所述上、下吸附单元分别通过压力装置产生负压，分别用于吸附上、下电极基板，所述下吸附单元设有胶体固化灯；所述点胶装置和滴液装置分别由所述控制装置控制，分别用于对所述下电极基板进行自动点胶和自动滴液，所述压力装置分别控制所述点胶装置的点胶压强和滴液装置的滴液压强。本发明封装工艺简单，封装自动化程度高，并同时提高太阳能电池的长期稳定性。
太阳能电池封装系统方法

[发明专利]一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法-CN201210050309.2有效
发明人：王漪;王亮亮;韩德栋;蔡剑;王薇;耿友峰;任奕成;张盛东;刘晓彦;康晋锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-02-29 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法。本发明的制备方法采用底栅结构，首先生长光刻刻蚀出栅电极，然后连续生长栅介质层及有源区层，再光刻刻蚀出有源区，以栅电极为掩膜，配合源电极和漏电极的掩膜版，背部曝光即可实现自对准。由于该方法实现了源电极和漏电极与栅电极的自对准，极大减小栅电极与源漏的寄生电容，因而能提高薄膜晶体管电路的驱动能力。而该制备方法的改进在于，背曝光的同时使光线通过源电极和漏电极的掩膜版，光刻之后结合剥离工艺即可一次形成源电极和漏电极的区域。整个流程只需三步光刻，节省了一步光刻工艺。由于微电子工艺对光刻的成本极为敏感，因此本发明的制备方法可简化工艺流程，节约制造成本。
一种对准氧化锌薄膜晶体管制备方法

[发明专利]染料敏化太阳能电池的叠层纳米半导体薄膜电极-CN201210062398.2无效
发明人：刘力锋;李博洋;杨飞;王旭;王漪;康晋锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01G9/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种染料敏化太阳能电池的叠层纳米半导体薄膜电极，涉及染料敏化太阳能电池技术领域，所述电极包括导电基底，还包括在所述导电基底的上表面从下至上依次设置的第一纳米薄膜层、第二纳米薄膜层、以及第三纳米薄膜层，所述第一纳米薄膜层、第二纳米薄膜层、以及第三纳米薄膜层中的纳米颗粒直径依次逐渐增大。本发明通过所述第一纳米薄膜层、第二纳米薄膜层、以及第三纳米薄膜层中的纳米颗粒直径依次逐渐增大的梯度结构设计，增强了太阳光的散射作用，从而提高了纳米半导体薄膜电极对太阳光的利用率，以增大DSSC的光电转换效率。
染料太阳能电池纳米半导体薄膜电极

[发明专利]一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法-CN201210008323.6有效
发明人：韩德栋;蔡剑;王漪;王薇;王亮亮;任奕成;张盛东;刘晓彦;康晋锋 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-01-12 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌薄膜晶体管的制备方法，该方法首先利用半导体缓冲层来增加源、漏电极与沟道材料的接触面积，减小源漏接触电阻，然后采用剥离工艺将连续生长的沟道层、栅介质层和栅电极层一起剥离。本发明简化了制造流程，有效减小了源漏端接触电阻，而且关键的沟道层、栅介质层和栅电极层这三层的生长过程完全没有脱离真空环境。本发明提高了器件特性，优化了效率以及成品率。
一种氧化锌薄膜晶体管制备方法

[发明专利]Flash灵敏放大器-CN201210018168.6无效
发明人：王源;黄鹏;杜刚;贾嵩;康晋锋;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-01-19 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种Flash灵敏放大器，包括：第一反相器和第二反相器；第一放大控制单元，用于控制第一反相器的输入端和第二反相器的输出端之间通断；第二放大控制单元，用于控制第一反相器的输出端和第二反相器的输入端之间的通断；单元阵列位线，用于提供单元位线电位；第一锁存控制单元，用于控制单元阵列位线与第一反相器的输入端之间的通断；参考阵列位线，用于提供参考位线电位；第二锁存控制单元，用于控制参考阵列位线与第二反相器的输入端之间的通断。本发明将放大器的输入和灵敏放大的分开，减少了位线寄生电容对放大器的影响。
flash 灵敏放大器

[发明专利]多值存储电路的读取电路及读取方法-CN201210016651.0无效
发明人：王源;高晓敏;何燕东;杜刚;康晋锋;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G11C7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种多值存储电路的读取电路及读取方法，包括：第一灵敏放大器、第二灵敏放大器、第三灵敏放大器、n型MOS晶体管和p型MOS晶体管；所述第一灵敏放大器、第二灵敏放大器和第三灵敏放大器分别接收选中单元和不同参考单元的信号，所述第二灵敏放大器的输出端输出MSB信号，所述n型MOS晶体管和p型MOS晶体管的栅极接收MSB信号，所述第一灵敏放大器的输出端连接n型MOS晶体管的源极，所述第三灵敏放大器的输出端连接p型MOS晶体管的源极，所述n型MOS晶体管和p型MOS晶体管的漏极并联输出LSB信号。与现有的并行读取电路相比，本发明具有面积小、读容限大的优点，与现有的串行电路相比，本发明具有结构简单、速度快、功耗低的特点。
存储电路读取方法

[发明专利]阻变存储器及其制造方法-CN201210016812.6无效
发明人： 康晋锋;傅亦晗;陈冰;高滨;刘力锋;刘晓彦 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明是一种阻变存储器及其制造方法，该阻变存储器包括多个阻变存储单元；每个阻变存储单元包括衬底(101)、在衬底(101)上依次沉积的底电极(102)、阻变层(103)和具有针尖状突出部(1041)的上电极(104)。本发明使用具有刻蚀成针尖状的突出部的上电极来使电场集中在电极尖端附近，从而使导电通道在针尖附近产生，并使得导电通道的通断位置相对固定，这样可以降低阻变存储器的工作电压并提高其高低阻值分布的一致性。
存储器及其制造方法

[发明专利]具有交叉阵列结构的自整流阻变存储器及制备方法-CN201110452945.3有效
发明人：高滨;康晋锋;刘力锋;刘晓彦 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有交叉阵列结构的自整流阻变存储器及制备方法，涉及半导体集成电路及其制造技术领域，所述存储器包括：硅衬底，在所述硅衬底上设有至少一个与其垂直的纳米柱，绕所述纳米柱的侧壁一周设有阻变氧化层，绕所述阻变氧化层的外侧壁一周设有从下至上间隔设置的隔离层和金属层，所述纳米柱的材料为重掺杂硅。本发明通过按照一定的结构设置，实现了在不增加工艺复杂度的情况下，提供了一种适合于三维集成，并具有自整流特性的存储器。
具有交叉阵列结构整流存储器制备方法